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热处理对Fe_(79.5)P_(12)C_6Cu_(0.5)Mo_(0.5)Si_(1.5)软磁合金薄带的巨磁致阻抗效应(GMI)的影响
1
作者 库万军 王新颜 +1 位作者 张传历 朱静 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期552-554,共3页
研究了不同温度热处理对Fe79.5P12C6Cu0.5Mo0.5Si1.5的巨磁阻抗的影响,发现GMI不仅与磁导率有关,而且也受到磁各向异性的作用。
关键词 阻抗效应 热处理 合金 薄带
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巨磁阻抗效应研究的最近进展 被引量:27
2
作者 钟智勇 张怀武 +1 位作者 刘颖力 王豪才 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期16-18,共3页
本文简要介绍最近几年来有关巨磁阻抗效应理论的研究概况 ,并综述巨磁阻抗材料的研究进展 ;指出为了更好地理解巨磁阻抗效应对其微观机理的研究是必要的。
关键词 阻抗效应 非晶性材料 纳米晶性材料 研究进展
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FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究 被引量:15
3
作者 茅昕辉 禹金强 +2 位作者 周勇 吴茂松 蔡炳初 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第6期429-433,共5页
软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、... 软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、较大磁致伸缩的FeSiB单层和多层薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应中频率和退火的影响进行了研究。结果表明 ,对于两种效应 ,经过退火处理的单层和多层膜均可在较低的频率下得到较高的灵敏度 。 展开更多
关键词 FeSiB薄膜 阻抗 应力阻抗效应 多层膜 材料
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基于非晶带巨磁阻抗效应的新型弱磁场传感器 被引量:29
4
作者 鲍丙豪 蒋峰 +1 位作者 赵湛 宋雪丰 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期2380-2383,共4页
利用短时矩形脉冲电流对近零磁致伸缩系数钴基非晶态合金带进行退火处理,得到约114%的巨磁阻抗变化率.同时利用CMOS多谐振荡电路产生窄脉冲电流序列对前面处理过的非晶带进行激励,制作成灵敏度高、稳定性好、功耗低的弱磁场传感器.对传... 利用短时矩形脉冲电流对近零磁致伸缩系数钴基非晶态合金带进行退火处理,得到约114%的巨磁阻抗变化率.同时利用CMOS多谐振荡电路产生窄脉冲电流序列对前面处理过的非晶带进行激励,制作成灵敏度高、稳定性好、功耗低的弱磁场传感器.对传感器的工作原理进行了分析,并设计了信号处理电路.该传感器可应用于对弱磁场的检测. 展开更多
关键词 阻抗效应 非晶态软合金带 脉冲电流退火 场传感器
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软磁薄膜高频巨磁阻抗效应的理论模型 被引量:28
5
作者 禹金强 周勇 +1 位作者 蔡炳初 赵小林 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第1期22-25,共4页
利用修正的Landau Lifshitz Gilbert方程 ,对横向单轴磁各向异性软磁薄膜在高频下的有效横向磁导率做了理论推导 ,从而得到了关于薄膜高频阻抗的理论表达式 ,并与其它理论结果作了比较。结果表明 ,给出的有效横向磁导率表达式与其它理... 利用修正的Landau Lifshitz Gilbert方程 ,对横向单轴磁各向异性软磁薄膜在高频下的有效横向磁导率做了理论推导 ,从而得到了关于薄膜高频阻抗的理论表达式 ,并与其它理论结果作了比较。结果表明 ,给出的有效横向磁导率表达式与其它理论结果一致。详细讨论了小尺寸薄膜中退磁场对共振频率的影响 。 展开更多
关键词 阻抗效应 薄膜 横向导率 共振频率
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铁基纳米微晶玻璃包裹丝的软磁性能及巨磁阻抗效应 被引量:7
6
作者 刘龙平 赵振杰 +3 位作者 阮建中 陈婷 王蕊丽 杨燮龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期638-639,共2页
 采用高频感应加热熔融拉引法制备Fe73.0Cu1.0Nb1.5V2.0Si13.5B9.0玻璃包裹合金非晶细丝,经不同温度下退火处理得到玻璃包裹纳米微晶丝,并对其软磁性能及其巨磁阻抗效应的特点进行了研究。结果表明,样品在退火温度为540~570℃时具有...  采用高频感应加热熔融拉引法制备Fe73.0Cu1.0Nb1.5V2.0Si13.5B9.0玻璃包裹合金非晶细丝,经不同温度下退火处理得到玻璃包裹纳米微晶丝,并对其软磁性能及其巨磁阻抗效应的特点进行了研究。结果表明,样品在退火温度为540~570℃时具有最佳软磁性能,并在570℃得到最大磁阻抗变化为253%,是目前国际同类材料的玻璃包裹丝中观察到的最大值。 展开更多
关键词 铁基纳米微晶玻璃包裹丝 性能 阻抗效应 退火 制备
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溅射条件对FeSiB薄膜磁性及巨磁阻抗效应的影响 被引量:5
7
作者 禹金强 周勇 +2 位作者 蔡炳初 余晋岳 徐东 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期596-597,600,共3页
采用射频磁控溅射法,在不同溅射条件下制备了FeSiB薄膜。研究了溅射条件对薄膜应力、磁滞回线及巨磁阻抗效应的影响。结果表明:随着溅射氩气压强的增加,薄膜内应力从压应力变为张应力,磁滞回线的形状随溅射条件的不同也发生改变。对磁... 采用射频磁控溅射法,在不同溅射条件下制备了FeSiB薄膜。研究了溅射条件对薄膜应力、磁滞回线及巨磁阻抗效应的影响。结果表明:随着溅射氩气压强的增加,薄膜内应力从压应力变为张应力,磁滞回线的形状随溅射条件的不同也发生改变。对磁各向异性的变化作了分析和讨论,而面内横向单轴磁各向异性的重要性在巨磁阻抗效应的实验中充分得到了体现。 展开更多
关键词 各向异性 薄膜应力 FeSiB薄膜 阻抗效应
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钴基非晶磁芯巨磁阻抗效应电流传感器 被引量:8
8
作者 赵湛 鲍丙豪 +1 位作者 徐云峰 董钢 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期483-488,共6页
利用钴基非晶薄带环形磁芯的巨磁阻抗效应研制了新型非接触电流传感器。磁芯在2kA/m横向磁场作用下,用密度为25A/mm2短时矩形脉冲电流退火30s,通过CMOS多谐振荡电路产生的频率为900kHz窄脉冲电流激励,最大阻抗变化率为34%,磁场灵敏度约... 利用钴基非晶薄带环形磁芯的巨磁阻抗效应研制了新型非接触电流传感器。磁芯在2kA/m横向磁场作用下,用密度为25A/mm2短时矩形脉冲电流退火30s,通过CMOS多谐振荡电路产生的频率为900kHz窄脉冲电流激励,最大阻抗变化率为34%,磁场灵敏度约为45%/Oe。分析了传感器工作原理,设计了传感器电路,通过参数的优化和电流负反馈设计提高了传感器的分辨率、线性度、灵敏度和测量范围。设定测量范围为-2.5^+2.5A时,传感器测量精度为0.45%,灵敏度为0.67V/A。 展开更多
关键词 钴基非晶薄带 环形 阻抗效应 非接触测量 电流传感器
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巨磁阻抗效应的非对称特性 被引量:5
9
作者 钟智勇 石玉 +2 位作者 刘颍力 贾利军 张怀武 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期513-516,共4页
巨磁阻抗效应的应用需要传感器具有好的线性度和高的灵敏度,实现非对称巨磁阻抗效应可以使传感器在零场附近提高灵敏度和改善线性度.本文对近年来非对称巨磁阻抗效应的研究进展进行了综述,并分析了其产生的机理.
关键词 非对称阻抗效应 交换耦合 非晶性材料 传感器
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纵向驱动纳米微晶玻璃包裹丝的巨磁阻抗效应 被引量:6
10
作者 刘龙平 赵振杰 +3 位作者 阮建中 陈婷 王蕊丽 杨燮龙 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期45-48,共4页
采用高频感应加热熔融拉引法制备Fe73.0Cu3.0Nb1.5V2.0Si13.5 B9.0非晶玻璃包裹细丝,经适当温度退火处理得到纳米微晶丝。首次研究了样品在纵向驱动方式下的巨磁阻抗效应,发现T8=570℃下退火得到的样品,在驱动电流频率f=300kHz时其最大... 采用高频感应加热熔融拉引法制备Fe73.0Cu3.0Nb1.5V2.0Si13.5 B9.0非晶玻璃包裹细丝,经适当温度退火处理得到纳米微晶丝。首次研究了样品在纵向驱动方式下的巨磁阻抗效应,发现T8=570℃下退火得到的样品,在驱动电流频率f=300kHz时其最大磁阻抗变化可达1020%。 展开更多
关键词 铁基纳米微晶玻璃包裹丝 阻抗效应 纵向驱动 加热熔融拉引技术
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复合丝巨磁阻抗效应的研究 被引量:3
11
作者 王蕊丽 赵振杰 +2 位作者 袁望治 阮建中 杨燮龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1594-1596,共3页
利用化学渡方法制备了芯层为铁磁层和芯层为导电层的两种复合丝,比较研究了它们的巨磁阻抗特性,结果发现芯层为铁磁层的复合丝在60MHz时取得最大值107%,而芯层为BeCu的复合丝在300kHz时就获得最大值108%。这是因为BeCu/绝缘层/NiCoP在... 利用化学渡方法制备了芯层为铁磁层和芯层为导电层的两种复合丝,比较研究了它们的巨磁阻抗特性,结果发现芯层为铁磁层的复合丝在60MHz时取得最大值107%,而芯层为BeCu的复合丝在300kHz时就获得最大值108%。这是因为BeCu/绝缘层/NiCoP在低频时有较大的磁电阻效应,同时,由于芯层电阻较小,R与X在较低频就可比拟。磁阻抗比不仅取决于磁电阻比、磁感抗比,还与R和X的相对比值有关。要想获得显著的磁阻抗效应,要求材料不仅具有良好的软磁特性,而且电流通过部分还具有电阻率小的特点。 展开更多
关键词 阻抗效应 化学镀 趋肤效应 复合结构
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基于巨磁阻抗效应的微磁传感器研制 被引量:7
12
作者 陈先中 李芸芸 +1 位作者 侯庆文 孙光飞 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2575-2578,共4页
分析了巨磁阻抗敏感材料CoFeSiB非晶丝的特性,研制了磁传感器的硬件系统并对其进行了标定.试验表明:基于巨磁阻抗效应的新型微磁传感器具有灵敏度高、饱和磁场低、响应快和稳定性好等优点,具有较好的应用前景.
关键词 阻抗效应 非晶丝 传感器
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纳米晶软磁材料的磁性与巨磁阻抗效应 被引量:3
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作者 杨燮龙 赵振杰 +2 位作者 袁望治 刘龙平 吴志明 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第Z1期25-39,2,共16页
介绍了国内外纳米晶软磁FINEMET合金的制备方法、软磁特性、巨磁阻抗效应和物理机制,尤其对巨磁阻抗效应的研究、应用及展望作了较详细的评述.
关键词 纳米晶 材料制备 非晶晶化 阻抗效应
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FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应研究 被引量:11
14
作者 周勇 禹金强 +1 位作者 赵小林 杨春生 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2001年第5期360-363,367,共5页
用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜 ,在 10 0kHz~ 40MHz范围内研究了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场强度Ha 施加在薄膜的长方向时 ,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加 ,在某一磁场下达到最大值 ,... 用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜 ,在 10 0kHz~ 40MHz范围内研究了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场强度Ha 施加在薄膜的长方向时 ,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加 ,在某一磁场下达到最大值 ,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。在频率为 3 2MHz时 ,在磁场强度Ha=2 40 0A/m时巨磁阻抗变化率达到最大值 13 5 0 % ;在磁场强度Ha=96 0 0A/m时 ,巨磁阻抗变化率为 - 9 2 0 %。巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关。另外 ,当磁场施加在薄膜的短方向时 ,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应 ,在频率为 3 2MHz,磁场强度Ha=96 0 0A/m时 ,巨磁阻抗变化率可达 - 12 5 0 % 展开更多
关键词 阻抗效应 非晶FeSiB薄膜 FeSiB/Cu/FeSiB多层膜 控溅射法 制备 结构
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铁磁层/导电层/铁磁层多层膜中巨磁阻抗效应理论 被引量:4
15
作者 禹金强 周勇 +1 位作者 蔡炳初 徐东 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期129-131,共3页
采用经典电磁理论,对铁磁层/导电层/铁磁层(M/C/M)多层膜中出现的巨磁阻抗效应进行了理论分析。对于单轴横向磁各向异性多层膜,理论计算结果表明:高频阻抗在某一外加磁场(近似等于等效各向异性场)下出现最大值,铁磁层和... 采用经典电磁理论,对铁磁层/导电层/铁磁层(M/C/M)多层膜中出现的巨磁阻抗效应进行了理论分析。对于单轴横向磁各向异性多层膜,理论计算结果表明:高频阻抗在某一外加磁场(近似等于等效各向异性场)下出现最大值,铁磁层和导电层电阻率相差较大的多层膜中将出现较强的巨磁阻抗效应。多层膜在1MHz附近即可出现远大于单层膜的阻抗变化比。多层膜理论计算与实验结果能够较好地符合。 展开更多
关键词 阻抗效应 多层膜 横向各向异性
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基于非晶合金非对称巨磁阻抗效应的磁传感器设计 被引量:4
16
作者 蒋颜玮 房建成 +1 位作者 王三胜 黄学功 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期175-179,共5页
以CoFeNiSiB非晶合金薄带为敏感材料,测试分析了其软磁性能,经空气中磁场退火热处理,获得了较好的非对称巨磁阻抗效应(AGMI)。以磁场退火处理后的非晶合金薄带为敏感元件,设计了AGMI磁传感器,并对其性能进行了开环和闭环测试。测试结果... 以CoFeNiSiB非晶合金薄带为敏感材料,测试分析了其软磁性能,经空气中磁场退火热处理,获得了较好的非对称巨磁阻抗效应(AGMI)。以磁场退火处理后的非晶合金薄带为敏感元件,设计了AGMI磁传感器,并对其性能进行了开环和闭环测试。测试结果表明,开环条件下该传感器表现出较高的灵敏度;闭环条件下则表现出更好的线性度和更宽的测量范围。该传感器可实现对地磁场的检测,在地磁导航领域中具有较好的应用前景。 展开更多
关键词 传感器 非对称阻抗效应(Agmi) 非晶合金 场退火 负反馈
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化学镀BeCu/NiFeB丝巨磁阻抗效应研究 被引量:3
17
作者 王新征 袁望治 +4 位作者 MOumarou 阮建中 宫峰飞 赵振杰 杨燮龙 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期64-68,共5页
用化学镀的方法,在100μm BeCu丝上沉积了NiFeB薄膜镀层。研究了退火温度和驱动电流频率对样品巨磁阻抗效应的影响。观察到200℃退火后样品最大巨磁阻抗效应为33%。在BeCu丝与NiFeB镀层之间加入绝缘层后,最大巨磁阻抗效应提高到83%。
关键词 阻抗效应 化学镀 NiFeB
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带材非对角非对称巨磁阻抗效应传感机理建模 被引量:5
18
作者 柴秀丽 甘志华 闫萍 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期2222-2227,共6页
非对角非对称巨磁阻抗效应机理建模是研制高灵敏巨磁阻抗磁传感器的重要基础工作。综合考虑非对称巨磁阻抗效应存在的3种工作模式,建立带材高频特性的理论模型,基于线性Landau-Lifshitz动力学方程和Maxwell方程推导传感用非对角电压的... 非对角非对称巨磁阻抗效应机理建模是研制高灵敏巨磁阻抗磁传感器的重要基础工作。综合考虑非对称巨磁阻抗效应存在的3种工作模式,建立带材高频特性的理论模型,基于线性Landau-Lifshitz动力学方程和Maxwell方程推导传感用非对角电压的表达式,数值分析讨论非晶层厚度和直流偏置电流对输出电压场特性的影响。研究结果与实验结果相符合,表明所建立模型方法是有效的、正确的,对更加系统、全面研究非对称巨磁阻抗效应具有一定的指导价值,有助于高性能的磁传感器的研制。 展开更多
关键词 阻抗效应 非对角电压 机理建模 传感器
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非晶合金带巨磁阻抗效应新型磁传感器研究 被引量:4
19
作者 鲍丙豪 周亚东 王伟志 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2008年第9期3-5,共3页
介绍了非晶合金带巨磁阻抗(GMI)效应的产生机理,对样品进行脉冲电流退火,获得了显著的GMI效应。实验分析了样品阻抗变化率随外加磁场、样品最大阻抗变化率随激励电流频率的变化关系。通过优化工作参数,提高了传感器的灵敏度、线性度和... 介绍了非晶合金带巨磁阻抗(GMI)效应的产生机理,对样品进行脉冲电流退火,获得了显著的GMI效应。实验分析了样品阻抗变化率随外加磁场、样品最大阻抗变化率随激励电流频率的变化关系。通过优化工作参数,提高了传感器的灵敏度、线性度和量程。在样品上均匀绕400匝线圈,以提供偏置磁场,将传感器的工作点移至线性区域。室温环境下,在激励电流频率f=1 MHz、有效值Irm s=25 mA、测量范围为±10 A/m时,传感器的测量精度优于0.96%,灵敏度为16.5 mV/Am-1,在弱磁检测领域具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 非晶合金带 阻抗效应 峰值检波 传感器
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Cu对NiFe/Cu/NiFe层状薄膜的巨磁阻抗效应影响的研究 被引量:7
20
作者 钟智勇 张怀武 +1 位作者 刘颖力 王豪才 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第3期200-202,共3页
用直流磁控溅射方法制备了NiFe/Cu/NiFe层状薄膜 ,研究了Cu膜宽度对NiFe/Cu/NiFe层状薄膜的巨磁阻抗效应的影响 ,结果表明 ,层状薄膜的巨磁阻抗效应随Cu膜宽度发生振荡现象 ;
关键词 阻抗效应 NiFe/Cu/NiFe薄膜 性材料
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