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非晶纳米晶带材巨磁阻抗磁传感器特性分析
被引量：
1
1
作者
柴秀丽
曾德长
+3 位作者
刘桂雄
余红雅
钟喜春
刘文洁
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2008年第9期63-65,共3页
利用非晶纳米晶带材的巨磁阻抗(GMI)效应制备一种磁传感器,在输出最大值的特定频率下,研究与带材轴线平行和垂直方向磁场的输出特性。研究表明:在10.5 MHz附近的激励频率作用下,传感器输出取得最大值;传感器对平行磁场有一段高灵敏的线...
利用非晶纳米晶带材的巨磁阻抗(GMI)效应制备一种磁传感器,在输出最大值的特定频率下,研究与带材轴线平行和垂直方向磁场的输出特性。研究表明:在10.5 MHz附近的激励频率作用下,传感器输出取得最大值;传感器对平行磁场有一段高灵敏的线性工作区间,对垂直磁场不响应;纳米晶带材GMI磁传感器的灵敏度高达0.6691 V/Oe,优于非晶带材制备器件的灵敏度0.1483 V/Oe。
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关键词
非晶纳米晶带材
巨磁阻抗效懂
磁
传感器
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职称材料
题名
非晶纳米晶带材巨磁阻抗磁传感器特性分析
被引量：
1
1
作者
柴秀丽
曾德长
刘桂雄
余红雅
钟喜春
刘文洁
机构
华南理工大学机械工程学院
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2008年第9期63-65,共3页
基金
广东省科技计划资助项目(2007B010600043)
广东省自然科学基金资助项目(C013003
0530030)
文摘
利用非晶纳米晶带材的巨磁阻抗(GMI)效应制备一种磁传感器,在输出最大值的特定频率下,研究与带材轴线平行和垂直方向磁场的输出特性。研究表明:在10.5 MHz附近的激励频率作用下,传感器输出取得最大值;传感器对平行磁场有一段高灵敏的线性工作区间,对垂直磁场不响应;纳米晶带材GMI磁传感器的灵敏度高达0.6691 V/Oe,优于非晶带材制备器件的灵敏度0.1483 V/Oe。
关键词
非晶纳米晶带材
巨磁阻抗效懂
磁
传感器
Keywords
amorphous-nanocrystalline film
giant magneto-impedance（GMI） effect
magnetic sensor
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
非晶纳米晶带材巨磁阻抗磁传感器特性分析
柴秀丽
曾德长
刘桂雄
余红雅
钟喜春
刘文洁
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2008
1
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