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用常压化学气相沉积法制备SiO_2/S复合涂层的研究 被引量:8
1
作者 周建新 徐宏 +1 位作者 刘京雷 戚学贵 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期11-13,共3页
以二甲基二硫(DMDS)和正硅酸乙酯(TEOS)为反应物,采用常压化学气相沉积法在HP40合金基体上成功制备了SiO2/S复合涂层。采用扫描电子显微镜(SEM)及其附带能谱仪(EDAX)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman光谱等技术对涂层的形貌... 以二甲基二硫(DMDS)和正硅酸乙酯(TEOS)为反应物,采用常压化学气相沉积法在HP40合金基体上成功制备了SiO2/S复合涂层。采用扫描电子显微镜(SEM)及其附带能谱仪(EDAX)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman光谱等技术对涂层的形貌、元素成分、结构进行了表征,并对反应机理做了初步探讨。结果表明,SiO2/S复合涂层为无定形结构,主要由Si-O四面体的变形结构组成,S以S4及+4价状态与Si-O四面体的变形结构结合,涂层完整、致密。 展开更多
关键词 化学沉积(apcvd) SiO2/S复合涂层 HP40合金
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纳米多孔硅基薄膜的常压等离子体化学气相沉积过程研究 被引量:3
2
作者 夏磊 周荃 +1 位作者 徐金洲 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期117-121,共5页
采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下... 采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下获得了由Si基组成的絮状多孔纳米结构薄膜.通过等离子体发射光谱测定了沉积过程中的电子温度在2.2eV左右,扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜表面形貌后肯定了偏压对薄膜纳米结构的形成起着重要的作用. 展开更多
关键词 等离子体化学沉积(APECVD) 多孔硅基薄膜 负偏 荧光(PL)
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常压等离子体化学气相沉积制备UHMWPE/SiO_xC_yH_z锂离子杂化隔膜 被引量:5
3
作者 王超梁 彭释 +2 位作者 戴协 石建军 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期179-184,共6页
采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)方法裂解六甲基二硅氧烷(HMDSO),在高强高模聚乙烯(UHMWPE)隔膜表面进行沉积,形成双面微纳米颗粒膜涂覆的UHMWPE/SiO_xC_yH_z杂化隔膜,并分别通过扫描电子显微镜(SEM)、衰减全反射傅里叶变换红外光... 采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)方法裂解六甲基二硅氧烷(HMDSO),在高强高模聚乙烯(UHMWPE)隔膜表面进行沉积,形成双面微纳米颗粒膜涂覆的UHMWPE/SiO_xC_yH_z杂化隔膜,并分别通过扫描电子显微镜(SEM)、衰减全反射傅里叶变换红外光谱(ATR-FTIR)、热性能测试方法等,研究了不同O2/HMDSO流量比对杂化隔膜结构与热性能的影响.研究结果表明,沉积薄膜为具有一定结晶特性的SiO_xC_yH_z微纳米颗粒薄膜,具有较好的多孔特性及与UHMWPE隔膜纤维的黏结.随着O2/HMDSO流量比的增加,在颗粒薄膜的亲水性、透气率及对隔膜的覆盖率提高的同时,明显地改善了杂化隔膜的耐热收缩性能,120℃下热处理30 min,热收缩率仅为2%左右,在具有较高耐热性要求的锂离子动力电池隔膜方面具有很好的应用前景. 展开更多
关键词 等离子体化学沉积(APECVD) SiOxCyHz多孔纳米颗粒薄膜 高强高模聚乙烯(UHMWPE) 锂离子电池隔膜 热收缩
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常压化学气相沉积硅镀膜玻璃结构、表面形貌与光学性能比较研究
4
作者 莫建良 朱文斌 +3 位作者 刘峰 王昕 张溪文 韩高荣 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 2000年第z2期646-649,共4页
本文通过高分辨电镜(HREM)、原子力显微镜(AFM)分析,反射率、透射率测试以及薄膜厚度的测试,研究了常压化学气相沉积法硅镀膜玻璃硅薄膜的结构、表面形貌(颗粒数量、大小和分布)对镀膜玻璃反射率、透射率的影响.研究发现不同的制备工艺... 本文通过高分辨电镜(HREM)、原子力显微镜(AFM)分析,反射率、透射率测试以及薄膜厚度的测试,研究了常压化学气相沉积法硅镀膜玻璃硅薄膜的结构、表面形貌(颗粒数量、大小和分布)对镀膜玻璃反射率、透射率的影响.研究发现不同的制备工艺(沉积温度和基板走速)对薄膜的平均反射率和平均透过率有很大的影响,通过控制合适的工艺参数可以制得具有纳米颗粒镶嵌结构的复合薄膜.具有此种形貌结构的薄膜能在基本部增大透过率的情况下有效减少薄膜镜面反射,减少光污染. 展开更多
关键词 化学沉积 硅镀膜玻璃 表面形貌 光污染
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常压化学气相沉积法制备SnO_2微纳米材料及其催化发光性质研究 被引量:1
5
作者 余凌竹 鲁建 +1 位作者 路姣 孟国龙 《电子显微学报》 CAS CSCD 2016年第6期482-489,共8页
本文利用一种简单的常压化学气相沉积法在氧化石墨烯基底上制备SnO_2材料。通过改变沉积参数(氯化亚锡溶液浓度和沉积时间)得到了多种形貌的SnO_2微纳米材料。利用SEM,EDS和XPS对其形貌,成分及元素价态进行表征,并对SnO_2材料的催化发... 本文利用一种简单的常压化学气相沉积法在氧化石墨烯基底上制备SnO_2材料。通过改变沉积参数(氯化亚锡溶液浓度和沉积时间)得到了多种形貌的SnO_2微纳米材料。利用SEM,EDS和XPS对其形貌,成分及元素价态进行表征,并对SnO_2材料的催化发光性能进行测试。结果表明,以该材料建立的催化发光气体传感器分别对进样2μL的甲醇,乙醇,异丙醇和丙酮展示了较高的灵敏度,快的响应速度及好的重现性。 展开更多
关键词 化学沉积 SNO2 催化发光 VOCS
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基于常压等离子体引发化学气相沉积法锡/碳/TiO_(2)纳米纤维的制备及其沉积参数探究 被引量:1
6
作者 唐海军 夏鑫 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期160-163,170,共5页
为研究等离子体引发化学气相沉积(PECVD)实验中距离和功率对基底材料以及生成的二氧化钛(TiO_(2))纳米颗粒形貌结构的影响,通过自主研发的常压PECVD(AP-PECVD)设备,以钛酸丁酯为钛源,在锡/碳(Sn/C)纳米纤维表面沉积大量的TiO_(2)纳米颗... 为研究等离子体引发化学气相沉积(PECVD)实验中距离和功率对基底材料以及生成的二氧化钛(TiO_(2))纳米颗粒形貌结构的影响,通过自主研发的常压PECVD(AP-PECVD)设备,以钛酸丁酯为钛源,在锡/碳(Sn/C)纳米纤维表面沉积大量的TiO_(2)纳米颗粒。通过扫描电镜和透射电镜观察了Sn/C/TiO_(2)纳米纤维的形貌结构,采用X射线衍射仪研究了Sn/C/TiO_(2)纳米纤维的晶形结构。结果表明:自主研发的设备沉积了大量的纳米颗粒;通过对功率和距离参数变化后沉积的Sn/C/TiO_(2)纳米纤维测试发现,当功率为100W、距离为7mm时,沉积上的纳米颗粒直径在10~30nm之间,纳米纤维形貌保持良好,纤维内部结构基本没有被破坏;沉积上的TiO_(2)纳米颗粒为非晶结构。 展开更多
关键词 等离子体引发化学沉积 沉积参数 锡碳纳米纤维 二氧化钛纳米颗粒
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常压化学汽相沉积TiO_x纳米光学薄膜及其用于太阳电池减反射膜的研究 被引量:5
7
作者 杨宏 王鹤 +3 位作者 于化丛 奚建平 胡宏勋 陈光德 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期437-440,共4页
报道了用常压化学汽相沉积 (APCVD)工艺制备TiOx 纳米光学薄膜的研究结果 ,讨论了衬底温度对薄膜结构及折射率的影响 ,实验验证了太阳电池对光学减反射膜的理论要求 ,优化了工艺条件 ,制备的TiOx 纳米光学薄膜性能稳定 ,大面积颜色均匀... 报道了用常压化学汽相沉积 (APCVD)工艺制备TiOx 纳米光学薄膜的研究结果 ,讨论了衬底温度对薄膜结构及折射率的影响 ,实验验证了太阳电池对光学减反射膜的理论要求 ,优化了工艺条件 ,制备的TiOx 纳米光学薄膜性能稳定 ,大面积颜色均匀一致。采用该工艺制备的TiOx 减反射膜能使单晶硅太阳电池光电转换效率平均增加 10 %。 展开更多
关键词 化学沉积 光学薄膜 减反射膜 钛氧化合物 太阳能电池
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常压化学气相渗透制备Nextel 480/SiO_2复合材料 被引量:2
8
作者 陈照峰 张立同 +2 位作者 成来飞 肖鹏 张显 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期659-661,共3页
Continuous oxide fiber/oxide matrix composites are attractive for use as high temperature structural materials. As SiO2 has good ablation-resistant property and high temperature dielectric property, it is an ideal pro... Continuous oxide fiber/oxide matrix composites are attractive for use as high temperature structural materials. As SiO2 has good ablation-resistant property and high temperature dielectric property, it is an ideal protective material for missile and antenna window. At present, 3D SiO2 matrix composites reinforced by silica fibers and high Si-O fibers are manufactured by impregnating the preform in colloidal aqueous silica sol repeatedly and then by sintering; C fiber reinforced SiO2 matrix composites are processed by infiltration of silica slurry and then hot-pressing. It is well known that CVI (Chemical Vapor Infiltration) is a near-net-shape and flexible process, which can be applied to preforms of complex and different shape. However, to our best knowledge, CVI has not been used to manufacture fiber-reinforced SiO2 matrix composites. In this article, APCVI (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Infiltration) was used to manufacture Nextel 480/silica composites. The Nextel 480 fiber is a boria rich mullite composition containing 70wt%alumina, SiO228wt%silica, and 2wt%boria. TEOS (Tetra ethyl ortho silicate) was used as precursor. Argon was used as carrier gas. The phases were detected by X-ray diffractometer (XRD, Rigaku D/MAX-3C). The microstructures were examined by scanning electron microscopy (SEM, JEOL JXA-840). Fig.1 shows the relation of deposition rate versus deposition temperature for two different diameters of deposition furnace. The deposition rate was determined by weighing the samples before and after deposition. The results indicate that the deposition rate of silica increases with increasing temperature in the range of 400~750℃ and decreases with increasing temperature in the range of 750850℃. We found that the sample deposited at 750℃ had a smooth surface and the single filament fiber was clearly seen by SEM (Fig.2(a)). But the surface of another sample deposited at 800℃ was rough due to the piling up of SiO2 powder, which was very weakly bonded with the fiber preform and dropped easily even when lightly touched (Fig.2(b)). The transitional products of TEOS at 750℃ are liquid phase, which adheres to the fiber surface and keeps on decomposing to form the core of silica and ultimately solid silica results. Both the surface of the transitional liquid phase products and the fiber surfaces are well wetted, the bonding among silica particles formed after complete decomposition is strong and the silica surface is homogeneous and smooth. When the deposition temperature is 800℃, the solid silica is formed directly from vapor phase; the piling up of SiO2 powders on the surface of the preform made it very difficult for subsequent vapor to infiltrate and caused low deposition rate. The relatively lower temperature of 750℃ is the key in CVI processing. Fig.1 shows that the deposition rate is also dramatically affected by the inner diameter of deposition reactor. When the inner diameter decreases, the deposition rate increases, other deposition conditions being the same. The deposition rate in 12 mm-inner-diameter reactor is twice as high as that in 17 mm-inner-diameter reactor at 750℃. It indicates that the deposition process is controlled by mass transfer, which can create homogeneous and smooth film and is beneficial to fabricating fiber-reinforced silica matrix composites. Fig.3 shows the microstructure of the cross-sectional surface of the composites fabricated under the following conditions: carrier gas 400ml/min, TEOS 50℃, deposition temperature 750℃ and deposition time 60h. The silica coating is about 2.4 μm in thickness and the deposition rate is about 0.04μm per hour. It is found that each fiber is surrounded homogeneously by silica matrix and there are no cracks on the surface of the silica matrix. It indicates that good thermal match exists between the Nextel 480 fibers and silica matrix and that consequently high temperature or thermal shock produces only very small thermal stresses in the as-fabricated composites; thus life of the composites is prolonged. Fig.4 shows the XRD 展开更多
关键词 氯化物陶瓷基复合材料 化学渗透 制备 SIO2 二氧化硅 正硅酸乙酯
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常压等离子体增强化学气相沉积法表面功能化聚酯织物 被引量:1
9
作者 K. H. Kale S. S. Palaskar +1 位作者 刘鹏(译) 罗艳(校) 《国际纺织导报》 2012年第4期39-40,42,共3页
对于纺织材料的表面改性来说,等离子体技术正成为一种新兴且环境友好的技术。等离子体技术在纺织品表面可沉积具有特殊功能的薄膜。阐述了一种常压等离子体增强化学气相沉积法表面改性100%聚酯织物的新型方法。通过傅里叶变换红外光谱... 对于纺织材料的表面改性来说,等离子体技术正成为一种新兴且环境友好的技术。等离子体技术在纺织品表面可沉积具有特殊功能的薄膜。阐述了一种常压等离子体增强化学气相沉积法表面改性100%聚酯织物的新型方法。通过傅里叶变换红外光谱研究了沉积于样品表面上相对于放电功率的等离子体聚合物化学和结构性质。采用雾化试验和接触角测量赋予织物诸如疏水等的功能特性。 展开更多
关键词 等离子体 表面改性 等离子体增强化学沉积
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采用紫外激光引发聚合乙炔基三甲基硅烷常压化学气相沉积聚碳硅烷薄膜
10
作者 彭补之 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期77-77,共1页
关键词 紫外激光 引发聚合 乙炔基三甲基硅烷 化学沉积 聚碳硅烷薄膜
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铝基APCVD沉积SiO_x膜层的光学性能研究 被引量:1
11
作者 张际亮 沃银花 +2 位作者 郦剑 甘正浩 徐亚伯 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1243-1246,共4页
采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60~1∶1.... 采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60~1∶1.75,硅氧化物陶瓷膜层大部分为非晶态组织,包含少量局部有序区域.SiOx陶瓷膜层沉积在铝基上后具有很高的紫外-可见光吸收率和较高的近红外光吸收率,产生机制是硅氧化物陶瓷膜层中氧空位存在局域电子态,电子吸收能量产生能级跃迁. 展开更多
关键词 化学沉积(apcvd) 铝基SiOx膜层 显微结构 光学性能
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重掺硅片表面APCVD法生长SiO_(2)薄膜的致密性
12
作者 史延爽 王浩铭 +2 位作者 田原 张旭 武永超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期544-548,共5页
在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO_(2)薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 c... 在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO_(2)薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 cm)n型硅片表面生长SiO_(2)薄膜,首先研究不同沉积温度、SiH_(4)和O_(2)的体积流量比对沉积速率和SiO_(2)薄膜致密性的影响,进一步探究了不同退火温度对SiO_(2)薄膜致密性的影响,以期获得致密性较高的SiO_(2)薄膜。采用HF腐蚀速率法表征其致密性,采用扫描电子显微镜(SEM)观察SiO_(2)薄膜的表面形貌,采用F50膜厚测试仪测试SiO_(2)薄膜的厚度。结果表明,沉积温度为400℃,SiH_(4)和O_(2)的体积流量比为1∶10,退火温度为1100℃时,制备的SiO_(2)薄膜的致密性为0.096 nm/s(采用体积分数为1%的HF腐蚀)。 展开更多
关键词 化学沉积(apcvd)法 SiO_(2)薄膜 致密性 自掺杂 沉积速率
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常压等离子体表面功能性涂层
13
作者 M.Ramm A.Pfuch +3 位作者 O.Beier S.Spange A.Schimanski 陈霏羽 《国际纺织导报》 2015年第4期50-52,54,共4页
虽然固体表面总量很小,但却几乎影响整个固体100%的特性。以碳氮化钛涂层钻头为例,若无表面处理,则将无法实现现有的使用寿命。在改性玻璃板作用下,通过入射光的反射或透射可显著影响室内气候。随着对表面改性认知的稳定增长,其在价值... 虽然固体表面总量很小,但却几乎影响整个固体100%的特性。以碳氮化钛涂层钻头为例,若无表面处理,则将无法实现现有的使用寿命。在改性玻璃板作用下,通过入射光的反射或透射可显著影响室内气候。随着对表面改性认知的稳定增长,其在价值创造链中占据了关键的战略地位。介绍了通过常压等离子体涂层进行表面处理的APCVD和CCVD方法。通过此法,有望进一步创造新型纳米尺度的复合涂层体系,扩大可处理纺织品的种类,开发可利用的全新领域,同时也呈现了新领域部署而产生的挑战性。 展开更多
关键词 涂层 等离子体化学沉积 燃烧化学沉积 表面改性
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常压内联等离子体涂层特制表面
14
作者 M.Ramm A.Pfuch +3 位作者 O.Beier S.Spange A.Schimanski 张恒頔 《国际纺织导报》 2014年第8期42-44,46,共4页
介绍了常压下用等离子体以APCVD和CCVD法进行的表面涂层处理。鉴于此,可能将在纳米范围内创建新的复合涂层系统。扩大织物可处理基材的范围,不仅开拓了全新的应用领域,也呈现了开发这些技术用于创立新领域的挑战。
关键词 等离子体沉积技术 燃烧化学沉积技术 纱线 织物 SiOx涂层
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晶相形成对TiSi_2薄膜光学性能的影响 被引量:2
15
作者 杜军 杜丕一 +4 位作者 韩高荣 翁文剑 汪建勋 郝鹏 黄燕飞 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1185-1190,共6页
通过常压CVD方法由SiH4和TiCl4直接在玻璃基板上成功制备了TiSi2薄膜,用XRD、FESEM、四探针测阻仪和分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学和光学性能。研究表明TiSi2薄膜的晶相是面心正交刊TiSi2;薄膜的电阻率直接由晶相的形成决... 通过常压CVD方法由SiH4和TiCl4直接在玻璃基板上成功制备了TiSi2薄膜,用XRD、FESEM、四探针测阻仪和分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学和光学性能。研究表明TiSi2薄膜的晶相是面心正交刊TiSi2;薄膜的电阻率直接由晶相的形成决定,受晶相颗粒大小和晶相致密度控制,TiSi2薄膜的电阻率随薄膜中TiSi2晶相含量的增大而下降。TiSi2薄膜在400—750nm范围的可见光区具有大致相同的透射比和最小的反射比,薄膜的透射比随薄膜厚度的增加而减小。在大于750nm的红外区,薄膜电阻率越小,对红外辐射的反射比越高,且随着波长增加至25000nm,TiSi2薄膜的反射比逐渐上升到约0.95。 展开更多
关键词 化学沉积 硅化钛 薄膜 电阻率
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多晶SiC/多孔硅结构材料的APCVD生长及表征 被引量:1
16
作者 贾护军 杨银堂 李跃进 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期298-300,330,共4页
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶... 采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶硅薄膜,随着孔隙率的增加,生长薄膜由富碳多孔SiC向多晶SiC薄膜过渡,表面平整度增加,并具有<111>晶向择优生长的特点. 展开更多
关键词 多晶碳化硅薄膜 多孔硅 化学淀积 生长 表征
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APCVD法制备Nb∶TiO_2薄膜及其光电性能 被引量:3
17
作者 杨磊 刘涌 +5 位作者 王慷慨 丛炳俊 程波 陆妍 林俊君 宋晨路 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期526-529,541,共5页
透明导电氧化物(TCO)薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功... 透明导电氧化物(TCO)薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功制备出了颗粒均匀细小致密的NTO薄膜,探索出最佳反应温度为500℃~550℃,通过高真空退火的方式改善了薄膜晶体质量,光学透过率获得大幅提升,与经过掺杂但未经过H2退火的Nb∶TiO2薄膜和经过H2退火但未掺杂的TiO2薄膜相比较,经过掺杂和H2退火的Nb∶ TiO2薄膜其电学性能得到明显改善. 展开更多
关键词 透明导电氧化物薄膜 化学沉积 晶体质量 光电性能
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热压硫化锌基底上类金刚石膜的设计与实现 被引量:1
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作者 洪伟 赵友博 +1 位作者 张铁群 隋承林 《光电技术应用》 2007年第6期41-44,共4页
讨论了在ZnS窗口和整流罩上实现DLC膜的方法,给出了膜系和实验结果.从测试结果可以看出。ZnS基片、Si膜和DLC膜在7-10μm的平均透过率比以往的双面减反射膜有了明显的提高,不仅满足了技术指标的要求,而且也有利于DLC膜应用领域的进... 讨论了在ZnS窗口和整流罩上实现DLC膜的方法,给出了膜系和实验结果.从测试结果可以看出。ZnS基片、Si膜和DLC膜在7-10μm的平均透过率比以往的双面减反射膜有了明显的提高,不仅满足了技术指标的要求,而且也有利于DLC膜应用领域的进一步拓展. 展开更多
关键词 硫化锌 类金刚石膜 化学沉积 射频等离子放电法
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APCVD制备SiOx薄膜工艺研究 被引量:1
19
作者 云娜 康洪亮 +1 位作者 高丹 佟丽英 《电子工业专用设备》 2020年第5期29-33,共5页
简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺。通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮气流量、皮带带速等工艺参数,对所沉积的氧化硅薄膜的厚度及沉积效率进行了分析研究。发现随着硅烷流量或... 简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺。通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮气流量、皮带带速等工艺参数,对所沉积的氧化硅薄膜的厚度及沉积效率进行了分析研究。发现随着硅烷流量或浓度的增加,薄膜厚度增加;SiOx的膜厚与化学输入不成正比;最大沉积厚度的O2∶SiH4比与硅烷流量无关;薄膜厚度随带速的增加而减小,薄膜厚度与带速并不成正比,相同工艺温度和硅烷输入下薄膜厚度与带速的乘积是一个常数。 展开更多
关键词 化学沉积 硅烷 膜厚 流量 沉积温度
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在不同基底上APCVD生长石墨烯及其生长机制
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作者 张召凯 宋也男 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第12期1343-1351,共9页
石墨烯的常压化学气相沉积(APCVD)生长通常在具有催化活性的Cu、铜镍(Cu-Ni)合金等金属基底表面进行,生长基底的单一性和模糊的生长机制大大限制了APCVD在石墨烯大规模制备中的应用前景。使用乙醇作为液态碳源,在石墨烯的APCVD生长过程... 石墨烯的常压化学气相沉积(APCVD)生长通常在具有催化活性的Cu、铜镍(Cu-Ni)合金等金属基底表面进行,生长基底的单一性和模糊的生长机制大大限制了APCVD在石墨烯大规模制备中的应用前景。使用乙醇作为液态碳源,在石墨烯的APCVD生长过程中,调控生长时间和生长基底,在铜箔、Cu-Ni合金和SiO_(2)/Si基底表面实现了石墨烯的可控快速生长。1 min生长时间可在铜箔和Cu-Ni合金基底上分别生长高质量均匀的单层与双层石墨烯,5 min生长时间可在不具催化活性的SiO_(2)/Si基底上完成石墨烯的生长。此外,在石墨烯生长过程中,采用气相色谱对液态碳源乙醇高温裂解后碳原子的去向进行分析,发现采用不同基底时,在APCVD乙醇裂解生长石墨烯的过程中CO和CO_(2)的体积分数存在差异,以此推断不同基底表面上石墨烯生长行为的差异和生长过程中基底起到的催化作用。此工作对探明石墨烯的APCVD生长机制以及实现SiO_(2)/Si基底上石墨烯的APCVD生长具有重要的意义。 展开更多
关键词 化学沉积(apcvd) 石墨烯 色谱 金属基底 SiO_(2)/Si
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