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温度与气压对脉冲PECVD沉积氧化铝薄膜的影响
被引量：
4
1
作者
胡蝶
陈强
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期662-668,共7页
在有机基体表面等离子体增强化学气相沉积(PECVD)Al2O3薄膜是提高其阻隔性能的有效方法,而高品质的Al2O3薄膜是提高阻隔性的关键因素之一。脉冲射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)可以实现比热化学气相沉积技术更宽的气体工作压力...
在有机基体表面等离子体增强化学气相沉积(PECVD)Al2O3薄膜是提高其阻隔性能的有效方法,而高品质的Al2O3薄膜是提高阻隔性的关键因素之一。脉冲射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)可以实现比热化学气相沉积技术更宽的气体工作压力、更多的单体选择和更好的薄膜性能,适合于制备高质量的薄膜。本文报道采用脉冲RF-PECVD氧化铝薄膜,且对影响薄膜结构和性能的工艺参数进行研究。通过椭圆偏振仪测量Al2O3的生长速率和折射率;利用红外光谱、扫描电镜和原子力显微镜对沉积的Al2O3薄膜进行成分、结构、表面粗糙度和形貌分析、测量和表征;采用透湿仪测量在有机聚酯薄膜表面沉积Al2O3层的阻隔性能。结果表明:薄膜沉积过程中的工作气压和沉积温度对脉冲RF-PECVD薄膜性能影响较大,在一定的沉积温度范围内,沉积的Al2O3薄膜为无色、透明、表面结构平滑致密;在温度相同的条件下,工作气压越高,纳米膜生长速率越快;而在相同工作气压下,沉积温度越低,薄膜生长速率越快。
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关键词
脉冲等离子体辅助化学气相
沉积
氧化铝
工作气压和沉积温度
水蒸汽透过率
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职称材料
题名
温度与气压对脉冲PECVD沉积氧化铝薄膜的影响
被引量：
4
1
作者
胡蝶
陈强
机构
北京印刷学院等离子体物理及材料研究室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期662-668,共7页
基金
绿色印刷与出版技术协同创新中心项目(CGPT15208)。
文摘
在有机基体表面等离子体增强化学气相沉积(PECVD)Al2O3薄膜是提高其阻隔性能的有效方法,而高品质的Al2O3薄膜是提高阻隔性的关键因素之一。脉冲射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)可以实现比热化学气相沉积技术更宽的气体工作压力、更多的单体选择和更好的薄膜性能,适合于制备高质量的薄膜。本文报道采用脉冲RF-PECVD氧化铝薄膜,且对影响薄膜结构和性能的工艺参数进行研究。通过椭圆偏振仪测量Al2O3的生长速率和折射率;利用红外光谱、扫描电镜和原子力显微镜对沉积的Al2O3薄膜进行成分、结构、表面粗糙度和形貌分析、测量和表征;采用透湿仪测量在有机聚酯薄膜表面沉积Al2O3层的阻隔性能。结果表明:薄膜沉积过程中的工作气压和沉积温度对脉冲RF-PECVD薄膜性能影响较大,在一定的沉积温度范围内,沉积的Al2O3薄膜为无色、透明、表面结构平滑致密;在温度相同的条件下,工作气压越高,纳米膜生长速率越快;而在相同工作气压下,沉积温度越低,薄膜生长速率越快。
关键词
脉冲等离子体辅助化学气相
沉积
氧化铝
工作气压和沉积温度
水蒸汽透过率
Keywords
Pulsed plasma-assisted chemical vapor deposition
Al2O3
Working pressure and deposition temperature
Water vapor transmission rate
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
O53 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
温度与气压对脉冲PECVD沉积氧化铝薄膜的影响
胡蝶
陈强
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
4
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