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整平剂JGB对局部电化学沉积铜微柱的影响
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作者 吴国强 徐登国 +2 位作者 卿启新 黄炎光 朱挺 《表面技术》 北大核心 2025年第12期186-194,共9页
目的研究不同健那绿B(JGB)浓度对局部电化学沉积(LECD)铜微柱形貌、直径尺寸、沉积速率的影响。方法采用扫描电镜表征不同JGB浓度下沉积的铜微柱微观形貌;通过软件采集沉积时间参数来计算沉积速率,Measure软件测量铜微柱直径。结果JGB... 目的研究不同健那绿B(JGB)浓度对局部电化学沉积(LECD)铜微柱形貌、直径尺寸、沉积速率的影响。方法采用扫描电镜表征不同JGB浓度下沉积的铜微柱微观形貌;通过软件采集沉积时间参数来计算沉积速率,Measure软件测量铜微柱直径。结果JGB质量浓度低于平衡浓度12mg/L,随着JGB浓度的增大,加速了铜微柱沉积;JGB质量浓度高于平衡浓度12mg/L,随着JGB浓度的增大,JGB抑制铜微柱沉积,起到整平抑制的作用;同时JGB整平抑制作用还依赖于沉积电压,在低电压下,对铜微柱的形貌直径影响最大的JGB质量浓度在240 mg/L,但沉积速率最低,而中高电压下JGB的整平抑制作用最佳质量浓度为60 mg/L,沉积速率分别为2.22μm/s和6.67μm/s,提高沉积电压,降低了JGB浓度,增强了JGB的整平抑制效果,提高了沉积速率,节省了沉积时间;通过JGB浓度与沉积电压的关系,建立JGB电迁移与分解消耗机理来揭示JGB浓度对LECD制造铜微柱的作用机制。结论JGB浓度对LECD沉积铜微柱的形貌、直径、沉积速率有显著的影响,在大于平衡浓度情况下,JGB对铜微柱的整平抑制效果最佳沉积电压为3.6 V,质量浓度为60 mg/L。 展开更多
关键词 健那绿B 局部电化学沉积 铜微柱 形貌 整平抑制作用 机理
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激光辅助局部电化学沉积的试验研究 被引量:5
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作者 蔡明霞 张朝阳 +3 位作者 姜雨佳 苏纯 冯钦玉 黄磊 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期769-773,共5页
在局部电化学沉积加工体系中引入纳秒脉冲激光,利用激光辐照和局部电化学沉积的方法对铜进行三维微结构的沉积试验。分析了激光的热力效应对局部电化学沉积的作用机理。构建了激光辅助局部电化学沉积的试验系统,进行了沉积试验,并利用... 在局部电化学沉积加工体系中引入纳秒脉冲激光,利用激光辐照和局部电化学沉积的方法对铜进行三维微结构的沉积试验。分析了激光的热力效应对局部电化学沉积的作用机理。构建了激光辅助局部电化学沉积的试验系统,进行了沉积试验,并利用扫描电子显微镜(Scanning electron microscope,SEM)和X射线能量色散色谱仪对电沉积体进行了检测。试验结果表明激光辅助局部电化学沉积相较于普通的局部电化学沉积,定域性好。随着激光能量的增加,沉积体的高宽比增加,定域性提高。同时,激光还可以减少阴极杂质的吸附,提高沉积体的纯度。 展开更多
关键词 局部电化学沉积 激光辐照 高宽比 定域性
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氯离子在局部电化学中对铜电沉积的影响 被引量:1
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作者 卿启新 黄炎光 +1 位作者 王晨 朱挺 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第7期91-98,共8页
局部电化学沉积(LECD)制造金属微结构是一种非常便捷和经济的方法。用20μm直径微阳极来研究Cl^(-)浓度在LECD上对铜微柱形貌、直径、沉积速率等的影响。Cl^(-)使铜离子先还原为亚铜离子,然后再还原成铜,能促使铜微柱沉积速率提高,进而... 局部电化学沉积(LECD)制造金属微结构是一种非常便捷和经济的方法。用20μm直径微阳极来研究Cl^(-)浓度在LECD上对铜微柱形貌、直径、沉积速率等的影响。Cl^(-)使铜离子先还原为亚铜离子,然后再还原成铜,能促使铜微柱沉积速率提高,进而可调控铜微柱形貌质量,提高沉积效率。在铜还原过程中氯化亚铜会在铜微柱表面形成,并发生歧化反应,使铜微柱表面产生孔隙、粗糙形貌,而过高Cl^(-)浓度会形成氯化亚铜结晶,增大铜微柱直径。受高电流密度和高氢离子浓度影响,在铜微柱内部无法沉淀氯化亚铜。Cl^(-)浓度所对铜微柱形貌、沉积速率等的影响为Cl^(-)与其它添加剂在LECD上协同应用提供了参考。 展开更多
关键词 局部电化学沉积 Cl^(-)浓度 铜微柱 形貌 沉积速率
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