提出了一种新的曲率补偿带隙基准电路,首先通过一个双差分输入放大器(DDIA)来产生一个绝对温度互补电压。然后通过这个电压与另一个DDIA对曲率补偿进行微调,得到一个高阶曲率补偿的带隙基准电压。采用0.5μm CMOS工艺技术对文中所设计...提出了一种新的曲率补偿带隙基准电路,首先通过一个双差分输入放大器(DDIA)来产生一个绝对温度互补电压。然后通过这个电压与另一个DDIA对曲率补偿进行微调,得到一个高阶曲率补偿的带隙基准电压。采用0.5μm CMOS工艺技术对文中所设计的电路进行流片验证,得到在-40~125℃内,带隙基准电压源的温度系数为4.1×10-6/℃,当电源电压在2.7~5 V时,带隙基准电路的输出电压稳定在1.3 V左右。此外,该电路具有较高的电源抑制比(PSRR),当频率小于1 k Hz时,其电源抑制比为-82 d B,而当频率在10 k Hz时,其电源抑制比为-75 d B。展开更多
针对集成稳压器对精密电压基准的要求,给出了一款新型的可同时应用于DC DC,LDO和Chargepump的BiCMOS带隙基准电路设计。该设计在采用温度系数补偿产生基准电源的同时,引进了快速基准检测电路,更加保证了输出的准确性。采用TT model HSp...针对集成稳压器对精密电压基准的要求,给出了一款新型的可同时应用于DC DC,LDO和Chargepump的BiCMOS带隙基准电路设计。该设计在采用温度系数补偿产生基准电源的同时,引进了快速基准检测电路,更加保证了输出的准确性。采用TT model HSpice模型进行仿真后的结果表明,此款带隙基准电路在较宽范围内温漂不超过4 mV。展开更多
文摘提出了一种新的曲率补偿带隙基准电路,首先通过一个双差分输入放大器(DDIA)来产生一个绝对温度互补电压。然后通过这个电压与另一个DDIA对曲率补偿进行微调,得到一个高阶曲率补偿的带隙基准电压。采用0.5μm CMOS工艺技术对文中所设计的电路进行流片验证,得到在-40~125℃内,带隙基准电压源的温度系数为4.1×10-6/℃,当电源电压在2.7~5 V时,带隙基准电路的输出电压稳定在1.3 V左右。此外,该电路具有较高的电源抑制比(PSRR),当频率小于1 k Hz时,其电源抑制比为-82 d B,而当频率在10 k Hz时,其电源抑制比为-75 d B。
文摘针对集成稳压器对精密电压基准的要求,给出了一款新型的可同时应用于DC DC,LDO和Chargepump的BiCMOS带隙基准电路设计。该设计在采用温度系数补偿产生基准电源的同时,引进了快速基准检测电路,更加保证了输出的准确性。采用TT model HSpice模型进行仿真后的结果表明,此款带隙基准电路在较宽范围内温漂不超过4 mV。
