高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源 被引量：11

1

作者 吴志明 黄颖 +2 位作者 吕坚 王靓 李素 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期453-456,共4页

介绍了一种采用0.5μmCMOSN阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得... 介绍了一种采用0.5μmCMOSN阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得整个带隙基准电路具有非常高的电源抑制比。基于SPECTRE的仿真结果表明,其电源抑制比可达116dB,在-40℃～85℃温度范围内温度系数为46ppm/℃,功耗仅为1.45mW,可以广泛应用于模/数转换器、数/模转换器、偏置电路等集成电路模块中。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 互补型金属氧化物半导体 电源抑制比 温度系数

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一种新型高精度低压CMOS带隙基准电压源 被引量：4

2

作者 陈迪平 吴旭 +2 位作者 黄嵩人 季惠才 王镇道 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期48-51,共4页

为消除运算放大器失调电压对带隙电压精度的影响,采用NPN型三极管产生ΔVbe,并设计全新的反馈环路结构产生了低压带隙电压.电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,该新型低压带隙基准源设计输出电压为0.5V,温度系数为8ppm/℃,电源抑制比达... 为消除运算放大器失调电压对带隙电压精度的影响,采用NPN型三极管产生ΔVbe,并设计全新的反馈环路结构产生了低压带隙电压.电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,该新型低压带隙基准源设计输出电压为0.5V,温度系数为8ppm/℃,电源抑制比达到-130dB,并成功运用于16位高速ADC芯片中. 展开更多

关键词 带隙基准电压源 低压 正温度系数 负温度系数 电源抑制比

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一种适应于低电压工作的CMOS带隙基准电压源 被引量：4

3

作者 李树荣 李丹 +1 位作者 王亚杰 姚素英 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期119-123,共5页

采用0．5μm标准的CMOS数字工艺,设计了一种适用于低电压工作的带隙基准电压源．其特点为通过部分MOS管工作在亚阈值区,可使电路使用非低压制造工艺,在1．5 V的低电源电压下工作．该电压源具有结构简单、低功耗以及电压温度稳定性好的... 采用0．5μm标准的CMOS数字工艺,设计了一种适用于低电压工作的带隙基准电压源．其特点为通过部分MOS管工作在亚阈值区,可使电路使用非低压制造工艺,在1．5 V的低电源电压下工作．该电压源具有结构简单、低功耗以及电压温度稳定性好的特点．模拟结果表明,其电源抑制比可达到88 db,在-40～140℃的范围内温度系数可达到1．9×10-5／℃,电路总功耗为37．627 5 μW． 展开更多

关键词 CMOS带隙基准电压源 亚阈值区 低压

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一种高精度曲率补偿带隙基准电压源设计 被引量：6

4

作者 陈睿 丁召 +1 位作者 杨发顺 鲁冬梅 《现代电子技术》 2014年第12期140-142,147,共4页

根据带隙基准电压源的原理，基于CSMC0．5μm工艺设计了一种高精度二阶曲率补偿带隙基准电压源。利用MOS管工作在亚闽值区时漏电流和栅极电压的指数关系，在高温段对温度特性曲线进行补偿。通过Spectre仿真，得到输出基准电压为2．5V的... 根据带隙基准电压源的原理，基于CSMC0．5μm工艺设计了一种高精度二阶曲率补偿带隙基准电压源。利用MOS管工作在亚闽值区时漏电流和栅极电压的指数关系，在高温段对温度特性曲线进行补偿。通过Spectre仿真，得到输出基准电压为2．5V的电压基准源。工作电压范围为3.35～7．94V，1kHz时电源抑制比为-71．73dB，温度从-25～125℃之间变化时温度系数为7．003×10^-6℃^-1。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 曲率补偿 亚阈值区 漏极电流

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一种三阶曲率补偿带隙基准电压源的设计 被引量：11

5

作者 张献中 张涛 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2015年第1期67-71,共5页

在传统电流求和模式带隙基准电压源的基础上进行改进,设计了一种简单的三阶曲率补偿带隙基准电压源。该基准源由启动电路、低压高增益两级运算放大器、基准核心电路和高阶曲率补偿电路组成。在低温段,通过PMOS管进行二阶补偿;在高温段,... 在传统电流求和模式带隙基准电压源的基础上进行改进,设计了一种简单的三阶曲率补偿带隙基准电压源。该基准源由启动电路、低压高增益两级运算放大器、基准核心电路和高阶曲率补偿电路组成。在低温段,通过PMOS管进行二阶补偿;在高温段,通过PTAT2电流进行三阶补偿。基于CSMC 0.35μm CMOS工艺,采用Cadence软件对设计电路进行仿真分析。结果表明,在-40-125℃温度范围内,5V电源电压下,基准源输出电压为1.226V,输出电压变化范围为0.51mV,基准源的温度系数为2.5×10^-6/℃,低频时的电源抑制比为-67dB。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 高阶曲率补偿 PTAT2电流 温度系数 基准电路

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高电源抑制比、低温飘带隙基准电压源的设计 被引量：1

6

作者 高献坤 雷君召 +3 位作者 丁赪璐 周西军 李遂亮 余泳昌 《河南农业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期442-444,451,共4页

采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种电源电压为3 V、基准输出为1.25 V的高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源电路.Cadence Spectre仿真结果表明,该基准源具有较好的温度特性,在-40~125℃温度范围内,温度系数为3.5×10-6.℃... 采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种电源电压为3 V、基准输出为1.25 V的高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源电路.Cadence Spectre仿真结果表明,该基准源具有较好的温度特性,在-40~125℃温度范围内,温度系数为3.5×10-6.℃-1;电源电压在2.7~3.6 V范围内波动时,电源电压调整率为72μV.V-1;具有良好的电源电压抑制特性,最高抑制比可达89 dB,在10 kHz处可实现45 dB的电源电压抑制比. 展开更多

关键词 带隙基准电压源 温度系数 电源抑制比

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带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源设计 被引量：8

7

作者 王永顺 井冰洁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期14-18,共5页

设计了一种带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源电路，通过在特定支路上产生二阶正温度系数的电流补偿‰．的二阶负温度系数项来实现曲率补偿，从而得到更低温度系数的基准电压。同时设计了一种高效的启动电路，在电路上电时保证电路正... 设计了一种带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源电路，通过在特定支路上产生二阶正温度系数的电流补偿‰．的二阶负温度系数项来实现曲率补偿，从而得到更低温度系数的基准电压。同时设计了一种高效的启动电路，在电路上电时保证电路正常启动，电路正常工作后启动电路停止工作。该设计基于CSMC0．5μmCMOS工艺，在3．3V电源电压下，输出基准电压800mV，采用Cadence公司Spectre软件进行仿真和实验测试，结果表明，温度为-50～150℃．基准电压的温度系数为2．4×10^-6／℃，电源电压为2．5～4．5V，电压调整率为0．08％／V。该基准电压源已成功应用在DC／DC转换器中，并取得了良好的应用效果。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 曲率补偿 低温度系数 启动电路 互补型金属氧化物半导体 (CMOS)

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一种低电压低功耗带隙基准电压源的设计 被引量：2

8

作者 刘红霞 《现代电子技术》 2005年第24期10-11,共2页

在分析典型带隙基准电压源的基础上,设计了一种低电压、低功耗的带隙基准电压源,采用二次分压技术降低了输出电压;采用亚阈值技术降低了电路的电源电压,进而降低了电路的功耗,通过PSp ice的仿真证明该电压源具有较低的输出电压、较低的... 在分析典型带隙基准电压源的基础上,设计了一种低电压、低功耗的带隙基准电压源,采用二次分压技术降低了输出电压;采用亚阈值技术降低了电路的电源电压,进而降低了电路的功耗,通过PSp ice的仿真证明该电压源具有较低的输出电压、较低的功耗和较低的温度系数。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 亚阈值 二次分压 PSPICE

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1．8V高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

9

作者 方穗明 王占仓 高风 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1052-1055,共4页

通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究,设计了一种带隙基准电压源.基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明,该电路可在1.5～1.8V电压下正常工作,功耗小于0.5 mW,输出电压为1.25V,温度系数低于1.8×10^(-5)/℃... 通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究,设计了一种带隙基准电压源.基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明,该电路可在1.5～1.8V电压下正常工作,功耗小于0.5 mW,输出电压为1.25V,温度系数低于1.8×10^(-5)/℃,且低频下PSRR的值可以达到-110 dB. 展开更多

关键词 CMOS 带隙基准电压源 工作温度范围 电源抑制比 温度系数

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一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计 被引量：4

10

作者 刘军儒 牛萍娟 高铁成 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2010年第2期60-62,共3页

采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC 0.18μm CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25～115℃温度范围内电路的温漂系数为9.69×10-6/℃,电源抑制比达... 采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC 0.18μm CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25～115℃温度范围内电路的温漂系数为9.69×10-6/℃,电源抑制比达到-100 dB,电源电压在2.5～4.5 V之间时输出电压Vref的摆动为0.2 mV,是一种有效的基准电压实现方法. 展开更多

关键词 带隙基准电压源 电源抑制比 温度系数

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一种高精度带隙基准电压源设计 被引量：4

11

作者 刘军儒 牛萍娟 +1 位作者 高铁成 王亦伟 《现代电子技术》 2010年第2期1-3,共3页

提出一种采用0.35μm CMOS工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和低的温度系数。整体电路使用TSMC 0.35μm CMOS工艺,采用HSpice进行仿真。仿真结果表明,在-25^+125℃温度范围内温度系数为6.45 ppm/℃,电源抑制比达到-... 提出一种采用0.35μm CMOS工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和低的温度系数。整体电路使用TSMC 0.35μm CMOS工艺,采用HSpice进行仿真。仿真结果表明,在-25^+125℃温度范围内温度系数为6.45 ppm/℃,电源抑制比达到-101 dB,电源电压在2.5~4.5 V之间,输出电压Vref的摆动为0.1 mV,功耗为0.815 mW,是一种有效的基准电压实现方法。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 HSPICE

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一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源 被引量：12

12

作者 陈昊 张彩珍 +1 位作者 王梓淇 王永功 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期905-909,共5页

基于0.13μm CMOS工艺设计了一个高阶曲率补偿带隙基准电压源,该带隙基准电压源具有低温度系数和高电源抑制比(PSRR)。通过高阶曲率补偿电路得到低温度系数;在该带隙基准电压源的核心电路中,使电流镜管的栅源电压保持恒定值来实现在一... 基于0.13μm CMOS工艺设计了一个高阶曲率补偿带隙基准电压源,该带隙基准电压源具有低温度系数和高电源抑制比(PSRR)。通过高阶曲率补偿电路得到低温度系数;在该带隙基准电压源的核心电路中,使电流镜管的栅源电压保持恒定值来实现在一定频段下的PSRR增强。利用Cadence工具进行了仿真,并进行了流片验证,测试结果表明,该带隙基准电压源具有恒定的1.2 V基准电压,在-45~165℃内,基准电压的温度系数为3.95×10-6/℃;PSRR在10 kHz下为74.7 dB,在1 MHz下为42 dB;电路启动时间为1.4μs。该设计已应用于高精度嵌入式电源管理芯片的低压差线性稳压器中。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 高电源抑制比(PSRR) 低温度系数 曲率补偿 启动时间

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一种适用于数模转换电路的带隙基准电压源 被引量：1

13

作者 瞿美霞 尹勇生 邓红辉 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1128-1130,1144,共4页

文章设计了一种应用于D/A转换器芯片中的带隙基准电压电路,在3 V工作电压下具有极低的温度系数,输出电压低于传统带隙基准电路。该电路改进了传统带隙基准电路,减小了运放失调和电路误差,通过电阻二次分压降低了基准输出电压。在SMIC 0... 文章设计了一种应用于D/A转换器芯片中的带隙基准电压电路,在3 V工作电压下具有极低的温度系数,输出电压低于传统带隙基准电路。该电路改进了传统带隙基准电路,减小了运放失调和电路误差,通过电阻二次分压降低了基准输出电压。在SMIC 0.35μm CMOS工艺下,使用Hspice进行了仿真。仿真结果表明：该基准的温度系数在-40-100℃的范围内仅为3.6×10^-6/℃;电源电压在2.7-3.3 V之间变化时,电源抑制比为52 dB。该文设计的带隙基准电压源完全符合设计要求,是一个性能良好的基准电路。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 温度系数 基准输出 电源抑制比

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一个低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电压源的设计 被引量：2

14

作者 李娟 常昌远 李弦 《现代电子技术》 2007年第22期169-171,共3页

运用带隙基准的基本原理，采用0．6μm的CMOS工艺，对一个低压高阶曲率补偿的高性能CMOS带隙基准电压源进行研究，并结合所提出电路给出了高阶曲率补偿的数学表达式。Cadence软件仿真结果显示：电源电压最低可为1．2V，在-20～100℃温... 运用带隙基准的基本原理，采用0．6μm的CMOS工艺，对一个低压高阶曲率补偿的高性能CMOS带隙基准电压源进行研究，并结合所提出电路给出了高阶曲率补偿的数学表达式。Cadence软件仿真结果显示：电源电压最低可为1．2V，在-20～100℃温度范围内，输出电压为0．6V，温度系数为9．1ppm／℃，即基准输出电压随温度变化不超过±0．1％。低频（f=1kHz）时PSRR为-78dB。在室温电源电压为1．2V时总功耗约为38μw。整个带隙基准电压源具有良好的综合性能。 展开更多

关键词 CMOS带隙基准电压源 高阶曲率补偿 低温度系数 低电源电压

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低温度系数高电源抑制比宽频带带隙基准电压源的设计 被引量：1

15

作者 连天培 蒋品群 +2 位作者 宋树祥 蔡超波 庞中秋 《广西师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2019年第1期125-132,共8页

本文设计了一款低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源。设计采用动态阈值MOS管(DTMOS)产生温度补偿电流,以降低温漂;输出部分采用一个简单的低通滤波器,以降低高频噪声,在较宽频带内提高电源抑制比。电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工... 本文设计了一款低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源。设计采用动态阈值MOS管(DTMOS)产生温度补偿电流,以降低温漂;输出部分采用一个简单的低通滤波器,以降低高频噪声,在较宽频带内提高电源抑制比。电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,供电电源为1.8V,仿真结果表明:电路在-40～130℃温度范围内,温度系数为1.54×10-6℃-1,输出基准电压为1.154V,电源抑制比在10Hz处为-76dB,在100kHz处为-85dB,在15 MHz处为-63dB。本基准源具有较好的综合性能,可为数模转换电路、模数转换电路、电源管理芯片等提供高精度的基准电压,具有较大的应用价值。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 动态阈值MOS管

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一种高精度高阶曲率补偿型带隙基准电压源

16

作者 张兵峰 魏廷存 +1 位作者 郑然 陈升 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期638-641,共4页

设计了一种利用三极管的反向饱和电流来实现高阶曲率补偿的、具有极低温度系数的BiCMOS带隙基准电压源。通过增加由一个三极管和若干电阻形成的高阶曲率补偿电路来获得更小的温度漂移。电路采用0.8μmBiCMOS工艺实现,在5V工作电压条件... 设计了一种利用三极管的反向饱和电流来实现高阶曲率补偿的、具有极低温度系数的BiCMOS带隙基准电压源。通过增加由一个三极管和若干电阻形成的高阶曲率补偿电路来获得更小的温度漂移。电路采用0.8μmBiCMOS工艺实现,在5V工作电压条件下的仿真结果表明,在-20～+120℃的温度范围内输出电压的温度系数为5ppm/℃,与一阶补偿相比温度系数减小了90%。该电路结构简单实用,功耗较小。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 温度系数 高阶曲率补偿

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一种开关电容带隙基准电压源

17

作者 祝少良 李文昌 +3 位作者 张铁良 赵进才 刘剑 尹韬 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期879-885,共7页

设计了一款高精度、低线性调整率的开关电容带隙基准电压源。分析了NMOS开关高温漏电流对基准输出电压精度的影响,提出了一种高温漏电补偿电路。偏置电路采用多个共源共栅结构的电流镜,增大了从电源到输出的阻抗,降低了基准电压的线性... 设计了一款高精度、低线性调整率的开关电容带隙基准电压源。分析了NMOS开关高温漏电流对基准输出电压精度的影响,提出了一种高温漏电补偿电路。偏置电路采用多个共源共栅结构的电流镜,增大了从电源到输出的阻抗,降低了基准电压的线性调整率。利用虚拟管抵消了开关关断时带来的沟道电荷注入效应和时钟馈通效应,提高了基准输出电压的精度。该电路基于0.35μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,基准源能稳定输出1.1 V电压,建立时间为5.9μs;在-55~125℃,温度系数为1.38×10-5/℃;27℃下,在2.7~5 V电源电压范围内,线性调整率为0.9 mV/V;电路总静态电流为35.1μA。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 温度系数 线性调整率 开关漏电流 虚拟管

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一种阵列式版图布局的低温度系数CMOS带隙基准电压源 被引量：3

18

作者 王鹏飞 刘博 +2 位作者 段文娟 张立文 张金灿 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期24-29,共6页

设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出。后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩版图面积。基于65 nm/3.3 V CMOS RF... 设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出。后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩版图面积。基于65 nm/3.3 V CMOS RF器件模型,在Cadence IC设计平台进行原理图和电路版图设计,并对输出参考电压的精度、温度系数、电源抑制比(PSRR)和功耗特性进行了仿真分析和对比。结果表明,在3.3 V电源和27℃室温条件下,输出基准电压的平均值为765.7 mV,功耗为0.75μW;在温度为-55~125℃时,温度系数为6.85×10~(-6)/℃。此外,输出基准电压受电源纹波的影响较小,1 kHz时的PSRR为-65.3 dB。 展开更多

关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 带隙基准电压源 低温度系数 亚阈值区 晶体管阵列版图

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一个高性能带隙基准电压源的设计

19

作者 宋涟益 黄世震 《现代电子技术》 2009年第10期16-18,21,共4页

设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3ppm／℃，在电源电压2．7～3．6V范围内输出... 设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3ppm／℃，在电源电压2．7～3．6V范围内输出仅变化18μV左右。 展开更多

关键词 CMOS 带隙基准电压源 曲率补偿 电源抑制比

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非制冷红外焦平面读出电路用带隙基准电压源

20

作者 赵公元 赵毅强 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第9期2627-2632,共6页

提出了一种高精度、低功耗、小面积的电流型CMOS基准电压源以满足非制冷红外焦平面（IRFPA）读出电路对基准电压源模块的要求。设计中采用两种分别具有正负一阶温度系数的电阻,通过对基准电压源的高阶温度系数进行补偿,获得更好的温度系... 提出了一种高精度、低功耗、小面积的电流型CMOS基准电压源以满足非制冷红外焦平面（IRFPA）读出电路对基准电压源模块的要求。设计中采用两种分别具有正负一阶温度系数的电阻,通过对基准电压源的高阶温度系数进行补偿,获得更好的温度系数TC（Temperature Coefficient）。通过使用共源共栅结构代替传统的运放,节约了传统运放和偏置电路的功耗,并且具有出色的电源电压抑制比PSRR（Power Supply Reject Ratio）。该设计使用标准0.18μm CMOS工艺实现,工作电压3.3 V,-40～120℃温度范围内,输出基准电压温度系数约为3.7 ppm/℃,PSRR约为-78 d B@1 k Hz,在25℃时消耗电流6.3μA,消耗芯片面积仅230μm×100μm,所提出的电路是一种低功耗、节约面积的设计。 展开更多

关键词 红外焦平面 带隙基准电压源 高阶曲率补偿 低功耗 常数电流

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