连续快速常压化学气相沉积法制备TiO_2自清洁镀膜玻璃 被引量：9

1

作者 翁伟浩 宋晨路 +3 位作者 翁文剑 刘军波 应益明 韩高荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期16-20,共5页

以四异丙醇钛(TTIP)为先驱体,采用常压化学气相沉积(APCVD)法模拟镀膜工艺过程,制备出了TiO2自清洁镀膜玻璃。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见透射光谱(UV-Vis)等手段对样品进行分析,并研究了基板温度和移动速率与薄膜性... 以四异丙醇钛(TTIP)为先驱体,采用常压化学气相沉积(APCVD)法模拟镀膜工艺过程,制备出了TiO2自清洁镀膜玻璃。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见透射光谱(UV-Vis)等手段对样品进行分析,并研究了基板温度和移动速率与薄膜性能之间的关系。结果表明,当基板温度升高至580℃时,能够形成平整致密的薄膜,薄膜的结晶度,光催化性能和亲水性能也达到最好;基板移动速度下降到1.5 m/min时,薄膜的结晶度,光催化性和亲水性也可得到改善。依据光催化性能和亲水性能测试,表明沉积TiO2薄膜的最佳条件为基板温度58O℃,基板速度1.5 m/min。 展开更多

关键词 TIO2 常压化学气相沉积 自清洁 镀膜玻璃

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TiN镀膜玻璃的常压化学气相沉积法制备及其光电性能研究 被引量：8

2

作者 张涛 赵高凌 韩高荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期309-311,共3页

本研究以TiCl4和NH3为反应气体,N2为保护气氛,用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃基板上沉积制备得到了一系列不同反应温度和原料浓度的TiN薄膜。利用X射线衍射(XRD)和方块电阻仪研究了反应温度和原料浓度对薄膜结晶性能和电性能的影响... 本研究以TiCl4和NH3为反应气体,N2为保护气氛,用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃基板上沉积制备得到了一系列不同反应温度和原料浓度的TiN薄膜。利用X射线衍射(XRD)和方块电阻仪研究了反应温度和原料浓度对薄膜结晶性能和电性能的影响规律。研究结果表明随着基板温度升高、TiCl4浓度的增加,薄膜结晶性能提高,同时电阻率降低。在反应温度为600℃时得到了结晶性能较好的TiN薄膜,其方块电阻为186.7Ω,红外光反射率为0.2526。 展开更多

关键词 TIN 常压化学气相沉积 方块电阻

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常压化学气相沉积法制备氮化钛薄膜结构和节能性能研究 被引量：2

3

作者 段钢锋 赵高凌 +5 位作者 林小璇 吴历清 杜丕一 翁文剑 汪建勋 韩高荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期847-850,共4页

在普通玻璃基板上利用常压化学气相沉积法在580℃条件下制备得到了氮化钛薄膜。对薄膜的结晶性能、断面形貌、方块电阻以及光学透过率和反射率进行了研究。随着沉积时间的增长,薄膜由单层结构变为一种特殊的双层结构,这种双层结构的形... 在普通玻璃基板上利用常压化学气相沉积法在580℃条件下制备得到了氮化钛薄膜。对薄膜的结晶性能、断面形貌、方块电阻以及光学透过率和反射率进行了研究。随着沉积时间的增长,薄膜由单层结构变为一种特殊的双层结构,这种双层结构的形成是沉积过程中气相成核机制引起的。光谱结果显示制备得到的薄膜具备一定的阳光控制性能。然而,双层薄膜的红外反射率随沉积时间的增长迅速降低,影响了其阳光控制性能。 展开更多

关键词 氮化钛 常压化学气相沉积法 沉积时间 结构 阳光控制性能

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常压化学气相沉积法制备SnO_2微纳米材料及其催化发光性质研究 被引量：1

4

作者 余凌竹 鲁建 +1 位作者 路姣 孟国龙 《电子显微学报》 CAS CSCD 2016年第6期482-489,共8页

本文利用一种简单的常压化学气相沉积法在氧化石墨烯基底上制备SnO_2材料。通过改变沉积参数(氯化亚锡溶液浓度和沉积时间)得到了多种形貌的SnO_2微纳米材料。利用SEM,EDS和XPS对其形貌,成分及元素价态进行表征,并对SnO_2材料的催化发... 本文利用一种简单的常压化学气相沉积法在氧化石墨烯基底上制备SnO_2材料。通过改变沉积参数(氯化亚锡溶液浓度和沉积时间)得到了多种形貌的SnO_2微纳米材料。利用SEM,EDS和XPS对其形貌,成分及元素价态进行表征,并对SnO_2材料的催化发光性能进行测试。结果表明,以该材料建立的催化发光气体传感器分别对进样2μL的甲醇,乙醇,异丙醇和丙酮展示了较高的灵敏度,快的响应速度及好的重现性。 展开更多

关键词 常压化学气相沉积 SNO2 催化发光 VOCS

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基于常压等离子体引发化学气相沉积法锡/碳/TiO_(2)纳米纤维的制备及其沉积参数探究 被引量：1

5

作者 唐海军 夏鑫 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期160-163,170,共5页

为研究等离子体引发化学气相沉积(PECVD)实验中距离和功率对基底材料以及生成的二氧化钛(TiO_(2))纳米颗粒形貌结构的影响,通过自主研发的常压PECVD(AP-PECVD)设备,以钛酸丁酯为钛源,在锡/碳(Sn/C)纳米纤维表面沉积大量的TiO_(2)纳米颗... 为研究等离子体引发化学气相沉积(PECVD)实验中距离和功率对基底材料以及生成的二氧化钛(TiO_(2))纳米颗粒形貌结构的影响,通过自主研发的常压PECVD(AP-PECVD)设备,以钛酸丁酯为钛源,在锡/碳(Sn/C)纳米纤维表面沉积大量的TiO_(2)纳米颗粒。通过扫描电镜和透射电镜观察了Sn/C/TiO_(2)纳米纤维的形貌结构,采用X射线衍射仪研究了Sn/C/TiO_(2)纳米纤维的晶形结构。结果表明:自主研发的设备沉积了大量的纳米颗粒;通过对功率和距离参数变化后沉积的Sn/C/TiO_(2)纳米纤维测试发现,当功率为100W、距离为7mm时,沉积上的纳米颗粒直径在10~30nm之间,纳米纤维形貌保持良好,纤维内部结构基本没有被破坏;沉积上的TiO_(2)纳米颗粒为非晶结构。 展开更多

关键词 常压等离子体引发化学气相沉积 沉积参数 锡碳纳米纤维 二氧化钛纳米颗粒

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氢气浓度对常压化学气相沉积ZrC涂层的影响 被引量：4

6

作者 李国栋 郑湘林 +1 位作者 熊翔 孙威 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1795-1801,共7页

采用ZrCl4-CH4-H2-Ar体系在C/C材料基体上进行常压化学气相沉积(APCVD)制备碳化锆(ZrC)涂层。通过X射线衍射技术(XRD)和扫描电镜(SEM)对不同H2浓度下制备的ZrC涂层进行分析。对H2在沉积过程中的作用机制进行了讨论。结果表明:H2浓度对... 采用ZrCl4-CH4-H2-Ar体系在C/C材料基体上进行常压化学气相沉积(APCVD)制备碳化锆(ZrC)涂层。通过X射线衍射技术(XRD)和扫描电镜(SEM)对不同H2浓度下制备的ZrC涂层进行分析。对H2在沉积过程中的作用机制进行了讨论。结果表明:H2浓度对涂层的相组成、晶体的择优取向和结构形态有重要影响;无H2或H2浓度较低时,涂层含有大量的热解碳,由ZrC和碳两相组成,涂层呈多孔颗粒状;当H2浓度(体积分数)增加到30%以上时,涂层的相成分变为单一ZrC相;当H2的浓度增加到90%时,ZrC晶体取向由(111)、(200)转变为强烈的(220)择优取向,晶粒形貌变为纳米针状。 展开更多

关键词 ZrC涂层 常压化学气相沉积 H2浓度 择优取向

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掺氮二氧化钛薄膜的常压化学气相沉积及其结构性能研究 被引量：9

7

作者 郭玉 张溪文 韩高荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期190-194,共5页

用常压化学气相沉积(APCVD)法,以四氯化钛(TiCl4)、氧气(O2)和氨气(NH3)作为气相反应先驱体,成功制备了掺氮二氧化钛(TiO2)薄膜。XRD、XPS和UV-Vis透射光谱研究表明,氮掺杂在二氧化钛薄膜中引入Ti4O7相,抑制了锐钛矿相向金红石相的转变... 用常压化学气相沉积(APCVD)法,以四氯化钛(TiCl4)、氧气(O2)和氨气(NH3)作为气相反应先驱体,成功制备了掺氮二氧化钛(TiO2)薄膜。XRD、XPS和UV-Vis透射光谱研究表明,氮掺杂在二氧化钛薄膜中引入Ti4O7相,抑制了锐钛矿相向金红石相的转变;氮掺杂促使光吸收限红移,提高了薄膜在可见光照射下的光催化效率,并改善了薄膜表面的亲水性能。该工艺成本低廉,成膜速度快(150 nm/min),适用于工业化浮法玻璃生产线,产业化前景广阔。 展开更多

关键词 常压化学气相沉积 掺氮TiO2薄膜 光催化性 亲水性

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纳米多孔硅基薄膜的常压等离子体化学气相沉积过程研究 被引量：3

8

作者 夏磊 周荃 +1 位作者 徐金洲 张菁 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期117-121,共5页

采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下... 采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下获得了由Si基组成的絮状多孔纳米结构薄膜.通过等离子体发射光谱测定了沉积过程中的电子温度在2.2eV左右,扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜表面形貌后肯定了偏压对薄膜纳米结构的形成起着重要的作用. 展开更多

关键词 常压等离子体化学气相沉积(APECVD) 多孔硅基薄膜 负偏压 荧光(PL)

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常压等离子体化学气相沉积制备UHMWPE/SiO_xC_yH_z锂离子杂化隔膜 被引量：5

9

作者 王超梁 彭释 +2 位作者 戴协 石建军 张菁 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期179-184,共6页

采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)方法裂解六甲基二硅氧烷(HMDSO),在高强高模聚乙烯(UHMWPE)隔膜表面进行沉积,形成双面微纳米颗粒膜涂覆的UHMWPE/SiO_xC_yH_z杂化隔膜,并分别通过扫描电子显微镜(SEM)、衰减全反射傅里叶变换红外光... 采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)方法裂解六甲基二硅氧烷(HMDSO),在高强高模聚乙烯(UHMWPE)隔膜表面进行沉积,形成双面微纳米颗粒膜涂覆的UHMWPE/SiO_xC_yH_z杂化隔膜,并分别通过扫描电子显微镜(SEM)、衰减全反射傅里叶变换红外光谱(ATR-FTIR)、热性能测试方法等,研究了不同O2/HMDSO流量比对杂化隔膜结构与热性能的影响.研究结果表明,沉积薄膜为具有一定结晶特性的SiO_xC_yH_z微纳米颗粒薄膜,具有较好的多孔特性及与UHMWPE隔膜纤维的黏结.随着O2/HMDSO流量比的增加,在颗粒薄膜的亲水性、透气率及对隔膜的覆盖率提高的同时,明显地改善了杂化隔膜的耐热收缩性能,120℃下热处理30 min,热收缩率仅为2%左右,在具有较高耐热性要求的锂离子动力电池隔膜方面具有很好的应用前景. 展开更多

关键词 常压等离子体化学气相沉积(APECVD) SiOxCyHz多孔纳米颗粒薄膜 高强高模聚乙烯(UHMWPE) 锂离子电池隔膜 热收缩

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常压化学气相沉积硅镀膜玻璃结构、表面形貌与光学性能比较研究

10

作者 莫建良 朱文斌 +3 位作者 刘峰 王昕 张溪文 韩高荣 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 2000年第z2期646-649,共4页

本文通过高分辨电镜(HREM)、原子力显微镜(AFM)分析,反射率、透射率测试以及薄膜厚度的测试,研究了常压化学气相沉积法硅镀膜玻璃硅薄膜的结构、表面形貌(颗粒数量、大小和分布)对镀膜玻璃反射率、透射率的影响.研究发现不同的制备工艺... 本文通过高分辨电镜(HREM)、原子力显微镜(AFM)分析,反射率、透射率测试以及薄膜厚度的测试,研究了常压化学气相沉积法硅镀膜玻璃硅薄膜的结构、表面形貌(颗粒数量、大小和分布)对镀膜玻璃反射率、透射率的影响.研究发现不同的制备工艺(沉积温度和基板走速)对薄膜的平均反射率和平均透过率有很大的影响,通过控制合适的工艺参数可以制得具有纳米颗粒镶嵌结构的复合薄膜.具有此种形貌结构的薄膜能在基本部增大透过率的情况下有效减少薄膜镜面反射,减少光污染. 展开更多

关键词 常压化学气相沉积 硅镀膜玻璃 表面形貌 光污染

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重掺硅片表面APCVD法生长SiO_(2)薄膜的致密性

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作者 史延爽 王浩铭 +2 位作者 田原 张旭 武永超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期544-548,共5页

在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO_(2)薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 c... 在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO_(2)薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 cm)n型硅片表面生长SiO_(2)薄膜,首先研究不同沉积温度、SiH_(4)和O_(2)的体积流量比对沉积速率和SiO_(2)薄膜致密性的影响,进一步探究了不同退火温度对SiO_(2)薄膜致密性的影响,以期获得致密性较高的SiO_(2)薄膜。采用HF腐蚀速率法表征其致密性,采用扫描电子显微镜(SEM)观察SiO_(2)薄膜的表面形貌,采用F50膜厚测试仪测试SiO_(2)薄膜的厚度。结果表明,沉积温度为400℃,SiH_(4)和O_(2)的体积流量比为1∶10,退火温度为1100℃时,制备的SiO_(2)薄膜的致密性为0.096 nm/s(采用体积分数为1%的HF腐蚀)。 展开更多

关键词 常压化学气相沉积(apcvd)法 SiO_(2)薄膜 致密性 自掺杂 沉积速率

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薄膜制备方法及其结晶行为对卤化物钙钛矿X射线探测器成像性能的影响研究综述

12

作者 偰航 靳志文 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第7期1100-1120,共21页

X射线探测器在医疗诊断、安全检查、工业探伤和科学研究等领域发挥着至关重要的作用。卤化物钙钛矿(HPs)因X射线吸收系数大、载流子扩散长度长、发光性能优异等特点,在高性能X射线探测领域引起了广泛关注。HPs制备方式灵活,能够方便地... X射线探测器在医疗诊断、安全检查、工业探伤和科学研究等领域发挥着至关重要的作用。卤化物钙钛矿(HPs)因X射线吸收系数大、载流子扩散长度长、发光性能优异等特点,在高性能X射线探测领域引起了广泛关注。HPs制备方式灵活,能够方便地加工为多晶膜、晶片等形态。然而,不同制备方法及其结晶行为将导致活性层内的结晶取向、晶界数目、裂纹针孔等器件缺陷以不同的形态分布,显著影响了载流子和闪烁光的传输,对器件的性能产生了很大的影响。因此,阐明不同制备方法中的结晶行为并提出合适的调控方案十分必要。本文系统地梳理了现阶段基于不同制备方法的HPs X射线探测器的研究进展:1)介绍了湿化学法构筑的X射线探测器及结晶调控策略;2)探讨了压膜法中的结晶调控策略、离子迁移的抑制措施及闪烁体晶片探索;3)回顾了气相沉积过程的结晶理论、闪烁体性能提升方案及直接型探测应用的尝试。最后,指出了进一步提高HPs X射线探测器性能表现所面临的挑战与未来展望。 展开更多

关键词 卤化物钙钛矿 湿化学法 压膜法 气相沉积法 结晶动力学 结晶调控 X射线成像

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铝基APCVD沉积SiO_x膜层的光学性能研究 被引量：1

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作者 张际亮 沃银花 +2 位作者 郦剑 甘正浩 徐亚伯 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1243-1246,共4页

采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60～1∶1.... 采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60～1∶1.75,硅氧化物陶瓷膜层大部分为非晶态组织,包含少量局部有序区域.SiOx陶瓷膜层沉积在铝基上后具有很高的紫外-可见光吸收率和较高的近红外光吸收率,产生机制是硅氧化物陶瓷膜层中氧空位存在局域电子态,电子吸收能量产生能级跃迁. 展开更多

关键词 常压化学气相沉积(apcvd) 铝基SiOx膜层 显微结构 光学性能

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APCVD法制备Nb∶TiO_2薄膜及其光电性能 被引量：3

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作者 杨磊 刘涌 +5 位作者 王慷慨 丛炳俊 程波 陆妍 林俊君 宋晨路 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期526-529,541,共5页

透明导电氧化物（TCO）薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功... 透明导电氧化物（TCO）薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功制备出了颗粒均匀细小致密的NTO薄膜,探索出最佳反应温度为500℃～550℃,通过高真空退火的方式改善了薄膜晶体质量,光学透过率获得大幅提升,与经过掺杂但未经过H2退火的Nb∶TiO2薄膜和经过H2退火但未掺杂的TiO2薄膜相比较,经过掺杂和H2退火的Nb∶ TiO2薄膜其电学性能得到明显改善. 展开更多

关键词 透明导电氧化物薄膜 常压化学气相沉积 晶体质量 光电性能

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介电衬底上利用常压CVD直接生长石墨烯复合纳米银表面增强拉曼研究 被引量：2

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作者 程淏泽 刁航 +9 位作者 张召凯 张菀颖 姜凯 张闽 张杰 陈昕 朴贤卿 蔺博 敬承斌 宋也男 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期387-396,共10页

目的为了进一步完善Ag基表面增强拉曼(SERS)基底,提升其性能,设计了制备SERS基底的新型方法,采用2种方法制备分别得到转移石墨烯纳米银复合SERS基底(Transfer-G/Ag/SiO_(2)基底)和纳米银石墨烯复合基底(Ag/G/SiO_(2)基底),并对2种基底... 目的为了进一步完善Ag基表面增强拉曼(SERS)基底,提升其性能,设计了制备SERS基底的新型方法,采用2种方法制备分别得到转移石墨烯纳米银复合SERS基底(Transfer-G/Ag/SiO_(2)基底)和纳米银石墨烯复合基底(Ag/G/SiO_(2)基底),并对2种基底的增强效果从增强因子、热稳定性、重复性的角度进行比较。方法使用常压化学气相沉积(APCVD)在二氧化硅和铜表面同时生长石墨烯,使用多元醇水热法制备纳米银,前者与纳米银复合得到Ag/G/SiO_(2)基底,后者将生长出的石墨烯转移后与纳米银制备得到Transfer-G(Cu)/Ag/SiO_(2)基底,以传统方法制备的Transfer-G/Ag/SiO_(2)基底为对照,评价制备的Ag/G/SiO_(2)基底的增强性能。结果使用拉曼测试平台选用低功率532 nm激光测量10^(-6)mol/L罗丹明6G(R6G)探针分子的SERS拉曼光谱,比较2种基底的性能。计算得到2种基底基于10^(-6)mol/L R6G的增强因子,Transfer-G/Ag/SiO_(2)基底的增强因子为9.93×10^(5),Ag/G/SiO_(2)基底的增强因子为9.23×10^(5)。测试Ag/G/SiO_(2)的稳定性得到,在611、1362、1648 cm^(-1)处特征峰的RSD值分别为9.80%、14.08%、18.18%,数值均低于20%,甚至在611 cm^(-1)和1362 cm^(-1)处的RSD值分别低于10%和15%。结论Ag/G/SiO_(2)基底的SERS效果与传统方法制备的Transfer-G(Cu)/Ag/SiO_(2)基底相比增强效果同样显著,表现在:两者增强因子基本相同,且都具有很好的热稳定性、均匀性和高度重复性。由于使用水热法提高了纳米银的制备效率,并且石墨烯生长避免转移过程,减少对石墨烯的物理损伤和化学药品的化学损伤,确保原位生长石墨烯的质量,进而提高Ag/G/SiO_(2)基底的性能,为快速制备高性能SERS基底提供可行方法。 展开更多

关键词 介电衬底 石墨烯 常压化学气相沉积 纳米银 表面增强拉曼

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工作气体对APCVD石墨烯薄膜生长和性能的影响 被引量：1

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作者 刘庆渊 苏东艺 彭继华 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期2315-2321,共7页

以铜箔为基底,采用常压化学气相沉积(APCVD)方法制备石墨烯,控制总气体流量不变,改变甲烷流量(甲烷流量与总气体流量之比),利用RAMAN、SEM、分光光度计、四探针电阻率测试仪等对样品的形貌、结构、透光率及导电性能进行表征,讨论甲烷流... 以铜箔为基底,采用常压化学气相沉积(APCVD)方法制备石墨烯,控制总气体流量不变,改变甲烷流量(甲烷流量与总气体流量之比),利用RAMAN、SEM、分光光度计、四探针电阻率测试仪等对样品的形貌、结构、透光率及导电性能进行表征,讨论甲烷流量比改变对石墨烯生长过程和性能的影响。结果表明:甲烷流量比越大,甲烷分解出的碳原子越多,铜箔表面覆盖石墨烯越完整。当甲烷流量比增加到一定程度时,会得到过量的碳原子形成碳原子团聚集在铜箔表面。甲烷流量比越大,所制备的石墨烯I_D/I_G比值越大,缺陷越多,导电性降低。石墨烯的透光性受到层数和缺陷的制约,当甲烷流量比为20%时,透光率最高,波长550 nm处透光率达到86%。 展开更多

关键词 石墨烯 常压化学气相沉积(apcvd) 生长过程 光电性能

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ZnS的不同制备方法及性能的对比 被引量：15

17

作者 郑修麟 刘正堂 憨勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 1995年第4期35-38,共4页

综述了多晶ZnS块材料的两种制备方法——热压法和化学气相沉积法的优劣,对两种方法所获材料的光学性能、热学性能、力学性能、热冲击抗力、雨蚀抗力、固体颗粒冲击抗力及化学性能进行了比较。

关键词 热压法 化学气相沉积法 制备 性能 硫化锌

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HP40钢表面沉积SiO_2功能涂层工艺 被引量：8

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作者 罗小秋 黄志荣 +1 位作者 孙启凤 黄青 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期40-42,53,共4页

以正硅酸乙酯为源物质,空气为载气,采用常压化学气相沉积法在HP40(25Cr35Ni)合金钢基体上制备了SiO2涂层;研究了沉积温度、源物质温度以及气体流量等工艺参数对沉积速率的影响,并通过XRD和SEM分析了涂层的物相组成及表面形貌。结果表明... 以正硅酸乙酯为源物质,空气为载气,采用常压化学气相沉积法在HP40(25Cr35Ni)合金钢基体上制备了SiO2涂层;研究了沉积温度、源物质温度以及气体流量等工艺参数对沉积速率的影响,并通过XRD和SEM分析了涂层的物相组成及表面形貌。结果表明:用此方法可在HP40钢表面沉积出表面均匀致密且与基体具有一定结合强度的涂层,较合理的工艺参数为源物质温度60℃、沉积温度800℃、气体流量3.33 L.min-1。 展开更多

关键词 常压化学气相沉积法 SiO2涂层 HP40钢 沉积速率

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晶相形成对TiSi_2薄膜光学性能的影响 被引量：2

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作者 杜军 杜丕一 +4 位作者 韩高荣 翁文剑 汪建勋 郝鹏 黄燕飞 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1185-1190,共6页

通过常压CVD方法由SiH4和TiCl4直接在玻璃基板上成功制备了TiSi2薄膜，用XRD、FESEM、四探针测阻仪和分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学和光学性能。研究表明TiSi2薄膜的晶相是面心正交刊TiSi2；薄膜的电阻率直接由晶相的形成决... 通过常压CVD方法由SiH4和TiCl4直接在玻璃基板上成功制备了TiSi2薄膜，用XRD、FESEM、四探针测阻仪和分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学和光学性能。研究表明TiSi2薄膜的晶相是面心正交刊TiSi2；薄膜的电阻率直接由晶相的形成决定，受晶相颗粒大小和晶相致密度控制，TiSi2薄膜的电阻率随薄膜中TiSi2晶相含量的增大而下降。TiSi2薄膜在400—750nm范围的可见光区具有大致相同的透射比和最小的反射比，薄膜的透射比随薄膜厚度的增加而减小。在大于750nm的红外区，薄膜电阻率越小，对红外辐射的反射比越高，且随着波长增加至25000nm，TiSi2薄膜的反射比逐渐上升到约0．95。 展开更多

关键词 常压化学气相沉积 硅化钛 薄膜 电阻率

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石墨烯保护层对铜电化学腐蚀行为的影响研究 被引量：2

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作者 马琼 章海霞 +3 位作者 郭俊杰 黄增鑫 王永祯 许并社 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期845-849,854,共6页

以铜箔为基底通过常压化学气相沉积法制备了高质量、连续的少层石墨烯。采用极化曲线和电化学阻抗谱对纯铜箔及石墨烯/铜样品在0.1 mol/L NaCl溶液中的抗腐蚀性能进行了研究。结果表明,石墨烯/铜样品的自腐蚀电位比纯铜箔的高0.114 V,... 以铜箔为基底通过常压化学气相沉积法制备了高质量、连续的少层石墨烯。采用极化曲线和电化学阻抗谱对纯铜箔及石墨烯/铜样品在0.1 mol/L NaCl溶液中的抗腐蚀性能进行了研究。结果表明,石墨烯/铜样品的自腐蚀电位比纯铜箔的高0.114 V,腐蚀电流密度较纯铜箔的低1个数量级,极化电阻较纯铜箔的高4.4倍,阻抗模值比纯铜箔的提高了约1个数量级。因此,石墨烯可以作为铜表面的保护层,抑制铜在NaCl溶液中发生电化学反应,从而增强铜的抗腐蚀性能。 展开更多

关键词 常压化学气相沉积 石墨烯 电化学测试 抗腐蚀性能

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