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层式熔融结晶过程中的杂质包藏与晶层生长
被引量：
3
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作者
贠军贤
沈自求
《石油化工》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第10期861-865,共5页
有机物系层式熔融结晶过程中 ,晶层杂质主要来源于成核阶段的包藏、晶层生长过程中的包藏及母液粘附等3方面。对晶层杂质包藏的形成、杂质包藏在晶层内的迁移、熔体 -晶层界面杂质分布、晶层生长及提高晶层纯度的途径等进行了分析 。
关键词
层式熔融结晶过程
杂质包藏
晶
层
生长
有机物系
分离技术
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职称材料
题名
层式熔融结晶过程中的杂质包藏与晶层生长
被引量：
3
1
作者
贠军贤
沈自求
机构
大连理工大学化工学院
出处
《石油化工》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第10期861-865,共5页
文摘
有机物系层式熔融结晶过程中 ,晶层杂质主要来源于成核阶段的包藏、晶层生长过程中的包藏及母液粘附等3方面。对晶层杂质包藏的形成、杂质包藏在晶层内的迁移、熔体 -晶层界面杂质分布、晶层生长及提高晶层纯度的途径等进行了分析 。
关键词
层式熔融结晶过程
杂质包藏
晶
层
生长
有机物系
分离技术
Keywords
layer-based melt crystallization
separation technique
impurity inclusion
crystal layer growth
分类号
O782 [理学—晶体学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
层式熔融结晶过程中的杂质包藏与晶层生长
贠军贤
沈自求
《石油化工》
CAS
CSCD
北大核心
2002
3
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