检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

晶体管发射区归一化面积的温度谱被引量：3: 1; 作者苗庆海杜文华 +2 位作者张兴华吴洪江张德骏《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第12期53-56,共4页; 从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法。发射区热谱是发射区归一化面积的温度谱,也就是发射区温度所占有的发射区归一化面积对温度的直方图。本文提供了... 展开更多; 关键词芯片表面红外热像图发射区热像图晶体管结温不均匀性发射区热谱红外热像峰值结温; 在线阅读下载PDF 职称材料

P波段GaN微波功率器件射频加速寿命试验: 2; 作者董四华高永辉 +2 位作者银军赵景波郝海飞《通讯世界》 2024年第7期15-17,共3页; 氮化镓(GaN)微波功率器件广泛应用于民用雷达及通信领域,其长期工作可靠性对整机设备性能有着极其重要的影响。在150℃管壳温度的条件下对千瓦级P波段GaN微波功率器件进行加速寿命试验,基于Arrhenius模型对加速寿命试验结果进行计算和分... 展开更多; 关键词峰值结温可靠性加速寿命试验平均失效时间 P波段; 在线阅读下载PDF 职称材料

L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验被引量：7: 3; 作者王因生陶有迁 +4 位作者徐全胜金毓铨傅义珠丁晓明王志楠《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期473-477,共5页; 利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF... 展开更多; 关键词硅微波脉冲功率管可靠性寿命试验峰值结温; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs MMIC的热生成机制的建模与仿真方法: 4; 作者赵磊何小琦 +2 位作者来萍周斌恩云飞《电子产品可靠性与环境试验》 2013年第6期36-40,共5页; 以GaAs基异质结双极性晶体管(HBT)单片微波集成电路(MMIC)为例,研究了器件内部的热生成机制,包括:确定器件内部的热生成机制及热生成区的位置,讨论器件内部热传导和热耗散的形式,建立器件的详细3 D实体模型。利用有限元软件ANSYS WorkBe... 展开更多; 关键词热生成区峰值结温有限元仿真单片微波集成电路异质结双极性晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名晶体管发射区归一化面积的温度谱被引量：3: 1; 作者苗庆海杜文华张兴华吴洪江张德骏; 机构山东大学物理与微电子学院中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第12期53-56,共4页; 基金国家自然科学基金项目(69946001); 文摘从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法。发射区热谱是发射区归一化面积的温度谱,也就是发射区温度所占有的发射区归一化面积对温度的直方图。本文提供了由红外热像图导出发射区热谱的过程及结果。; 关键词芯片表面红外热像图发射区热像图晶体管结温不均匀性发射区热谱红外热像峰值结温; Keywords infrared image peak junction temperature thermal spectrum; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名P波段GaN微波功率器件射频加速寿命试验: 2; 作者董四华高永辉银军赵景波郝海飞; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《通讯世界》 2024年第7期15-17,共3页; 基金 “叶企孙”科学基金-高功率微波作用下千瓦级GaN微波器件损伤机理、可靠性模型和加固研究(U2241220)。; 文摘氮化镓(GaN)微波功率器件广泛应用于民用雷达及通信领域,其长期工作可靠性对整机设备性能有着极其重要的影响。在150℃管壳温度的条件下对千瓦级P波段GaN微波功率器件进行加速寿命试验,基于Arrhenius模型对加速寿命试验结果进行计算和分析,得出该微波功率器件在85℃管壳温度工作条件下的平均失效时间优于2.14×10^(6) h,其工作寿命可以满足射频整机设备应用的要求。; 关键词峰值结温可靠性加速寿命试验平均失效时间 P波段; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验被引量：7: 3; 作者王因生陶有迁徐全胜金毓铨傅义珠丁晓明王志楠; 机构南京电子器件研究所中国国防科技信息研究中心; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期473-477,共5页; 文摘利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器件失效率λ≤1.59×10-7h-1。试验分析表明,采用本试验方法可以更真实地评估射频功率管的可靠性水平。; 关键词硅微波脉冲功率管可靠性寿命试验峰值结温; Keywords Si microwave pulsed power transistors reliability life test peak junction temperature; 分类号 TN323.4 [电子电信—物理电子学] TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs MMIC的热生成机制的建模与仿真方法: 4; 作者赵磊何小琦来萍周斌恩云飞; 机构广东工业大学材料与能源学院工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 2013年第6期36-40,共5页; 文摘以GaAs基异质结双极性晶体管(HBT)单片微波集成电路(MMIC)为例,研究了器件内部的热生成机制,包括:确定器件内部的热生成机制及热生成区的位置,讨论器件内部热传导和热耗散的形式,建立器件的详细3 D实体模型。利用有限元软件ANSYS WorkBench,对已确定的热生成区进行热功耗加载,以便更加精确地模拟器件的峰值结温。; 关键词热生成区峰值结温有限元仿真单片微波集成电路异质结双极性晶体管; Keywords heat generation region peak junction temperature finite element simulation In-GaP/GaAs HBT; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料