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GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换被引量：6: 1; 作者赵正平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期1-6,13,共7页; GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。... 展开更多; 关键词常开gan功率开关器件常关gan功率开关器件 gan高电子迁移率晶体管 (HEMT) gan异质结场效应晶体管(HFET) 增强型器件功率变换; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换(续) 被引量：3: 2; 作者赵正平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期81-87,共7页; 2．3大栅宽器件大栅宽常关GaN功率开关器件的发展是走向工程应用，2009年报道了栅宽为20mm的5A／1100V常关GaN功率开关器件在升压变换器中的应用旧引，器件特点是，栅下F等离子处理工艺和栅极与源极的双场板结构。; 关键词功率开关器件 gan 功率变换微尺度升压变换器等离子处理场板结构栅宽; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术被引量：1: 3; 作者程俊红肖震霞《电源学报》 CSCD 北大核心 2020年第4期193-199,共7页; 测试半导体GaN功率开关器件灵敏度对掌握器件性能具有重要意义,提出一种新型半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术。通过分析半导体GaN功率开关器件的导通电阻与击穿电压关系、空穴电流与栅极电流关系,掌握功率开关器件击穿机理,在此基... 展开更多; 关键词半导体gan 功率开关器件击穿机理灵敏度通道衰减值测试技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ku波段GaN大功率单刀双掷开关设计被引量：2: 4; 作者郭丰强要志宏《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期835-839,共5页; 基于开关器件的基本工作原理和设计方法,设计了一款Ga N大功率Ku波段单刀双掷(SPDT)开关,并着重讨论了Ga N大功率开关的耐功率能力。经制作得到不同栅指数、不同单指栅宽的Ga N开关器件,测试了其基本性能,并比较了开关器件在Ga N工艺与G... 展开更多; 关键词单刀双掷开关(SPDT) gan开关器件 KU波段耐功率能力小型化; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于GaN器件大功率双向DC/DC变换器的设计与仿真被引量：5: 5; 作者刘晓悦白尚维陈瑞《电源技术》 CAS 北大核心 2021年第1期96-100,共5页; 介绍了一种新的高功率双向隔离式DC/DC变换器作为高功率转换系统的主要电路。DC/DC变换器使用基于氮化镓(GaN)的功率开关器件。对10 kWGaN大功率DC/DC变换器的拓扑结构进行了优化、参数化和分析,并通过仿真和实验验证了其有效性。它由... 展开更多; 关键词双向DC/DC变换器软开关大功率电气隔离 gan器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

X波段GaN基小相位移相器设计被引量：1: 6; 作者刘辉孙朋朋 +1 位作者张宗敬罗卫军《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期255-259,共5页; 基于0.25μm GaN HEMT工艺,设计并制作了X波段11.25°和22.5°的小相位移相器单片微波集成电路（MMIC）,两个移相器单元均采用低通开关滤波型拓扑结构。最终芯片面积分别为0.9 mm×1.05 mm和0.95 mm×1.05 mm。芯片测... 展开更多; 关键词移相器低通开关滤波网络 gan HEMT X波段功率器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换被引量：6: 1; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期1-6,13,共7页; 文摘 GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。综述了GaN功率开关器件的发展历程、现状、关键技术突破、应用研究和微功率变换集成。重点评估了常开和常关两类GaN功率开关器件的异质结外延材料的结构、器件结构优化、器件的关键工艺、增强型器件的形成技术、器件性能、可靠性、应用特点和微系统集成。最后总结了新世纪以来GaN新一代电力电子器件技术进步的亮点。; 关键词常开gan功率开关器件常关gan功率开关器件 gan高电子迁移率晶体管 (HEMT) gan异质结场效应晶体管(HFET) 增强型器件功率变换; Keywords normally-on gan powerhigh electron mobility transistor （HEMT）hancement-mode device power conversionswitch gandevice normally-offheterojunctiongan power switch device ganeffect transistor （HFET） en-; 分类号 TN323 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换(续) 被引量：3: 2; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期81-87,共7页; 文摘 2．3大栅宽器件大栅宽常关GaN功率开关器件的发展是走向工程应用，2009年报道了栅宽为20mm的5A／1100V常关GaN功率开关器件在升压变换器中的应用旧引，器件特点是，栅下F等离子处理工艺和栅极与源极的双场板结构。; 关键词功率开关器件 gan 功率变换微尺度升压变换器等离子处理场板结构栅宽; 分类号 TN323 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术被引量：1: 3; 作者程俊红肖震霞; 机构石家庄职业技术学院电气与电子工程系河北地质大学信息工程学院; 出处《电源学报》 CSCD 北大核心 2020年第4期193-199,共7页; 基金河北省人才工程培养经费资助项目(A201500119)。; 文摘测试半导体GaN功率开关器件灵敏度对掌握器件性能具有重要意义,提出一种新型半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术。通过分析半导体GaN功率开关器件的导通电阻与击穿电压关系、空穴电流与栅极电流关系,掌握功率开关器件击穿机理,在此基础上,测试其灵敏度;根据灵敏度测试原理与微频通道衰减值周期检查原理,测量功率开关器件微频信号功率和微频通道衰减值,汇总微频通道衰减值和最后1次开关灵敏时的衰减值,得到其灵敏度。实验结果表明:所提测试技术在测量灵敏度过程中,平均测试误差为0.044 dB,仅平均花费9.61 ms,是一种高效、可靠的半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术。; 关键词半导体gan 功率开关器件击穿机理灵敏度通道衰减值测试技术; Keywords semiconductor gan power switching device breakdown mechanism sensitivity channel attenuation value testing technology; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ku波段GaN大功率单刀双掷开关设计被引量：2: 4; 作者郭丰强要志宏; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期835-839,共5页; 文摘基于开关器件的基本工作原理和设计方法,设计了一款Ga N大功率Ku波段单刀双掷(SPDT)开关,并着重讨论了Ga N大功率开关的耐功率能力。经制作得到不同栅指数、不同单指栅宽的Ga N开关器件,测试了其基本性能,并比较了开关器件在Ga N工艺与Ga As工艺下的性能差别。Ku波段SPDT开关实测S参数表明,插入损耗小于0.9 d B,隔离度大于27 d B,同时能够承受10 W的连续波输入功率;适当牺牲耐功率能力可提升小信号的性能。这款开关可搭配Ga N功率放大器与低噪声放大器用于收发组件前端。其尺寸仅有2.0 mm×1.4 mm,满足系统小型化的需求。; 关键词单刀双掷开关(SPDT) gan开关器件 KU波段耐功率能力小型化; Keywords single-pole double-throw switch（SPDT） gan switching device Ku-band power handling capability miniaturization; 分类号 TM546 [电气工程—电器] TN631 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于GaN器件大功率双向DC/DC变换器的设计与仿真被引量：5: 5; 作者刘晓悦白尚维陈瑞; 机构华北理工大学电气工程学院; 出处《电源技术》 CAS 北大核心 2021年第1期96-100,共5页; 基金国家自然科学基金(51574102) 国家自然科学基金(51474086) 河北省自然科学基金和重点基础研究专项(E2019209492)。; 文摘介绍了一种新的高功率双向隔离式DC/DC变换器作为高功率转换系统的主要电路。DC/DC变换器使用基于氮化镓(GaN)的功率开关器件。对10 kWGaN大功率DC/DC变换器的拓扑结构进行了优化、参数化和分析,并通过仿真和实验验证了其有效性。它由使用新型的GaN晶体管组成的两个单相全桥电路、两个输入/输出电感和一个高频变压器组成。变压器在实现两个全桥变换器之间的电气隔离方面起着至关重要的作用。使用MATLAB仿真软件对10 kW的变换器进行了建模。MATLAB仿真结果验证了变换器的性能适合于高功率应用并能实现轻负载条件下的零电压开通(ZVS)和零电流关断(ZCS)。然后,设计了一个10 kW的实验原型,以验证所设计拓扑的有效性。; 关键词双向DC/DC变换器软开关大功率电气隔离 gan器件; Keywords bidirectional DC/DC converter soft switching high power electrical isolation gan device; 分类号 TM46 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名X波段GaN基小相位移相器设计被引量：1: 6; 作者刘辉孙朋朋张宗敬罗卫军; 机构中国科学院微电子研究所中国科学院大学西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期255-259,共5页; 文摘基于0.25μm GaN HEMT工艺,设计并制作了X波段11.25°和22.5°的小相位移相器单片微波集成电路（MMIC）,两个移相器单元均采用低通开关滤波型拓扑结构。最终芯片面积分别为0.9 mm×1.05 mm和0.95 mm×1.05 mm。芯片测试结果表明,两个小相位移相器性能良好,且测试结果与仿真结果吻合。在8~12 GHz频带内,11.25°和22.5°移相器电路的相移精度小于2.8°,输入回波损耗分别优于-15和-12 dB,插入损耗值分别小于1和1.5 dB,幅度波动分别小于0.8和1.3 dB。两个移相器电路的1 dB压缩点输入功率均大于36 dBm,其功率容限优于GaAs HEMT设计的移相器。结果表明,所设计的移相器具有优异的相移精度以及良好的功率性能,可广泛应用于高精度和大功率的雷达系统中。; 关键词移相器低通开关滤波网络 gan HEMT X波段功率器件; Keywords phase shifter low-pass switched filter network gan HEMT X-band power device; 分类号 TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN623 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换	赵正平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换(续)	赵正平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术	程俊红肖震霞	《电源学报》 CSCD 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Ku波段GaN大功率单刀双掷开关设计	郭丰强要志宏	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于GaN器件大功率双向DC/DC变换器的设计与仿真	刘晓悦白尚维陈瑞	《电源技术》 CAS 北大核心	2021	5	在线阅读下载PDF 职称材料
6	X波段GaN基小相位移相器设计	刘辉孙朋朋张宗敬罗卫军	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料