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器件级带电器件模型静电放电测试标准分析及应用: 1; 作者江徽唐震 +2 位作者王倩倩万永康虞勇坚《电子技术应用》 2025年第4期35-39,共5页; 针对器件级带电器件模型(CDM)静电放电国内外主要测试标准进行了整理、分析与解读。梳理了各标准之间的差异性和关联性,明确了各标准的应用范围与技术要点。深入研究了影响器件级带电器件模型(CDM)静电放电测试结果的因素与控制方法,提... 展开更多; 关键词带电器件模型器件级测试标准; 在线阅读下载PDF 职称材料

带电器件模型静电放电等效仿真电路与计算分析被引量：1: 2; 作者夏敏峰张宇 +2 位作者高志良冯娜万发雨《航天器环境工程》 CSCD 2024年第4期468-475,共8页; 带电器件模型(CDM)静电放电描述的是器件自身出现静电感应带电进而形成静电放电冲击的过程,是航天器电子产品地面电装/装联过程中面临的主要静电放电风险之一。针对CDM静电放电开展等效电路模型研究与设计,对其充/放电原理及发生过程进... 展开更多; 关键词静电放电静电防护带电器件模型电路分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

电子元器件静电放电模型及适用范围浅析被引量：2: 3; 作者王文双许少辉王小强《电子质量》 2005年第8期24-25,共2页; 静电损伤在电子元器件失效中一直是一个重要的失效模式,近几十年人们对电子元器件的抗静电损伤的研究中也建立了各种模拟实际环境的静电放电模型,本文将着重介绍最基本的三种针对电子元器件的静电模型的特征及静电敏感度划分。这三种基... 展开更多; 关键词静电放电人体模型机器模型带电器件模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

高阶显微分析技术在CDM失效问题上的应用: 4; 作者晁拴社林欣毅 +4 位作者何潇梅娜杨丹王梦华欧阳可青《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期934-939,共6页; 带电器件模型(CDM)是引起静电放电(ESD)失效问题的主要模型,特别是先进制程和高速射频电路,CDM的故障定位与根因分析对优化ESD设计和改善ESD防护至关重要。借助高阶显微分析技术,如等离子体聚焦离子束(PFIB)、导电原子力显微镜(C-AFM)... 展开更多; 关键词带电器件模型(cdm) 先进制程高阶显微分析技术泄放路径失效形貌; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名器件级带电器件模型静电放电测试标准分析及应用: 1; 作者江徽唐震王倩倩万永康虞勇坚; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所无锡市集成电路测试和可靠性重点实验室; 出处《电子技术应用》 2025年第4期35-39,共5页; 文摘针对器件级带电器件模型(CDM)静电放电国内外主要测试标准进行了整理、分析与解读。梳理了各标准之间的差异性和关联性,明确了各标准的应用范围与技术要点。深入研究了影响器件级带电器件模型(CDM)静电放电测试结果的因素与控制方法,提出了在标准应用过程中保障结果一致性和准确性的相关技术技巧,为器件级带电器件模型(CDM)测试标准的选择、测试和工程应用提供了指导。; 关键词带电器件模型器件级测试标准; Keywords charged device model device level test standard; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带电器件模型静电放电等效仿真电路与计算分析被引量：1: 2; 作者夏敏峰张宇高志良冯娜万发雨; 机构南京信息工程大学电子与信息工程学院北京东方计量测试研究所; 出处《航天器环境工程》 CSCD 2024年第4期468-475,共8页; 基金国家重点研发计划项目(编号:2022YFE0122700) 北京东方计量测试研究所刘尚合院士专家工作站静电研究基金项目(编号:BOIMTLSHJD20221004)。; 文摘带电器件模型(CDM)静电放电描述的是器件自身出现静电感应带电进而形成静电放电冲击的过程,是航天器电子产品地面电装/装联过程中面临的主要静电放电风险之一。针对CDM静电放电开展等效电路模型研究与设计,对其充/放电原理及发生过程进行分析;对该等效电路模型进行理论、实验与仿真研究,考察各参数对静电放电波形特性的影响。比对验证表明,等效电路的放电波形与标准波形具有较高的一致性:CDM静电放电表现为上升沿为百ps量级、最大峰值电流为数A量级、正/负周期多次振荡的冲击信号;器件自身等效电容越大则冲击脉冲越强,通路电阻也会明显改变静电冲击波形样态。地面操作中应充分考虑CDM静电放电风险,采取措施降低静电放电对电路和器件可能造成的损伤。; 关键词静电放电静电防护带电器件模型电路分析; Keywords electrostatic discharge electrostatic protection charged device model circuit analysis; 分类号 TM206 [一般工业技术—材料科学与工程] TM935.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电子元器件静电放电模型及适用范围浅析被引量：2: 3; 作者王文双许少辉王小强; 机构国家通用电子元器件质量监督检验中心; 出处《电子质量》 2005年第8期24-25,共2页; 文摘静电损伤在电子元器件失效中一直是一个重要的失效模式,近几十年人们对电子元器件的抗静电损伤的研究中也建立了各种模拟实际环境的静电放电模型,本文将着重介绍最基本的三种针对电子元器件的静电模型的特征及静电敏感度划分。这三种基本静电模型是:人体放电模型、带电器件放电模型、机器放电模型。; 关键词静电放电人体模型机器模型带电器件模型; Keywords Electrostatic Discharge （ESD） Human Body ModeI（HBM） Charged-Device Model （cdm） Machine Model（MM）; 分类号 TN606 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高阶显微分析技术在CDM失效问题上的应用: 4; 作者晁拴社林欣毅何潇梅娜杨丹王梦华欧阳可青; 机构移动网络和移动多媒体技术国家重点实验室深圳市中兴微电子技术有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期934-939,共6页; 文摘带电器件模型(CDM)是引起静电放电(ESD)失效问题的主要模型,特别是先进制程和高速射频电路,CDM的故障定位与根因分析对优化ESD设计和改善ESD防护至关重要。借助高阶显微分析技术,如等离子体聚焦离子束(PFIB)、导电原子力显微镜(C-AFM)、电子束感应电流(EBIC)、透射电子显微镜(TEM),可以快速准确地定位失效位置并确认失效机理。通过分析先进制程芯片射频电路增益降低问题,确定了CDM泄放路径与失效形貌,并解释了CDM的损伤机理。通过高阶显微分析技术研究CDM失效问题,有助于优化ESD防护电路,提高芯片可靠性。; 关键词带电器件模型(cdm) 先进制程高阶显微分析技术泄放路径失效形貌; Keywords charged device model(cdm) advanced process advanced microscopic analysis technique discharge path failure morphology; 分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	器件级带电器件模型静电放电测试标准分析及应用	江徽唐震王倩倩万永康虞勇坚	《电子技术应用》	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	带电器件模型静电放电等效仿真电路与计算分析	夏敏峰张宇高志良冯娜万发雨	《航天器环境工程》 CSCD	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	电子元器件静电放电模型及适用范围浅析	王文双许少辉王小强	《电子质量》	2005	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高阶显微分析技术在CDM失效问题上的应用	晁拴社林欣毅何潇梅娜杨丹王梦华欧阳可青	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料