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新型坡度同轴布喇格反射器数值模拟比较研究 被引量：6
1
作者 丁学用 王玲玲 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第1期55-61,共7页
将一种新型加坡度方式同轴布喇格反射器的多模耦合理论与电磁仿真软件(CST)进行了数值模拟比较研究。结果表明:两者吻合较好,但多模耦合理论方法计算编程容易,运算速度快,参数调整非常方便;具有正圆锥形坡度的同轴布喇格反射器的带宽随... 将一种新型加坡度方式同轴布喇格反射器的多模耦合理论与电磁仿真软件(CST)进行了数值模拟比较研究。结果表明:两者吻合较好,但多模耦合理论方法计算编程容易,运算速度快,参数调整非常方便;具有正圆锥形坡度的同轴布喇格反射器的带宽随着所加坡度角的增大而变窄,具有倒圆锥形坡度的同轴布喇格反射器的带宽随着所加坡度角的增大而变宽;采用窗函数技术,可以有效地抑制新型坡度的同轴布喇格反射器频率响应曲线的残余旁瓣。这些特性有利于改善同轴布喇格结构作为反射器或者滤波器的性能。 展开更多
关键词 同轴布喇格反射器 坡度正弦波纹壁 多模耦合 残余旁瓣 窗函数
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温度对Al_(0.5)Ga_(0.5)As/AlAs分布布喇格反射器的反射谱影响 被引量：1
2
作者 郑树文 范广涵 +2 位作者 李述体 章勇 孙惠卿 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期869-872,共4页
采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了-10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明:随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm... 采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了-10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明:随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出:该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义. 展开更多
关键词 光电子学 布喇格反射器 光学传输矩阵理论 Al0.5Ga0.5As/AlAs 温度
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同轴布喇格反射器Fortran理论模拟与CST三维电磁仿真软件的比较研究
3
作者 王奎英 段松凯 丁学用 《河南农业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期436-439,共4页
将同轴布喇格反射器的Fortran理论模拟与CST三维电磁仿真软件进行了数值模拟比较.结果表明,当同轴布喇格反射器频率相对偏低且其内外导体相位差为π时,Fortran理论模拟与CST三维电磁仿真软件仿真的结果吻合效果最好.随着频率的不断增加... 将同轴布喇格反射器的Fortran理论模拟与CST三维电磁仿真软件进行了数值模拟比较.结果表明,当同轴布喇格反射器频率相对偏低且其内外导体相位差为π时,Fortran理论模拟与CST三维电磁仿真软件仿真的结果吻合效果最好.随着频率的不断增加,两者比对的误差会越来越大,当中心频率为250GHz时,由于计算机硬件的限制,CST三维电磁仿真软件将不能模拟出结果. 展开更多
关键词 同轴布喇格反射器 多模耦合 反射系数 CST
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侧墙倾斜的水平半导体/空气分布布喇格反射器的设计
4
作者 王海龙 秦文华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期225-230,共6页
时域有限差分(FDTD)法计算表明,在常规的水平半导体/空气分布布喇格反射器(DBR)设计中为了得到高反射率,DBR中侧墙与衬底垂直非常重要。对于GaN基材料DBR侧墙如果有3°的倾斜,反射率将下降到30%左右,然而在实验上很难得到侧墙与衬... 时域有限差分(FDTD)法计算表明,在常规的水平半导体/空气分布布喇格反射器(DBR)设计中为了得到高反射率,DBR中侧墙与衬底垂直非常重要。对于GaN基材料DBR侧墙如果有3°的倾斜,反射率将下降到30%左右,然而在实验上很难得到侧墙与衬底垂直的GaN基DBR结构。考虑到侧墙倾斜问题我们提出了新的DBR设计方法,采用这种方法即使DBR侧墙有较大的倾斜也可以得到高的反射率。设计的关键是在侧墙倾斜的情况下保持每个DBR周期光程差与垂直情况下一致,根据光的干涉原理我们给出了详细的解释。 展开更多
关键词 时域有限差分 分布布喇格反射器 反射率 倾斜 干涉
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Ka波段同轴布喇格反射器参数的设计
5
作者 王玲玲 李社蕾 丁学用 《兵工自动化》 2011年第7期45-47,60,共4页
针对同轴布喇格结构的特点,设计一种Ka波段正弦开槽同轴布喇格放射器。介绍多模耦合理论与CST商业软件,在此基础上对其进行参数设计和数值模拟研究。结果表明:多模耦合理论与CST商业软件两者吻合较好;根据实际需要,可通过改变初始相位... 针对同轴布喇格结构的特点,设计一种Ka波段正弦开槽同轴布喇格放射器。介绍多模耦合理论与CST商业软件,在此基础上对其进行参数设计和数值模拟研究。结果表明:多模耦合理论与CST商业软件两者吻合较好;根据实际需要,可通过改变初始相位、开槽深度、加坡度方式和坡度角以及加窗技术等来提高Ka波段同轴布喇格反射器频率响应的性能;有利于改善同轴布喇格结构作为反射器或者滤波器的性能。 展开更多
关键词 同轴布喇格反射器 KA波段 反射率
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同轴与圆柱布喇格反射器的比较及波纹槽周期对反射率的影响
6
作者 卢莺 赖颖新 张世昌 《科学技术与工程》 2007年第23期6173-6175,共3页
对同轴布喇格反射器与圆柱布喇格反射器的比较研究表明,同轴布喇格反射器具有模式选择性更好、几何尺寸更大的优点。数值模拟研究结果显示,当同轴布喇格反射器内外导体柱波纹槽周期相同时,反射率获得最优效果。
关键词 同轴布喇格反射器 模式选择 反射率 波纹槽周期
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垂直腔半导体光放大器中的等效反射率分析
7
作者 卢静 罗斌 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期174-178,共5页
为了优化垂直腔半导体光放大器(VCSOA)在不同应用中的性能,以及用通用计算方法获得准确的端面反射率,考虑到器件内部光场分布特点,采用角频谱理论和传输矩阵的方法,取得了器件中分布布喇格反射器(DBR)等效反射率与光束半值谱宽的数据,... 为了优化垂直腔半导体光放大器(VCSOA)在不同应用中的性能,以及用通用计算方法获得准确的端面反射率,考虑到器件内部光场分布特点,采用角频谱理论和传输矩阵的方法,取得了器件中分布布喇格反射器(DBR)等效反射率与光束半值谱宽的数据,进行了理论分析和实验验证。结果表明,等效反射率随着结构周期增加而变大,但是当周期大于25时基本不再变化;与只考虑正入射情况相比,修正后的DBR等效反射率小了2%～4%;等效反射率随着半值谱宽θ_(FWHM)增大而减小。该研究为准确计算膜堆层数对DBR等效反射率的影响提供理论指导,优化了VCSOA的工作性能。 展开更多
关键词 激光器 反射率 传输矩阵法 角频谱 垂直腔半导体光放大器 分布布喇格反射器
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几何光学 光学镜头、光学零部件
8
《中国光学》 EI CAS 2007年第6期4-5,共2页
关键词 自聚焦透镜 分布布喇格反射器 光学镜头 反射镜面 反射谱 像差特性 理论分析 反射光谱 自由曲面 放大倍数
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相位共轭、自聚焦等相关效应
9
《中国光学》 EI CAS 2001年第4期45-45,共1页
O437 2001042556非线性法布里-珀罗腔的双稳态特性分析=Bistabilityof nonlinear Fabry-Perot cavity[刊,中]/宋俊峰,付艳萍,刘杨,康博南,殷景志,杜国同(吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室.吉林,长春(130023))//半导体光电.... O437 2001042556非线性法布里-珀罗腔的双稳态特性分析=Bistabilityof nonlinear Fabry-Perot cavity[刊,中]/宋俊峰,付艳萍,刘杨,康博南,殷景志,杜国同(吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室.吉林,长春(130023))//半导体光电.-2000,21(4).-266-268,275应用传输矩阵的方法研究了垂直微腔多量子阱结构的双稳态特性,计算结果表明,分布布喇格反射器(DBR)的高折射率介质紧挨着非线性介质(多量子阱结构)时更容易产生双稳态,计算了非线性法布里-珀罗腔的反射相位与入射光功率关系曲线,反射率与入射光功率的关系曲线,和作为反射镜的DBR的对数对双稳态性质的影响等。 展开更多
关键词 双稳态特性 多量子阱结构 非线性介质 特性分析 分布布喇格反射器 法布里 集成光电子学 传输矩阵 高折射率介质 光功率
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光调制技术及器件
10
《中国光学》 EI CAS 1996年第6期47-48,共2页
TN761 96063869GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件=GaAs/GaAlAs multiquantumwell reflectance modu lator and self electro-optic effect device(SEED)[刊,中]/吴荣汉,高文智,赵军,段海龙,林世鸣,钟战天,黄永箴,王启... TN761 96063869GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件=GaAs/GaAlAs multiquantumwell reflectance modu lator and self electro-optic effect device(SEED)[刊,中]/吴荣汉,高文智,赵军,段海龙,林世鸣,钟战天,黄永箴,王启明(中科院半导体所国家集成光电子学联合实验室.北京(100083))//光子学报.-1995,24(5).-388-392采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响,给出研制的反射型光调制器及自由光效应器件的实验结果。 展开更多
关键词 多量子阱 自电光效应器件 光调制器 分布布喇格反射器 反射型 分子束外延技术 斯塔克效应 集成光电子学 自由光效应器件 量子限制
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