介绍了550 kV SF6气体绝缘金属封闭式组合电器(GIS)高海拔套管的绝缘屏蔽结构参数对电场分布的影响。针对套管单屏蔽结构方案,通过有限元法研究了接地屏蔽层翻边结构参数组合对套管内部最大电场强度的影响;研究了接地屏蔽层高度对GIS套...介绍了550 kV SF6气体绝缘金属封闭式组合电器(GIS)高海拔套管的绝缘屏蔽结构参数对电场分布的影响。针对套管单屏蔽结构方案,通过有限元法研究了接地屏蔽层翻边结构参数组合对套管内部最大电场强度的影响;研究了接地屏蔽层高度对GIS套管内外绝缘电场强度分布的影响。从而通过最优化接地屏蔽层高度和接地屏蔽层翻边结构参数组合,得到合理的套管内外电场分布,有效解决了高海拔型套管外绝缘修正后的内外电场分布均匀化问题,为550 k V SF6气体绝缘高海拔套管的绝缘结构设计提供了理论依据。展开更多
中压开关柜的空间狭小使基于电阻分压的EVT(electronic voltage transformer,EVT)存在较大的分布电容而影响其准确度。通过EVT与开关柜之间的分布电容等效电路模型,分析了分布电容对EVT准确度的影响。仿真对比了不同屏蔽结构的单相EVT...中压开关柜的空间狭小使基于电阻分压的EVT(electronic voltage transformer,EVT)存在较大的分布电容而影响其准确度。通过EVT与开关柜之间的分布电容等效电路模型,分析了分布电容对EVT准确度的影响。仿真对比了不同屏蔽结构的单相EVT及三相EVT开关柜环境下的输出电压变化及最大场强,结果表明,对于整体高度相等的屏蔽罩,高低压屏蔽结构和高压屏蔽结构的屏蔽效果较优,在屏蔽整体高度达到60 mm时,开关柜分布电容对EVT比差的影响可降低到0.1%左右,当整体屏蔽高度达到90 mm时,其影响可降低到0.02%以内。采用高压屏蔽结构的样机测试结果验证了屏蔽结构对于开关柜分布电容屏蔽的有效性。展开更多
文摘介绍了550 kV SF6气体绝缘金属封闭式组合电器(GIS)高海拔套管的绝缘屏蔽结构参数对电场分布的影响。针对套管单屏蔽结构方案,通过有限元法研究了接地屏蔽层翻边结构参数组合对套管内部最大电场强度的影响;研究了接地屏蔽层高度对GIS套管内外绝缘电场强度分布的影响。从而通过最优化接地屏蔽层高度和接地屏蔽层翻边结构参数组合,得到合理的套管内外电场分布,有效解决了高海拔型套管外绝缘修正后的内外电场分布均匀化问题,为550 k V SF6气体绝缘高海拔套管的绝缘结构设计提供了理论依据。
文摘中压开关柜的空间狭小使基于电阻分压的EVT(electronic voltage transformer,EVT)存在较大的分布电容而影响其准确度。通过EVT与开关柜之间的分布电容等效电路模型,分析了分布电容对EVT准确度的影响。仿真对比了不同屏蔽结构的单相EVT及三相EVT开关柜环境下的输出电压变化及最大场强,结果表明,对于整体高度相等的屏蔽罩,高低压屏蔽结构和高压屏蔽结构的屏蔽效果较优,在屏蔽整体高度达到60 mm时,开关柜分布电容对EVT比差的影响可降低到0.1%左右,当整体屏蔽高度达到90 mm时,其影响可降低到0.02%以内。采用高压屏蔽结构的样机测试结果验证了屏蔽结构对于开关柜分布电容屏蔽的有效性。
