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Yb^(3+)/Tm^(3+)共掺层状钙钛矿型CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)半导体的制备及上转换发光性能研究: 1; 作者张郎景杨芳 +5 位作者舒匀李昱石艺李文睿李世坤彭跃红《大学物理实验》 2024年第5期63-67,共5页; 采用固相法合成了Yb^(3+)/Tm^(3+)共掺杂的层状钙钛矿型CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)(CBN)上转换(UC)发光材料,并利用粉末X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和UC发射光谱研究了它们的物相结构、形貌和上转换发光性能。在980 nm激发下,CaBi_... 展开更多; 关键词上转换发光层状半导体 CaBi_(2)Nb_(2)O_(9); 在线阅读下载PDF 职称材料

非层状二维CdSe的制备及厚度对带隙的影响: 2; 作者李婷张文婷 +3 位作者王红艳李秀梅雷子煊夏晓凤《原子与分子物理学报》北大核心 2024年第5期153-158,共6页; 二维半导体材料的天然带隙有望弥补石墨烯的零带隙缺陷,打破后者在场效应晶体管、开关器件、逻辑电路等领域的应用瓶颈. 相较于层状半导体材料,非层状半导体材料多以较强的离子键/共价键结合,且各向同性,因此要获取其二维结构存在一定挑... 展开更多; 关键词非层状半导体材料二维CdSe 化学气相沉积带隙第一性原理; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于FET结构的MoS_(2)器件的研究进展被引量：1: 3; 作者潘苏敏黄玲琴陶化文《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第3期210-217,共8页; 对带隙可调的二维层状半导体二硫化钼(MoS_(2))的材料特性以及基于MoS_(2)薄膜的器件性能和应用进行了简单阐述,重点分析了多种MoS_(2)场效应晶体管(FET)的结构特点,并对MoS_(2) FET的制备工艺、电学性能(载流子迁移率、电流开关比、亚... 展开更多; 关键词二硫化钼(MoS_(2)) 场效应晶体管(FET) 光电器件传感器二维层状半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaSe纳米带的可控生长及其光电探测器的光电特性被引量：1: 4; 作者汪明单龙强 +1 位作者郭西深陈士荣《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第10期1027-1034,共8页; 二维层状半导体材料GaSe由于具有良好的光电特性,在光电子器件领域备受关注。以GaSe/Ga_(2)Se_(3)高纯粉末混合物为前驱体,通过化学气相沉积(CVD)法实现了结晶良好的六方晶系GaSe纳米带的均匀、可控生长。分析表明,反应温度和反应时间... 展开更多; 关键词 GaSe纳米带光电探测器化学气相沉积(CVD) 二维层状半导体材料可控生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Yb^(3+)/Tm^(3+)共掺层状钙钛矿型CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)半导体的制备及上转换发光性能研究: 1; 作者张郎景杨芳舒匀李昱石艺李文睿李世坤彭跃红; 机构楚雄师范学院资源环境与化学学院楚雄师范学院物理与电子科学学院; 出处《大学物理实验》 2024年第5期63-67,共5页; 基金云南省地方本科高校基础研究联合专项资金项目面上项目(202101BA070001-085) 2024年度云南省大学生创新创业训练计划项目。; 文摘采用固相法合成了Yb^(3+)/Tm^(3+)共掺杂的层状钙钛矿型CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)(CBN)上转换(UC)发光材料,并利用粉末X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和UC发射光谱研究了它们的物相结构、形貌和上转换发光性能。在980 nm激发下,CaBi_(2)Nb_(2)O_(9):Yb^(3+)/Tm^(3+)样品呈现出以478 nm为中心的强蓝光发射,并伴有典型的647 nm、695 nm弱红光发射和783 nm近红外发射,这归因于Tm^(3+)分别对应于^(1)G_(4)→^(3)H_(6)、^(1)G_(4)→^(3)F_(4)、^(3)F_(3)→^(3)H_(6)和^(3)H_(4)→^(3)H_(6)跃迁。功率依赖性研究表明,所有UC发射都是双光子过程。结果表明,CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)是一种很有前途的UC发光材料。; 关键词上转换发光层状半导体 CaBi_(2)Nb_(2)O_(9); Keywords upconversion luminescence layered semiconductor CaBi_(2)Nb_(2)O_(9); 分类号 O433 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非层状二维CdSe的制备及厚度对带隙的影响: 2; 作者李婷张文婷王红艳李秀梅雷子煊夏晓凤; 机构西南交通大学物理科学与技术学院材料先进技术重点实验室; 出处《原子与分子物理学报》北大核心 2024年第5期153-158,共6页; 基金国家自然科学基金青年科学基金项目(51902272) 四川省科技厅计划项目(2021YFG0228,2682021GF007)。; 文摘二维半导体材料的天然带隙有望弥补石墨烯的零带隙缺陷,打破后者在场效应晶体管、开关器件、逻辑电路等领域的应用瓶颈. 相较于层状半导体材料,非层状半导体材料多以较强的离子键/共价键结合,且各向同性,因此要获取其二维结构存在一定挑战. 本论文通过化学气相沉积法实现了非层状CdSe在云母衬底上的二维各向异性生长. 详细表征了二维CdSe的微观形貌、晶体结构和光学特性等. 结果表明,样品具有显著的光致发光 (PL )效应,说明厚度减薄至纳米级时不会破坏CdSe的直接带隙属性. 此外,随着厚度减小,样品的PL峰逐渐蓝移. 为了进一步解释该现象,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了不同厚度的CdSe的能带结构,结果显示均为直接带隙,且随厚度减小,带隙值增大,与实验现象吻合. 由此可知,通过生长参数调控二维CdSe的厚度,即可实现对其带隙的有效调控,这对相关光电器件的性能提升具有指导意义.; 关键词非层状半导体材料二维CdSe 化学气相沉积带隙第一性原理; Keywords Non-layered semiconductor materials Two-dimensional CdSe Chemical vapor deposition Bandgap First principles; 分类号 O64 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于FET结构的MoS_(2)器件的研究进展被引量：1: 3; 作者潘苏敏黄玲琴陶化文; 机构江苏师范大学电气工程及自动化学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第3期210-217,共8页; 基金国家自然科学基金资助项目(62074071) 徐州市科技计划资助项目(KC21008) +1 种基金江苏师范大学研究生科研实践创新计划资助项目(2021XKT0184)。; 文摘对带隙可调的二维层状半导体二硫化钼(MoS_(2))的材料特性以及基于MoS_(2)薄膜的器件性能和应用进行了简单阐述,重点分析了多种MoS_(2)场效应晶体管(FET)的结构特点,并对MoS_(2) FET的制备工艺、电学性能(载流子迁移率、电流开关比、亚阈值摆幅等)以及栅极介质层材料对器件性能的影响等进行了综述。在此基础上进一步总结了近年来国内外基于FET结构的MoS_(2)光电器件及传感器的研究进展,分别对其结构、光响应度以及灵敏度等性能进行了分析讨论。最后,对MoS_(2)薄膜制备以及基于FET结构的MoS_(2)电子器件、光电器件和传感器未来的发展方向进行了展望。; 关键词二硫化钼(MoS_(2)) 场效应晶体管(FET) 光电器件传感器二维层状半导体; Keywords molybdenum disulfide(MoS2) field-effect transistor(FET) optoelectronic device sensor two-dimensional layered semiconductor; 分类号 TN304.9 [电子电信—物理电子学] TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaSe纳米带的可控生长及其光电探测器的光电特性被引量：1: 4; 作者汪明单龙强郭西深陈士荣; 机构合肥工业大学微电子学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第10期1027-1034,共8页; 基金中央高校基础科研业务费资助项目(PA2020GDKC0014)。; 文摘二维层状半导体材料GaSe由于具有良好的光电特性,在光电子器件领域备受关注。以GaSe/Ga_(2)Se_(3)高纯粉末混合物为前驱体,通过化学气相沉积(CVD)法实现了结晶良好的六方晶系GaSe纳米带的均匀、可控生长。分析表明,反应温度和反应时间对纯相GaSe纳米带的生长起着重要作用。900℃下反应20 min获得了大量、均匀的纯相GaSe纳米带,宽度为20~40μm,长度达数百微米。产物GaSe纳米带在可见光区域具有良好的光学吸收,光学带隙约2.12 eV。并且,基于单根GaSe纳米带制备了光电探测器,GaSe纳米带光电探测器在可见光照射下具有良好的光电响应,在光照强度为7.32μW·cm^(-2)的530 nm波长光照下,其响应度和增益分别高达835.2 A·W^(-1)和1954,有望应用于高性能光电探测领域。; 关键词 GaSe纳米带光电探测器化学气相沉积(CVD) 二维层状半导体材料可控生长; Keywords GaSe nanobelt photodetector chemical vapor deposition(CVD) two-dimensional layered semiconductor material controllable growth; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Yb^(3+)/Tm^(3+)共掺层状钙钛矿型CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)半导体的制备及上转换发光性能研究	张郎景杨芳舒匀李昱石艺李文睿李世坤彭跃红	《大学物理实验》	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	非层状二维CdSe的制备及厚度对带隙的影响	李婷张文婷王红艳李秀梅雷子煊夏晓凤	《原子与分子物理学报》北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于FET结构的MoS_(2)器件的研究进展	潘苏敏黄玲琴陶化文	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaSe纳米带的可控生长及其光电探测器的光电特性	汪明单龙强郭西深陈士荣	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料