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常压射频等离子体沉积TiO2纳米颗粒膜的空间均匀性 被引量:3
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作者 李灵均 戴林君 +6 位作者 徐雨 SIDDIG Eashara. A.A. 丁可 黄晓江 李惠 石建军 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期467-472,共6页
常压等离子体增强化学气相沉积(AP-PECVD)薄膜的均匀性是AP-PECVD技术成功应用的关键问题之一。为此,通过基片的微位移实现了TiO_2纳米颗粒薄膜的连续沉积,同时研究了基片的不同移动方式对沉积薄膜的均匀性、表面形貌、结晶结构的影响... 常压等离子体增强化学气相沉积(AP-PECVD)薄膜的均匀性是AP-PECVD技术成功应用的关键问题之一。为此,通过基片的微位移实现了TiO_2纳米颗粒薄膜的连续沉积,同时研究了基片的不同移动方式对沉积薄膜的均匀性、表面形貌、结晶结构的影响。研究结果表明:相比单向移动沉积的薄膜,来回移动沉积的薄膜均匀性会得到提高,沉积速率降低;单向移动沉积的薄膜为锐钛矿晶型,而来回移动沉积的薄膜为锐钛矿和金红石混晶结构,且随功率密度的提高,混晶结构中金红石含量提高。由紫外可见吸收光谱分析可知,相比锐钛矿单晶结构,混晶结构的TiO_2薄膜在紫外光区的吸收光谱宽度发生了明显的增宽和红移现象,且金红石含量越高,此现象越明显。根据Kubelka-Munk公式求取TiO_2薄膜的光学带隙可知,锐钛矿和金红石混晶结构会引起能带的错列分布,从而导致光学带隙降低。 展开更多
关键词 常压射频等离子体 连续沉积 TiO2纳米颗粒薄膜 空间均匀性
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常压射频放电占空比对SiO_x薄膜形貌和成分的影响
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作者 任吉达 张杰 +3 位作者 韩乾翰 赵文亮 郭颖 石建军 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期139-143,共5页
采用常压射频等离子体放电技术,以六甲基二硅氧烷(HMDSO)和Ar的混合气体为反应源,成功制备了SiO_x薄膜.通过测量放电的电流-电压曲线以及发射光谱,研究不同占空比对射频放电段放电特性的影响;利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS... 采用常压射频等离子体放电技术,以六甲基二硅氧烷(HMDSO)和Ar的混合气体为反应源,成功制备了SiO_x薄膜.通过测量放电的电流-电压曲线以及发射光谱,研究不同占空比对射频放电段放电特性的影响;利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)以及X射线光电子能谱(XPS)研究了不同占空比放电条件下沉积的SiO_x薄膜的表面形貌与化学成分.研究结果表明,占空比对射频放电段的放电特性影响不大,但是随着放电脉冲占空比的增加,薄膜表面变得不平滑,椭球形颗粒增多,薄膜中无机成分也相应增加. 展开更多
关键词 常压射频等离子体 脉冲调制 占空比 SIOX薄膜
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