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基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真
被引量：
2
1
作者
鞠国豪
程正喜
+1 位作者
陈永平
钟燕平
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期184-191,199,共9页
采用标准CMOS工艺制备的n^+-p-π-p^+结构的线性APD,其倍增区p层的掺杂分布极大地影响着器件的性能.采用Silvaco仿真软件对倍增区p层进行了设计仿真,研究了p层的注入剂量和注入峰值浓度深度对器件特性的影响.仿真结果表明,设定器件增益...
采用标准CMOS工艺制备的n^+-p-π-p^+结构的线性APD,其倍增区p层的掺杂分布极大地影响着器件的性能.采用Silvaco仿真软件对倍增区p层进行了设计仿真,研究了p层的注入剂量和注入峰值浓度深度对器件特性的影响.仿真结果表明,设定器件增益为50,在p层的最佳注入剂量为1.82×10^(12)/cm^2,峰值浓度深度为2.1μm左右的最佳工艺条件下,器件的工作电压为73.1 V,过剩噪声因子为4.59,过剩噪声指数在0.34~0.45之间(波长λ=800 nm),优于目前已报道的结果.通过工艺的优化,器件的性能可以得到进一步提高.
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关键词
标准CMOS工艺
线性APD
掺杂分布
峰值浓度深度
仿真
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职称材料
题名
基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真
被引量：
2
1
作者
鞠国豪
程正喜
陈永平
钟燕平
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室
中国科学院大学
上海科技大学信息科学与技术学院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期184-191,199,共9页
基金
中国科学院上海技术物理研究所重点培育方向性项目~~
文摘
采用标准CMOS工艺制备的n^+-p-π-p^+结构的线性APD,其倍增区p层的掺杂分布极大地影响着器件的性能.采用Silvaco仿真软件对倍增区p层进行了设计仿真,研究了p层的注入剂量和注入峰值浓度深度对器件特性的影响.仿真结果表明,设定器件增益为50,在p层的最佳注入剂量为1.82×10^(12)/cm^2,峰值浓度深度为2.1μm左右的最佳工艺条件下,器件的工作电压为73.1 V,过剩噪声因子为4.59,过剩噪声指数在0.34~0.45之间(波长λ=800 nm),优于目前已报道的结果.通过工艺的优化,器件的性能可以得到进一步提高.
关键词
标准CMOS工艺
线性APD
掺杂分布
峰值浓度深度
仿真
Keywords
standard CMOS process
linear APD
doping distribution
depth of peak concentration
simulation
分类号
TN364 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真
鞠国豪
程正喜
陈永平
钟燕平
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
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职称材料
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