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题名一种低噪声C类LC压控振荡器的设计
被引量：1
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作者
葛士曾
陈德媛
张瑛
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机构
南京邮电大学集成电路科学与工程学院
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出处
《现代电子技术》
2023年第20期13-16,共4页
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文摘
为了改善压控振荡器相位噪声,基于40 nm CMOS工艺,设计一种低噪声C类LC压控振荡器。交叉耦合NMOS对管通过电流镜偏置作为电路的电流源,并采用共模反馈偏置电路使交叉耦合PMOS对管工作在饱和区,保证LC压控振荡器实现C类振荡。通过差分可变电容的设计,压控振荡器的增益减小,压控振荡器的相位噪声得到改善。设计了4组开关电容进行调节,增大压控振荡器的调谐范围。仿真结果表明,处于1.2 V的电压下,压控振荡器振荡频率范围在4.14~5.7 GHz,频率调谐范围变化率达到31.2%,相位噪声为-112.8 dBc/Hz。
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关键词
LC压控振荡器
低噪声振荡器
相位噪声
CMOS
差分电压变容
振荡频率
交叉耦合
共模反馈
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Keywords
LC voltage controlled oscillator
low noise oscillator
phase noise
CMOS
differential voltage varactor
oscillation frequency
cross coupling
common mode feedback
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分类号
TN753.9-34
[电子电信—电路与系统]
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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