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一种高效的矩形套裁排样的带填充排样算法 被引量:1
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作者 何冬黎 崔耀东 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2008年第10期238-240,共3页
提出一种带填充排样算法,实现矩形毛坯套裁排样。该算法首先用水平剪切线将板材分层,每层的宽度和板材宽度相同,高度和层最左端的主毛坯高度相同;通过调用两个递归过程确定最优排样方式,第一个过程确定每层左端的主毛坯,第二个过程确定... 提出一种带填充排样算法,实现矩形毛坯套裁排样。该算法首先用水平剪切线将板材分层,每层的宽度和板材宽度相同,高度和层最左端的主毛坯高度相同;通过调用两个递归过程确定最优排样方式,第一个过程确定每层左端的主毛坯,第二个过程确定层右端区域的毛坯排列方式。采用分支定界技术缩小搜索空间。实验计算结果说明所述算法比文献中最近报道的几种算法都有效。 展开更多
关键词 薄钢板 带填充 两维剪切 切割下料 分层排样方式
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基于特征融合的微电阻率成像测井空白带无监督填充方法 被引量:1
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作者 曾祥安 朱丹丹 +1 位作者 周昊 徐朝晖 《电子测量技术》 北大核心 2024年第8期171-180,共10页
针对微电阻率电成像测井仪器的特点导致测井成像呈现规律性空白带的问题,本文提出一种融合多尺度多层级特征的无监督填充模型及全井段填充框架用于填充空白带。填充模型采用UNet架构,利用非空白带区域电阻率数据自身的统计先验基于MAE... 针对微电阻率电成像测井仪器的特点导致测井成像呈现规律性空白带的问题,本文提出一种融合多尺度多层级特征的无监督填充模型及全井段填充框架用于填充空白带。填充模型采用UNet架构,利用非空白带区域电阻率数据自身的统计先验基于MAE损失进行无监督训练填充,主要通过以下2个措施对传统UNet进行改进:在编码器中引入MSR-Conv,提升单层网络的多尺度表征能力;在编解码特征连接环节引入多层级编码特征融合模块与信息引导模块,丰富上采样的特征尺度,减少解码过程中的信息丢失。实验结果表明:相较UNet,本文所提模型在自然场景数据集上的视觉效果与客观指标均有明显提升,其中PE降低了19.03%,SSIM提升了2.9%,PSNR提升了4.66%。全井段填充框架应用填充模型分段训练填充空白带电阻率数据后再合并,实现端到端填充单口井的微电阻率成像测井空白带,填充结果具有一定的鲁棒性,贴合实际生产场景。 展开更多
关键词 电成像测井 空白带填充 无监督学习 特征融合 全井段填充框架
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带砌体填充墙的钢筋混凝土框架受力性能分析 被引量:9
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作者 邹昀 《江南大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第1期76-81,共6页
将框架高与宽的比值及梁与柱惯性矩的比值作为试验参数 ,测试了 2 1个有砖填充墙的一层一跨钢筋混凝土框架在平面内的对角荷载作用下的受力性能 ,同时测试了 3个相似的试件在水平荷载作用下的性能 .试验结果表明 ,有填充墙的钢筋混凝土... 将框架高与宽的比值及梁与柱惯性矩的比值作为试验参数 ,测试了 2 1个有砖填充墙的一层一跨钢筋混凝土框架在平面内的对角荷载作用下的受力性能 ,同时测试了 3个相似的试件在水平荷载作用下的性能 .试验结果表明 ,有填充墙的钢筋混凝土框架受力性能具有 3个明显阶段 :从加载到混凝土开裂的线性阶段 ;开裂后阶段及极限破坏阶段 .根据分析试验结果 ,建立了分析模型 ,并提供了开裂。 展开更多
关键词 砌体填充 钢筋混凝土框架 受力性能分析 极限荷载 开裂荷载 刚度
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多层多跨带砌体填充墙的钢筋混凝土框架强度分析 被引量:4
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作者 邹昀 《江南大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第2期186-189,共4页
该研究是在一层一跨带填充墙的框架结构的基础上进行的.在试验研究中,每层每跨中的填充墙单元与前期一层一跨试验中的试件材料相同,且具有相似的几何性质.通过与试验结果的对比分析,提出了多层多跨框架的强度计算公式.研究表明,具有相... 该研究是在一层一跨带填充墙的框架结构的基础上进行的.在试验研究中,每层每跨中的填充墙单元与前期一层一跨试验中的试件材料相同,且具有相似的几何性质.通过与试验结果的对比分析,提出了多层多跨框架的强度计算公式.研究表明,具有相似性质的一层一跨钢筋混凝土框架的强度值可用来估算多层多跨的情况. 展开更多
关键词 多层多跨砌体填充 钢筋混凝土框架 剪切强度 刚度 对角支撑 水平荷载
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ZnSe-ZnS多量子阱光学吸收非线性时间特性及其机制
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作者 赵福潭 苏锡安 +1 位作者 王淑梅 陈进军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期41-44,共4页
利用飞秒泵浦-探测技术,在77K温度下测量了ZnSe-ZnS多量子阱材料的光学吸收非线性时间特性,其上升时间为10ps,恢复时间为14ps.讨论了其产生机制为带填充.
关键词 量子阱 非线性 时间特性 带填充 硒化锌 硫化锌
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激发功率密度和阱层厚度对极化InGaN/GaN多量子阱光致发光性能的影响 被引量:2
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作者 张正宜 梁将 武维 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期385-392,共8页
用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上生长了具有不同阱层厚度的InGaN/GaN多量子阱结构,研究了阱层厚度和激发功率密度对多量子阱光致发光(PL)性能的影响。结果表明,随着激发功率密度的增加,PL的峰值波长会出现不同程度的蓝移,且阱层越厚,蓝移... 用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上生长了具有不同阱层厚度的InGaN/GaN多量子阱结构,研究了阱层厚度和激发功率密度对多量子阱光致发光(PL)性能的影响。结果表明,随着激发功率密度的增加,PL的峰值波长会出现不同程度的蓝移,且阱层越厚,蓝移的越明显。PL的峰值波长随着激发功率密度和阱厚的变化关系可以用光生载流子对极化场的屏蔽效应和带隙填充效应来解释。阱最薄的样品(1.8 nm)由于其极化效应最弱,电致发光谱具有最高的发光强度,但其发光波长较短仅有430 nm。 展开更多
关键词 阱厚 激发功率密度 峰值波长 极化效应 填充
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