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题名巨介电常数陶瓷CaCu3Ti4O12的研究进展
被引量：11
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作者
宋江
成鹏飞
王秋萍
余花娃
李盛涛
李建英
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机构
西安工程大学理学院
西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第19期89-94,共6页
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基金
国家自然科学基金(51277138
51177121
+6 种基金
50972118)
陕西省教育厅科研专项项目(12JK0434
2010JK573
15JK1325)
西安工程大学博士科研启动基金项目(BS0814
BS1436)
西安工程大学研究生创新基金项目(CX201616)
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文摘
CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷具有高介电常数和高热稳定性,这使得CCTO可能在高密度信息储存、高介电电容器、大规模集成电路等领域获得广泛使用。系统地介绍了CCTO高介电常数起源的内禀机制和外禀机制,详细归纳了元素掺杂对CCTO介电特性的影响,阐述了巨介电常数与本征点缺陷的内在关联,肯定了晶粒电导赝极化理论,指出了CCTO巨介电常数陶瓷研究的重点在于:基于外禀机制的IBLC模型,通过晶胞掺杂或晶界掺杂改变晶粒或者晶界的电导,进而调控CCTO的介电损耗,使CCTO保持较高介电常数的前提下,在很宽的频率范围内使介电损耗正切值降低到0.1以下。
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关键词
CACU3TI4O12
巨介电常数介电损耗
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Keywords
CaCu3Ti4012 giant dielectric constant, dielectric loss
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分类号
TN704
[电子电信—电路与系统]
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