华虹半导体嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术解决方案支持MCU

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《集成电路应用》 2016年第9期44-44,共1页

2016年上半年，华虹半导体有限公司微控制器（MCU）芯片出货量达12亿颗，较2015年同期增长50％，创历史新高。凭借其全面的嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术解决方案及支持包括汽车级闪存在内的8位至32位MCU产品。

关键词 非易失性存储器 32位MCU 嵌入式 半导体 技术 微控制器

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飞利浦积极开发嵌入式非易失性存储器

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《现代电子技术》 2006年第7期27-27,共1页

关键词 飞利浦电子公司 嵌入式闪存 非易失性存储器 EEPROM 0.18微米 开发 CMOS 电子应用 工艺生产 产品发展

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华虹宏力在嵌入式非易失性存储器领域保持领先

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《集成电路应用》 2014年第7期44-44,共1页

华虹宏力的0．13微米嵌入式自对准分栅闪存技术（含标准版和微缩版），在器件结构、器件工艺、电路设计等方面均有创新，达到国际先进、国内领先水平。IP闪存面积小，设计优化，可保证100K的可擦写次数，数据保持可达100年，达到国际汽... 华虹宏力的0．13微米嵌入式自对准分栅闪存技术（含标准版和微缩版），在器件结构、器件工艺、电路设计等方面均有创新，达到国际先进、国内领先水平。IP闪存面积小，设计优化，可保证100K的可擦写次数，数据保持可达100年，达到国际汽车电子AEC—Q100标准，产品良率超过95％。尤其是0．13微米微缩版嵌入式闪存技术存储单元面积只有0．197平方微米，为业界0．13微米技术节点的最小闪存存储单元尺寸。 展开更多

关键词 非易失性存储器 嵌入式 闪存技术 宏 单元面积 器件结构 器件工艺 电路设计

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中星微电子投产采用Kilopass嵌入式非易失性存储器技术的PC-CAM处理器

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《电子与电脑》 2011年第4期101-101,共1页

半导体逻辑非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）供应商Kilopass科技公司，和致力于设计先进混合信号多媒体产品和解决方案的多媒体半导体和解决方案领先提供商中星微电子公司联合宣布，中星微电子将在一系列笔记本PC摄像头处理器中采用... 半导体逻辑非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）供应商Kilopass科技公司，和致力于设计先进混合信号多媒体产品和解决方案的多媒体半导体和解决方案领先提供商中星微电子公司联合宣布，中星微电子将在一系列笔记本PC摄像头处理器中采用Kilopass公司的非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）。Kilopass公司的非易失性存储器可让开发者获得灵活的升级途径，同时支持中星微电子的高性能要求。 展开更多

关键词 非易失性存储器 中星微电子公司 处理器 嵌入式 pass公司 多媒体产品 技术 投产

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飞利浦积极开发嵌入式非易失性存储器产品

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《汽车制造业》 2006年第6期8-8,共1页

2006年3月15日，皇家飞利浦电子公司宣布其0．18μm CMOS嵌入式闪存／EEPROM技术现已完全符合Grade-1汽车电子应用的需求，而其先进的0．14μm嵌入式闪存／EEPROM已开始在位于荷兰奈梅亨市的晶圆厂进行量产，这也是飞利浦第二家符合这... 2006年3月15日，皇家飞利浦电子公司宣布其0．18μm CMOS嵌入式闪存／EEPROM技术现已完全符合Grade-1汽车电子应用的需求，而其先进的0．14μm嵌入式闪存／EEPROM已开始在位于荷兰奈梅亨市的晶圆厂进行量产，这也是飞利浦第二家符合这一工艺生产要求的工厂。 展开更多

关键词 皇家飞利浦电子公司 嵌入式闪存 非易失性存储器 EEPROM 产品 开发 0.18μm 电子应用 CMOS 工艺生产

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嵌入式非挥发性存储器NVM技术的发展趋势 被引量：1

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作者 倪昊 骆蓉颜 王盈 《集成电路应用》 2022年第10期1-4,共4页

阐述嵌入式NVM的发展趋势,对现有的和新兴的嵌入式NVM器件进行比较,从存储单元、工艺兼容和设计复用的角度提出真嵌入式NVM方法。探讨嵌入式NVM的新应用,应用驱动的性能强化需求,分析一个实际案例,包括嵌入式NVM的功耗、性能、可靠性优化。

关键词 非挥发性存储器 嵌入式NVM 存储单元 工艺兼容 设计复用

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嵌入式非易失存储器FRAM

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《电声技术》 北大核心 2002年第12期77-77,共1页

关键词 嵌入式 非易失存储器 FRAM

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德州仪器着眼于将嵌入式FRAM作为新一代非易失存储器技术

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《电子质量》 2002年第12期114-114,共1页

关键词 嵌入式 FRAM 非易失存储器 德州仪器公司 铁电存储器

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华虹NEC成功开发具超高可靠性的嵌入式非挥发性存储器模块

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《中国集成电路》 2012年第3期1-1,共1页

上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布，基于公司成熟的0．13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台，已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性（UHR—ultraHighReliability）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM／FlashlP），使0．13微米SONOSEEPROM／Flas... 上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布，基于公司成熟的0．13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台，已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性（UHR—ultraHighReliability）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM／FlashlP），使0．13微米SONOSEEPROM／FlashIP的数据保存时问从常规的10年提升到了超过30年，而擦写次数则从100K大幅提高到超过500K。这次在0．13微米嵌入式存储器工艺上的技术提升将进一步扩大华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器代工市场上的竞争优势，巩固公司在智能卡和安全类芯片领域的地位。（来自华虹NEC） 展开更多

关键词 非挥发性存储器 嵌入式存储器 存储器模块 高可靠性 NEC 开发 SONOS 数据保存

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多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析 被引量：3

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作者 王宇龙 王明 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第1期65-69,共5页

基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温... 基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能。经过10^(4)次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性。通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150℃条件下样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能。 展开更多

关键词 嵌入式非易失性存储器(envm) 多次可编程(MTP)存储器 数据保持能力 Arrhenius模型 加速老化试验 激活能

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浅述嵌入式FRAM存储器的MCU

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作者 Mike Alwais 《电子与电脑》 2007年第3期88-89,共2页

铁电存储器（FRAM）作为非易失性的存储器，现正越来越受到更多设计工程师的欢迎。随着存储器技术渐趋成熟，已由独立的形式转变为嵌入式．市场对嵌入式FRAM的兴趣也越来越浓。为了适应这个趋势，Ramtron公司推出了VRS51L3074，嵌入了8K... 铁电存储器（FRAM）作为非易失性的存储器，现正越来越受到更多设计工程师的欢迎。随着存储器技术渐趋成熟，已由独立的形式转变为嵌入式．市场对嵌入式FRAM的兴趣也越来越浓。为了适应这个趋势，Ramtron公司推出了VRS51L3074，嵌入了8KBFRAM。而本文将描述嵌入式FRAM的应用实例。 展开更多

关键词 铁电存储器 FRAM 嵌入式 MCU Ramtron公司 设计工程师 非易失性

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28nmFD-SOI工艺嵌入式存储器即将问世

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《中国集成电路》 2016年第9期7-7,共1页

三星晶圆代工业务（SamsungFoundry）准备开始以28nmFD—SOI工艺，提供SST—MRAM（spintorque transfer magneticRAM）以及快闪存储器，做为嵌入式非挥发性存储器（eNVM）选项。

关键词 嵌入式存储器 SOI工艺 非挥发性存储器 快闪存储器 晶圆代工 SST

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安森美半导体180nm工艺技术嵌入Sidense的1T-OTP存储器

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《电子设计工程》 2011年第8期189-189,共1页

领先的逻辑非易失性存储器（LNVM）一次性可编程（OTP）存储器知识产权（IP）内核开发商Sidense与应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商（ON Semiconductor）宣布，Sidence已将其180 nm OTP存储器SLP产品线移配到安森美半导体... 领先的逻辑非易失性存储器（LNVM）一次性可编程（OTP）存储器知识产权（IP）内核开发商Sidense与应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商（ON Semiconductor）宣布，Sidence已将其180 nm OTP存储器SLP产品线移配到安森美半导体的180nm数字及混合信号技术平台ONC18。 展开更多

关键词 OTP存储器 安森美半导体 技术平台 非易失性存储器 嵌入 工艺 电子产品 知识产权

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嵌入式系统的存储技术

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作者 Frans List 《电子产品世界》 2004年第11B期98-100,共3页

闪存在众多消费类电子产品中得以广泛应用。虽然许多应用中的分立闪存芯片能够提供256 Mb 甚至更高的存储能力,然而在低密度应用中,将闪存与嵌入式处理器、外围器件和其他存储器一起集成到主逻辑芯片则更具优势。

关键词 嵌入式系统 闪存 安全代码 非易失性存储器 存储技术 嵌入式处理器 存储系统 手机 机顶盒 引脚

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嵌入式单片机应用系统的数据记录与分析 被引量：2

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作者 赵月琴 刘宝赋 《航空兵器》 2004年第6期37-39,共3页

嵌入式单片机系统通常由ROM程序存储器、RAM数据存储器以及其他外围电路等组成 ,上电后启动工作 ,断电后停止工作 ,数据丢失。但在有些场合 ,在系统偶然或人为断电后 ,希望对系统的工作情况和实时处理的数据进行保存 ,用于事后分析。本... 嵌入式单片机系统通常由ROM程序存储器、RAM数据存储器以及其他外围电路等组成 ,上电后启动工作 ,断电后停止工作 ,数据丢失。但在有些场合 ,在系统偶然或人为断电后 ,希望对系统的工作情况和实时处理的数据进行保存 ,用于事后分析。本文叙述了在嵌入式应用系统中利用RAMTRON公司的非易失性存储器FM180 8进行数据记录的设计思路 ,并给出了记录数据提取和分析的基本方案。 展开更多

关键词 嵌入式单片机 数据记录 FM1808 非易失性存储器 工作时序

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基于嵌入式系统硬件加密的技术研究 被引量：1

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作者 刘烊 侯方勇 陈雪 《黑龙江科技信息》 2012年第36期105-105,11,共2页

通过对几种常见的硬件加密技术的研究,深入解析其应用方法,并结合硬件加密技术在国内外的最新进展,运用非易失性主存(PCM),构建出一套基于嵌入式系统的硬件加密技术,该系统在对数据进行加密时会更加快捷,更加节省资源,并且可以更好保证... 通过对几种常见的硬件加密技术的研究,深入解析其应用方法,并结合硬件加密技术在国内外的最新进展,运用非易失性主存(PCM),构建出一套基于嵌入式系统的硬件加密技术,该系统在对数据进行加密时会更加快捷,更加节省资源,并且可以更好保证数据的安全性和完整性。 展开更多

关键词 硬件加密 嵌入式 非易失性主存(PCM)

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Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布其汽车级55nm嵌入式闪存技术已获认证

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《电子设计工程》 2015年第11期89-89,共1页

全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商--Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）通过其子公司Silicon Storage Technology（SST）与先进半导体制造技术的领先供应商GLOBALFOUNDRIES共同宣布,基... 全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商--Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）通过其子公司Silicon Storage Technology（SST）与先进半导体制造技术的领先供应商GLOBALFOUNDRIES共同宣布,基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗强化型（LPx）/RF平台的SST 55 nm嵌入式Super Flash非易失性存储器（NVM）产品已通过全面认证并开始投放市场。 展开更多

关键词 SILICON Storage 闪存技术 嵌入式 认证 美国微芯科技公司 半导体制造技术 非易失性存储器

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一种嵌入式实时多分区操作系统下的NVRAM管理机制

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作者 景月娟 彭寒 +1 位作者 刘洲洲 张晓丽 《电子设计工程》 2023年第24期38-41,46,共5页

在嵌入式实时多分区操作系统中,针对直接通过绝对地址访问NVRAM导致存储器访问越界的问题,该文提出了一种NVRAM管理机制,通过定义注册接口、读取接口和写入接口,屏蔽了不安全的物理存储器访问机制,建立了安全可靠的NVRAM管理机制。通过... 在嵌入式实时多分区操作系统中,针对直接通过绝对地址访问NVRAM导致存储器访问越界的问题,该文提出了一种NVRAM管理机制,通过定义注册接口、读取接口和写入接口,屏蔽了不安全的物理存储器访问机制,建立了安全可靠的NVRAM管理机制。通过实际的工程应用证明,该NVRAM管理机制完全避免了存储越界访问的风险,同时降低了系统维护成本,有效地提高了应用软件的安全性,降低了开发成本。 展开更多

关键词 嵌入式实时多分区操作系统 非易失随机访问存储器 存储器越界 管理机制

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Lattice首款90纳米非易失性FPGA

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作者 莫 《电子产品世界》 2007年第7期124-124,共1页

莱迪思半导体公司（Lattice）近日发布了其第三代非易失FPGA器件——LatticeXP2系列。LatticeXP2系列FPGA结合了富士通的90纳米逻辑制程以及Lattice嵌入式闪存制程，具有最大为40K的查找表（LUT）、性能较上一代XP系列提升了25％、并加... 莱迪思半导体公司（Lattice）近日发布了其第三代非易失FPGA器件——LatticeXP2系列。LatticeXP2系列FPGA结合了富士通的90纳米逻辑制程以及Lattice嵌入式闪存制程，具有最大为40K的查找表（LUT）、性能较上一代XP系列提升了25％、并加入专用DSP块。 展开更多

关键词 LATTICE FPGA器件 非易失性 纳米 莱迪思半导体公司 嵌入式闪存 第三代 富士通

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嵌入式

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《电子产品世界》 2014年第1期75-76,共2页

SiliconLabs针对物联网推出最低功耗和最小尺寸的无线MCU;Synopsys功耗非挥发性存储器IP将功耗降低90％;Microchip推出交钥匙解决方案。

关键词 嵌入式 MICROCHIP 非挥发性存储器 低功耗 最小尺寸 产品组合 MCU 物联网

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