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锗硅HBT BiCMOS工艺中的p-i-n开关二极管设计
1
作者
刘冬华
胡君
+3 位作者
钱文生
陈帆
陈雄斌
段文婷
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期271-275,共5页
介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入...
介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入用于对i区进行轻掺杂。借助半导体工艺与器件仿真软件,得到了有源区尺寸、赝埋层到有源区的距离、p-i-n注入条件等关键工艺参数对p-i-n性能的影响。最后优化设计的p-i-n二极管,其在2.4 GHz频率下的指标参数,如插入损耗为-0.56 dB,隔离度为-22.26 dB,击穿电压大于15 V,它达到了WiFi电路中的开关器件的性能要求。
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关键词
P-I-N二极管
锗硅异质结双极型晶体管
双极互补金属氧化物半导体
赝埋层
工艺和器件仿真
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职称材料
题名
锗硅HBT BiCMOS工艺中的p-i-n开关二极管设计
1
作者
刘冬华
胡君
钱文生
陈帆
陈雄斌
段文婷
机构
上海华虹NEC电子有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期271-275,共5页
基金
国家科技02重大专项资助项目(2009ZX02303)
文摘
介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入用于对i区进行轻掺杂。借助半导体工艺与器件仿真软件,得到了有源区尺寸、赝埋层到有源区的距离、p-i-n注入条件等关键工艺参数对p-i-n性能的影响。最后优化设计的p-i-n二极管,其在2.4 GHz频率下的指标参数,如插入损耗为-0.56 dB,隔离度为-22.26 dB,击穿电压大于15 V,它达到了WiFi电路中的开关器件的性能要求。
关键词
P-I-N二极管
锗硅异质结双极型晶体管
双极互补金属氧化物半导体
赝埋层
工艺和器件仿真
Keywords
p-i-n diode
SiGe HBT
BiCMOS
pseudo buried layer
process and device simulation
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
锗硅HBT BiCMOS工艺中的p-i-n开关二极管设计
刘冬华
胡君
钱文生
陈帆
陈雄斌
段文婷
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
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