期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
巨磁阻隔离器的设计与工艺制备
1
作者
李尧
吴回州
《电子科技大学学报》
北大核心
2025年第5期700-705,共6页
为了保证信号完整且高速地传输,必须要在电子系统之间实施电气隔离。首先通过磁控溅射法制备了结构为Sub(Si/SiO_(2))(300 nm)/Ta(5 nm)/NiFe(4.5 nm)/CoFe(1.5 nm)/Cu(2.5 nm)/CoFe(5.5 nm)/IrMn(10 nm)/Ta(5 nm)的顶钉扎自旋阀巨磁阻...
为了保证信号完整且高速地传输,必须要在电子系统之间实施电气隔离。首先通过磁控溅射法制备了结构为Sub(Si/SiO_(2))(300 nm)/Ta(5 nm)/NiFe(4.5 nm)/CoFe(1.5 nm)/Cu(2.5 nm)/CoFe(5.5 nm)/IrMn(10 nm)/Ta(5 nm)的顶钉扎自旋阀巨磁阻薄膜,在制备薄膜的基础上,通过光刻、离子束(IBE)刻蚀、金属剥离等半导体工艺制备了一种巨磁阻隔离器,通过等离子体化学气相沉积法(PECVD)生长SiO_(2)隔离栅的厚度为4μm,其耐压强度可达2 kV。利用吉时利多功能探针台进行晶圆级测试,当平面线圈的输入电流为6 mA时,巨磁阻隔离器输出电压约为20 mV,对晶圆切片引线后进行电路级测试,巨磁阻隔离器工作频率为25 MHz。整个工艺流程需要6次光刻,工艺参数稳定,对于巨磁阻隔离器的制备具有参考价值。
展开更多
关键词
巨磁阻隔离器
磁
控溅射法
光刻
SiO_(2)隔离栅
耐压强度
在线阅读
下载PDF
职称材料
基于Ansys Maxwell巨磁阻隔离器结构中线圈磁场的研究
被引量：
1
2
作者
吴回州
李尧
+2 位作者
卢启海
刘良朋
宋玉哲
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024年第8期64-67,共4页
巨磁阻(GMR)隔离器中平面线圈的主要作用是将电信号转化为磁信号,为了确定平面线圈的具体参数,基于Ansys Maxwell/2D对GMR隔离器结构中平面线圈的磁场影响参数进行扫描分析,确定了GMR隔离器的输入电流为5.94 mA,结合现有工艺条件,确定...
巨磁阻(GMR)隔离器中平面线圈的主要作用是将电信号转化为磁信号,为了确定平面线圈的具体参数,基于Ansys Maxwell/2D对GMR隔离器结构中平面线圈的磁场影响参数进行扫描分析,确定了GMR隔离器的输入电流为5.94 mA,结合现有工艺条件,确定了平面线圈线宽5μm,线间距2μm,厚度2μm及线圈中心间距100μm。进一步利用Maxwell/3D建立平面线圈的3D模型,对该模型进行静磁场下的磁场强度分析,平面线圈在正下方13μm厚度的SiO_(2)隔离栅处产生的磁场强度为4.18 Oe左右,满足GMR隔离器的制作要求,为GMR隔离器平面线圈的设计提供参考。
展开更多
关键词
巨磁阻隔离器
平面线圈
Ansys
Maxwell
静
磁
场
磁
场强度
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
巨磁阻隔离器的设计与工艺制备
1
作者
李尧
吴回州
机构
兰州交通大学电子与信息工程学院
甘肃省科学院传感技术研究所甘肃省传感器与传感技术重点实验室
出处
《电子科技大学学报》
北大核心
2025年第5期700-705,共6页
基金
国家自然科学基金(61905102,62264008)
甘肃省高校青年博士支持项目(2024QB-050)。
文摘
为了保证信号完整且高速地传输,必须要在电子系统之间实施电气隔离。首先通过磁控溅射法制备了结构为Sub(Si/SiO_(2))(300 nm)/Ta(5 nm)/NiFe(4.5 nm)/CoFe(1.5 nm)/Cu(2.5 nm)/CoFe(5.5 nm)/IrMn(10 nm)/Ta(5 nm)的顶钉扎自旋阀巨磁阻薄膜,在制备薄膜的基础上,通过光刻、离子束(IBE)刻蚀、金属剥离等半导体工艺制备了一种巨磁阻隔离器,通过等离子体化学气相沉积法(PECVD)生长SiO_(2)隔离栅的厚度为4μm,其耐压强度可达2 kV。利用吉时利多功能探针台进行晶圆级测试,当平面线圈的输入电流为6 mA时,巨磁阻隔离器输出电压约为20 mV,对晶圆切片引线后进行电路级测试,巨磁阻隔离器工作频率为25 MHz。整个工艺流程需要6次光刻,工艺参数稳定,对于巨磁阻隔离器的制备具有参考价值。
关键词
巨磁阻隔离器
磁
控溅射法
光刻
SiO_(2)隔离栅
耐压强度
Keywords
giant magnetoresistive isolator
magnetron sputtering
photolithography
SiO_(2)isolation barrier
compressive strength
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于Ansys Maxwell巨磁阻隔离器结构中线圈磁场的研究
被引量：
1
2
作者
吴回州
李尧
卢启海
刘良朋
宋玉哲
机构
兰州交通大学电子与信息工程学院
甘肃省科学院传感技术研究所甘肃省传感器与传感技术重点实验室
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024年第8期64-67,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(51761001,61905102,62264008)
甘肃省科学院重大专项资助项目(2023ZDZX-02)
+3 种基金
兰州市城关区科技计划资助项目(2022JSCX0015)
甘肃省重点研发计划资助项目(22YF7GA063)
甘肃省基础研究创新群体资助项目(23TRRA1348)
兰州市青年科技人才创新项目(2023-QN-119)。
文摘
巨磁阻(GMR)隔离器中平面线圈的主要作用是将电信号转化为磁信号,为了确定平面线圈的具体参数,基于Ansys Maxwell/2D对GMR隔离器结构中平面线圈的磁场影响参数进行扫描分析,确定了GMR隔离器的输入电流为5.94 mA,结合现有工艺条件,确定了平面线圈线宽5μm,线间距2μm,厚度2μm及线圈中心间距100μm。进一步利用Maxwell/3D建立平面线圈的3D模型,对该模型进行静磁场下的磁场强度分析,平面线圈在正下方13μm厚度的SiO_(2)隔离栅处产生的磁场强度为4.18 Oe左右,满足GMR隔离器的制作要求,为GMR隔离器平面线圈的设计提供参考。
关键词
巨磁阻隔离器
平面线圈
Ansys
Maxwell
静
磁
场
磁
场强度
Keywords
giant magnetoresistance(GMR)isolator
planar coil
Ansys Maxwell
static magnetic field
magnetic field strength
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
巨磁阻隔离器的设计与工艺制备
李尧
吴回州
《电子科技大学学报》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于Ansys Maxwell巨磁阻隔离器结构中线圈磁场的研究
吴回州
李尧
卢启海
刘良朋
宋玉哲
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
