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常压化学气相沉积法制备氮化钛薄膜结构和节能性能研究 被引量:2
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作者 段钢锋 赵高凌 +5 位作者 林小璇 吴历清 杜丕一 翁文剑 汪建勋 韩高荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期847-850,共4页
在普通玻璃基板上利用常压化学气相沉积法在580℃条件下制备得到了氮化钛薄膜。对薄膜的结晶性能、断面形貌、方块电阻以及光学透过率和反射率进行了研究。随着沉积时间的增长,薄膜由单层结构变为一种特殊的双层结构,这种双层结构的形... 在普通玻璃基板上利用常压化学气相沉积法在580℃条件下制备得到了氮化钛薄膜。对薄膜的结晶性能、断面形貌、方块电阻以及光学透过率和反射率进行了研究。随着沉积时间的增长,薄膜由单层结构变为一种特殊的双层结构,这种双层结构的形成是沉积过程中气相成核机制引起的。光谱结果显示制备得到的薄膜具备一定的阳光控制性能。然而,双层薄膜的红外反射率随沉积时间的增长迅速降低,影响了其阳光控制性能。 展开更多
关键词 氮化钛 常压化学气相沉积法 沉积时间 结构 阳光控制性能
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重掺硅片表面APCVD法生长SiO_(2)薄膜的致密性
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作者 史延爽 王浩铭 +2 位作者 田原 张旭 武永超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期544-548,共5页
在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO_(2)薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 c... 在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO_(2)薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 cm)n型硅片表面生长SiO_(2)薄膜,首先研究不同沉积温度、SiH_(4)和O_(2)的体积流量比对沉积速率和SiO_(2)薄膜致密性的影响,进一步探究了不同退火温度对SiO_(2)薄膜致密性的影响,以期获得致密性较高的SiO_(2)薄膜。采用HF腐蚀速率法表征其致密性,采用扫描电子显微镜(SEM)观察SiO_(2)薄膜的表面形貌,采用F50膜厚测试仪测试SiO_(2)薄膜的厚度。结果表明,沉积温度为400℃,SiH_(4)和O_(2)的体积流量比为1∶10,退火温度为1100℃时,制备的SiO_(2)薄膜的致密性为0.096 nm/s(采用体积分数为1%的HF腐蚀)。 展开更多
关键词 化学沉积(APCVD) SiO_(2)薄膜 致密性 自掺杂 沉积速率
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HP40钢表面沉积SiO_2功能涂层工艺 被引量:8
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作者 罗小秋 黄志荣 +1 位作者 孙启凤 黄青 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期40-42,53,共4页
以正硅酸乙酯为源物质,空气为载气,采用常压化学气相沉积法在HP40(25Cr35Ni)合金钢基体上制备了SiO2涂层;研究了沉积温度、源物质温度以及气体流量等工艺参数对沉积速率的影响,并通过XRD和SEM分析了涂层的物相组成及表面形貌。结果表明... 以正硅酸乙酯为源物质,空气为载气,采用常压化学气相沉积法在HP40(25Cr35Ni)合金钢基体上制备了SiO2涂层;研究了沉积温度、源物质温度以及气体流量等工艺参数对沉积速率的影响,并通过XRD和SEM分析了涂层的物相组成及表面形貌。结果表明:用此方法可在HP40钢表面沉积出表面均匀致密且与基体具有一定结合强度的涂层,较合理的工艺参数为源物质温度60℃、沉积温度800℃、气体流量3.33 L.min-1。 展开更多
关键词 常压化学气相沉积法 SiO2涂层 HP40钢 沉积速率
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退役炉管内表面二氧化硅涂层的制备及抗结焦性能研究 被引量:3
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作者 栾小建 徐宏 +2 位作者 王志远 周建新 朱巍 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期67-71,73,共6页
采用常压化学气相沉积法在退役Fe-Cr-Ni炉管内表面制备了SiO2涂层,对其抗结焦性能进行了研究。运用扫描电子显微镜和能量色散谱仪分析了原始退役炉管及SiO2涂层的表面形貌和组织结构;考察了在乙烯裂解的工艺条件下SiO2涂层的抗结焦能力... 采用常压化学气相沉积法在退役Fe-Cr-Ni炉管内表面制备了SiO2涂层,对其抗结焦性能进行了研究。运用扫描电子显微镜和能量色散谱仪分析了原始退役炉管及SiO2涂层的表面形貌和组织结构;考察了在乙烯裂解的工艺条件下SiO2涂层的抗结焦能力,并对其抗热冲击性能进行了研究。结果表明,所制备的涂层表面完整、粒子结合致密,结焦试验2 h的结焦抑制率为70.6%;涂层可以经受7次900℃高温水冷热冲击试验。采用常压化学气相沉积法在炉管内表面制备SiO2涂层是行之有效的抑制结焦的方法。 展开更多
关键词 退役炉管 SiO2涂层 常压化学气相沉积法 结焦 热冲击
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反射红外及自清洁的多功能镀膜玻璃的制备 被引量:2
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作者 鲍思权 姜宏 +2 位作者 赵会峰 张振华 王琦 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期3628-3632,共5页
以钛酸异丙酯[Ti(OC_4H_7)_4,TTIP]、单丁基三氯化锡[C_4H_9SnCl_3,MBTC]及三氟乙酸[CF_3COOH,TFA]作为反应前驱体,利用常压化学气相沉积法制备具有反射红外及自清洁功能的多功能TiO_2/SnO_2∶F复合膜镀膜玻璃。通过扫描电镜、X射线衍... 以钛酸异丙酯[Ti(OC_4H_7)_4,TTIP]、单丁基三氯化锡[C_4H_9SnCl_3,MBTC]及三氟乙酸[CF_3COOH,TFA]作为反应前驱体,利用常压化学气相沉积法制备具有反射红外及自清洁功能的多功能TiO_2/SnO_2∶F复合膜镀膜玻璃。通过扫描电镜、X射线衍射及近红外光区反射光谱等技术手段对其进行分析,研究了反应物TTIP的流量变化及SnO_2∶F薄膜对TiO_2薄膜性能的影响。结果表明:随着TTIP流量的增大,TiO_2/SnO_2∶F在高频近红外波段的反射率逐渐提高,但其光降解甲基橙的性能先提高后降低;SnO_2∶F薄膜可以改善复合膜中TiO_2的致密性,提高TiO_2在近红外的反射率,同时TiO_2/SnO_2∶F复合膜可以有效延长电子-空穴对的复合时间,从而提高了TiO_2薄膜的光降解性能。 展开更多
关键词 常压化学气相沉积法 TiO2/SnO2∶F复合膜 反射红外 光降解
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在线APCVD镀膜玻璃渐变过渡层性能研究
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作者 胡铁石 符有杰 +3 位作者 赵会峰 张振华 潘国治 姜宏 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第12期4157-4162,共6页
通过在线常压化学相沉积镀膜手段制备了FTO玻璃的单层硅/锡混合过渡膜层,并通过各种分析手段测试了可见光透过率、方块电阻、膜层表面结构及纵向元素分布等性能,研究了其结构组成对各项性能的影响。结果表明:膜层中Sn含量由表面至基底... 通过在线常压化学相沉积镀膜手段制备了FTO玻璃的单层硅/锡混合过渡膜层,并通过各种分析手段测试了可见光透过率、方块电阻、膜层表面结构及纵向元素分布等性能,研究了其结构组成对各项性能的影响。结果表明:膜层中Sn含量由表面至基底玻璃逐渐减小同时Si含量逐渐增加,为良好的SiO_2/SnO_2渐变结构膜层;膜层可见光透过率主要由其膜层结构决定,在一定的范围内,可以通过调整膜层的渐变结构来改变其可见光透过率;表层致密程度及膜层结构渐变可以改善膜层的导电性;可作为FTO镀膜玻璃的过渡层使用。 展开更多
关键词 FTO薄膜 过渡层 渐变膜层 在线镀膜 常压化学气相沉积法
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