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端基含108个己氧基偶氮苯介晶基元三代树状碳硅烷液晶研究 被引量：8
1
作者 张其震 殷晓颖 +3 位作者 王大庆 李光 季怡萍 赵晓光 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期170-173,共4页
用发散法合成以四碳硅烷为核心 ,周边含 10 8个己氧基偶氮苯介晶基元 ( M3)端基的三代树状碳硅烷( D3)液晶 ,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外光谱、紫外光谱、偏光显微镜、差示扫描量热 ( DSC)和 X射线衍射法 (... 用发散法合成以四碳硅烷为核心 ,周边含 10 8个己氧基偶氮苯介晶基元 ( M3)端基的三代树状碳硅烷( D3)液晶 ,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外光谱、紫外光谱、偏光显微镜、差示扫描量热 ( DSC)和 X射线衍射法 ( WAXD)进行表征 .D3为向列相液晶 ,与 M3相同 ,三代 ( D3)、二代( D2 )和一代 ( D1)树状物的相态由介晶基元的相态决定 .D3的液晶态相行为是 K79N136 I132 N,D3的熔点比 M3的低 19℃ ,D3的清亮点比 M3的增加 16℃ ,D3液晶态温区比 M3宽 35℃ . 展开更多
关键词 树状化合物 向列相 液晶 碳硅烷 4-已氧基偶氮苯 合成
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二代树状碳硅烷液晶研究——端基含36个己氧基偶氮苯介晶基元 被引量：8
2
作者 张其震 刘建强 +4 位作者 殷晓颖 张静智 赵晓光 李光 季怡萍 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期1704-1707,共4页
用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜,DSC和WAXD法进行表征。D2为向列相,与M3相同.D2液晶态相行为是K90N105I1l3N75K... 用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜,DSC和WAXD法进行表征。D2为向列相,与M3相同.D2液晶态相行为是K90N105I1l3N75K,D2熔点比M3降低26～33℃,D2清亮点比M3降低3～15℃,D2液晶态温区比M3加宽11～30℃。D2和一代树状物D1的相态由介晶基元相态决定。D2熔点比D1降低2～3℃。D2清亮点比D1降低11～21℃,D2液晶态温区比D1减少8～19℃。 展开更多
关键词 碳硅烷 树状化合物 液晶 向列相 碳硅烷 端基 已氧基偶氮苯 介晶单元
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新型硅碳烷液晶树状物的合成与表征——端基含12个己氧基偶氮苯介晶基元 被引量：1
3
作者 唐新德 张其震 周其凤 《现代化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期31-33,共3页
以基于季戊四醇-四烯丙基醚的硅氢化产物PCSi-1G-Cl为脚手架、4-己氧基-4′-羟己氧基偶氮苯(M-C6)为介晶基元,合成了季戊四醇为核、端基含12个己氧基偶氮苯的新型硅碳烷液晶树状物PCSi-1G-C6。利用元素分析、傅立叶变换红外光谱(FT-IR)... 以基于季戊四醇-四烯丙基醚的硅氢化产物PCSi-1G-Cl为脚手架、4-己氧基-4′-羟己氧基偶氮苯(M-C6)为介晶基元,合成了季戊四醇为核、端基含12个己氧基偶氮苯的新型硅碳烷液晶树状物PCSi-1G-C6。利用元素分析、傅立叶变换红外光谱(FT-IR)、核磁共振(NMR)、偏光显微镜(POM)和差示扫描量热(DSC)进行了表征。PCSi-1G-C6与M-C6同为相列相,树状物相态由介晶基元相态决定。PCSi-1G-C6的熔点比M-C6低50℃,清亮点比M-C6低16℃,液晶态温区比M-C6宽34℃。 展开更多
关键词 硅碳烷液晶树状物 季戊四醇 已氧基偶氮苯 介品甚元
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