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以g-C3N4为原料快速合成Ti2Al（C,N）陶瓷及其层状生长机制研究
1
作者
李啸轩
张强
朱春城
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期32-36,共5页
以Ti、Al和g-C3N4粉体为原料,采用快速、能耗低的自蔓延高温合成法制备出Ti2Al(C,N)。当Ti、Al和g-C3N4的物质的量比为2∶1.05∶1时,Ti2Al(C,N)的含量最高。在反应过程中,Al的熔化促进了Ti(s)和g-C3N4(s)反应生成Ti(C,N)(s),在降温阶段T...
以Ti、Al和g-C3N4粉体为原料,采用快速、能耗低的自蔓延高温合成法制备出Ti2Al(C,N)。当Ti、Al和g-C3N4的物质的量比为2∶1.05∶1时,Ti2Al(C,N)的含量最高。在反应过程中,Al的熔化促进了Ti(s)和g-C3N4(s)反应生成Ti(C,N)(s),在降温阶段Ti(s)和Al(l)形成TiAl(s),之后Ti(C,N)(s)和TiAl(s)反应生成片层状的Ti 2Al(C,N)(s)。Ti2Al(C,N)晶粒的层状生长研究表明,Ti2Al(C,N)为二维生长机制,以阶梯状生长模式生长;Ti2Al(C,N)大晶粒的片层存在向内的扩展方式;杂质小颗粒的存在对Ti2Al(C,N)片层的横向扩展产生阻碍作用。
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关键词
Ti2Al(C
N)
自蔓延高温合成
层状生长机制
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职称材料
高温高压下Fe-Ni-C系中金刚石层状生长的机理探讨
被引量：
2
2
作者
李和胜
亓永新
李木森
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2008年第5期7-11,15,共6页
采用以单质金属粉为主要原料的粉末冶金铁基触媒在国产六面顶压机上进行金刚石合成试验。利用扫描电镜(SEM)、场发射扫描电镜(FESEM)和原子力显微镜(AFM)对金刚石/金属包覆膜界面的微观形貌进行了细致表征。结果发现,未得以充分生长的...
采用以单质金属粉为主要原料的粉末冶金铁基触媒在国产六面顶压机上进行金刚石合成试验。利用扫描电镜(SEM)、场发射扫描电镜(FESEM)和原子力显微镜(AFM)对金刚石/金属包覆膜界面的微观形貌进行了细致表征。结果发现,未得以充分生长的金刚石表面存在宏观的晶体缺陷和明显的层状堆叠形貌;金属包覆膜上也会存在相应的复型和典型的台阶状形貌。充分生长的金刚石单晶表面依然存有大量高十几纳米的阶梯状或锯齿状生长台阶以及明显的位错蚀坑和形状规则的螺旋状生长台阶;金属包覆膜上也发现有阶梯状生长台阶的复型。分析认为,由于高温高压下金刚石晶体在触媒熔体中生长,作为杂质的触媒原子会在金刚石晶体表面造成大量的位错,金刚石依靠位错在晶体表面造成的台阶克服了形成二维晶核所需的较高的过饱和度和能量势垒,以层状堆叠的方式完成长大,即金刚石在高温高压下的生长是一种位错机制主导的层状生长。
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关键词
人造金刚石
Fe-Ni-C系
层状生长机制
高温高压
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职称材料
题名
以g-C3N4为原料快速合成Ti2Al（C,N）陶瓷及其层状生长机制研究
1
作者
李啸轩
张强
朱春城
机构
哈尔滨师范大学化学化工学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期32-36,共5页
基金
黑龙江省自然科学基金重点项目(ZD2017011)
国家自然科学基金(51572064)~~
文摘
以Ti、Al和g-C3N4粉体为原料,采用快速、能耗低的自蔓延高温合成法制备出Ti2Al(C,N)。当Ti、Al和g-C3N4的物质的量比为2∶1.05∶1时,Ti2Al(C,N)的含量最高。在反应过程中,Al的熔化促进了Ti(s)和g-C3N4(s)反应生成Ti(C,N)(s),在降温阶段Ti(s)和Al(l)形成TiAl(s),之后Ti(C,N)(s)和TiAl(s)反应生成片层状的Ti 2Al(C,N)(s)。Ti2Al(C,N)晶粒的层状生长研究表明,Ti2Al(C,N)为二维生长机制,以阶梯状生长模式生长;Ti2Al(C,N)大晶粒的片层存在向内的扩展方式;杂质小颗粒的存在对Ti2Al(C,N)片层的横向扩展产生阻碍作用。
关键词
Ti2Al(C
N)
自蔓延高温合成
层状生长机制
Keywords
Ti2Al(C,N)
self-propagating high temperature synthesis
layered growth mechanism
分类号
TG148 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
高温高压下Fe-Ni-C系中金刚石层状生长的机理探讨
被引量：
2
2
作者
李和胜
亓永新
李木森
机构
山东大学材料科学与工程学院
山东省超硬材料工程技术研究中心
出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2008年第5期7-11,15,共6页
基金
国家自然科学基金(50772060)
山东省自然科学基金(Y2007F12)
山东省博士后科研创新专项基金(200702024)资助项目
文摘
采用以单质金属粉为主要原料的粉末冶金铁基触媒在国产六面顶压机上进行金刚石合成试验。利用扫描电镜(SEM)、场发射扫描电镜(FESEM)和原子力显微镜(AFM)对金刚石/金属包覆膜界面的微观形貌进行了细致表征。结果发现,未得以充分生长的金刚石表面存在宏观的晶体缺陷和明显的层状堆叠形貌;金属包覆膜上也会存在相应的复型和典型的台阶状形貌。充分生长的金刚石单晶表面依然存有大量高十几纳米的阶梯状或锯齿状生长台阶以及明显的位错蚀坑和形状规则的螺旋状生长台阶;金属包覆膜上也发现有阶梯状生长台阶的复型。分析认为,由于高温高压下金刚石晶体在触媒熔体中生长,作为杂质的触媒原子会在金刚石晶体表面造成大量的位错,金刚石依靠位错在晶体表面造成的台阶克服了形成二维晶核所需的较高的过饱和度和能量势垒,以层状堆叠的方式完成长大,即金刚石在高温高压下的生长是一种位错机制主导的层状生长。
关键词
人造金刚石
Fe-Ni-C系
层状生长机制
高温高压
Keywords
synthetic diamond
Fe-Ni-C system
layer growth mechanism
HP-HT
分类号
TQ164 [化学工程—高温制品工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
以g-C3N4为原料快速合成Ti2Al（C,N）陶瓷及其层状生长机制研究
李啸轩
张强
朱春城
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
高温高压下Fe-Ni-C系中金刚石层状生长的机理探讨
李和胜
亓永新
李木森
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2008
2
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职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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