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1.5×10^(-6)/℃高阶参考电压曲率补偿电路 被引量:1
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作者 王兴君 史凌峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期411-416,共6页
针对带隙参考电压基准温漂问题设计了一款高阶补偿电路,并采用0.5μm BCD工艺进行了验证。电路采用零温度系数(TC)电流实现一阶补偿,同时采用具有正温度系数(PTC)的双极型晶体管(BJT)实现了高阶补偿。采用HSPICE软件进行了仿真,结果表明... 针对带隙参考电压基准温漂问题设计了一款高阶补偿电路,并采用0.5μm BCD工艺进行了验证。电路采用零温度系数(TC)电流实现一阶补偿,同时采用具有正温度系数(PTC)的双极型晶体管(BJT)实现了高阶补偿。采用HSPICE软件进行了仿真,结果表明,所设计的电路参考电压正常值为1.8 V。另外,设计的电路具有1.5×10-6/℃的温度系数,在低频上具有55 d B电源抑制比(PSRR),从1.8~5 V具有0.4 m V/V的线性调整率,并得到20 f V2/Hz的输出噪声水平。提出的电路已应用在一款电源管理芯片中,且该电路可应用在多种便携式电子产品中。 展开更多
关键词 曲率补偿 参考电压(bvr) 温度系数 电源抑制比(PSRR) BCD工艺
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一种高性能BiCMOS差分参考电压源 被引量:2
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作者 赵磊 杨银堂 +1 位作者 朱樟明 刘帘曦 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期11-16,共6页
采用电流求和结构,提出了一种高性能BiCMOS差分参考电压源,引入零反馈补偿技术有效提高了差分参考电压的电源抑制比,电流求和温度补偿技术保证了差分参考电压的高精度、低温漂.基于ASMC0.35μm 3.3VBiCMOS工艺的仿真和测试结果表明,在... 采用电流求和结构,提出了一种高性能BiCMOS差分参考电压源,引入零反馈补偿技术有效提高了差分参考电压的电源抑制比,电流求和温度补偿技术保证了差分参考电压的高精度、低温漂.基于ASMC0.35μm 3.3VBiCMOS工艺的仿真和测试结果表明,在低频和100MHz时,参考差分电压对电源噪声抑制比为78.1dB和66.7dB,对地线噪声抑制比为72.4dB和63.8dB,输出差分参考电压的平均温度系数为11×10-6/℃,有效芯片面积为2.2mm2,功耗小于15mW,可应用于14位100MHz流水线模/数转换中. 展开更多
关键词 基准源 零反馈补偿 BICMOS 差分参考电压
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单电源模拟设计技术及虚地发生器的应用 被引量:2
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作者 孙全意 江小华 张河 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第12期51-53,57,共4页
对单电源模拟电路设计中的核心部件单电源放大器进行了分析并提出几点应注意的问题;介绍了TI公司的虚地发生器(TLE2425/2426)在单电源模拟电路设计中的应用,并与一般的电压参考进行了比较。
关键词 单电源运放 虚地发生器 电压参考 模拟电路设计
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