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MFS结构铁电薄膜C-V特性的研究及界面电位降的计算
1
作者
王宁章
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
2005年第3期248-251,共4页
利用准分子激光原位淀积方法制备了B IT/PZT/B IT,PZT/B IT和B IT层状铁结构电薄膜,借助HP 4192A低频率阻抗分析仪对样品的C-V特性进行了测试,用半导体理论讨论了金属—铁电薄膜—半导体(M FS)结构的电容电压(C-V)特性,由C-V曲线理论算...
利用准分子激光原位淀积方法制备了B IT/PZT/B IT,PZT/B IT和B IT层状铁结构电薄膜,借助HP 4192A低频率阻抗分析仪对样品的C-V特性进行了测试,用半导体理论讨论了金属—铁电薄膜—半导体(M FS)结构的电容电压(C-V)特性,由C-V曲线理论算出界面电位降Vi,结果表明,界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关.在三种结构中,B IT/PZT/B IT结构的界面电压降为最小,其界面效应优于单层和双层结构的界面效应.
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关键词
层状结构铁电薄膜
界面
电
位降
耗尽层
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职称材料
题名
MFS结构铁电薄膜C-V特性的研究及界面电位降的计算
1
作者
王宁章
机构
广西大学计算机与电子信息学院
出处
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
2005年第3期248-251,共4页
基金
广西大学基金资助项目(X002081)
文摘
利用准分子激光原位淀积方法制备了B IT/PZT/B IT,PZT/B IT和B IT层状铁结构电薄膜,借助HP 4192A低频率阻抗分析仪对样品的C-V特性进行了测试,用半导体理论讨论了金属—铁电薄膜—半导体(M FS)结构的电容电压(C-V)特性,由C-V曲线理论算出界面电位降Vi,结果表明,界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关.在三种结构中,B IT/PZT/B IT结构的界面电压降为最小,其界面效应优于单层和双层结构的界面效应.
关键词
层状结构铁电薄膜
界面
电
位降
耗尽层
Keywords
multilayer ferroelectric films
the voltage trop at interface
depletion layer
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
MFS结构铁电薄膜C-V特性的研究及界面电位降的计算
王宁章
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
2005
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