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单原子材料在电化学生物传感中的研究进展
1
作者
江博文
陈敬轩
+2 位作者
成永华
桑微
寇宗魁
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第9期123-136,共14页
电化学传感器具有响应速度快、专一性强及准确性高等特点,已成为生物传感快速检测的重要发展方向之一,但目前难以达到对单个生物分子的检测水平,这主要受限于作为核心部件的探针材料.单原子材料由于其简单明确的原子局域结构,且具有媲...
电化学传感器具有响应速度快、专一性强及准确性高等特点,已成为生物传感快速检测的重要发展方向之一,但目前难以达到对单个生物分子的检测水平,这主要受限于作为核心部件的探针材料.单原子材料由于其简单明确的原子局域结构,且具有媲美于生物酶的统一活性位点,是一种极具潜力的探针材料,因此受到了广泛关注.本文综合评述了具有均一局域配位环境的单原子材料的合成,以及其在电化学生物传感中的应用,并对单原子材料在未来电化学生物传感中面临的挑战和机遇进行了展望.
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关键词
单原子材料
局域配位结构
电化学生物传感
健康监测
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职称材料
蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究
2
作者
张新夷
李忠瑞
+3 位作者
闫文胜
王晓光
韦世强
陆坤权
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期7-10,共4页
利用 XAFS( X-射线吸收精细结构 )方法研究六方的纳米晶和晶体 Ga N在 78K和 3 0 0 K温度下 Ga原子的局域配位环境结构 .对于第一近邻 Ga-N配位 ,纳米晶 Ga N的平均键长 R、配位数 N、热无序度σT 和结构无序度σS与晶体 Ga N的相近 ,...
利用 XAFS( X-射线吸收精细结构 )方法研究六方的纳米晶和晶体 Ga N在 78K和 3 0 0 K温度下 Ga原子的局域配位环境结构 .对于第一近邻 Ga-N配位 ,纳米晶 Ga N的平均键长 R、配位数 N、热无序度σT 和结构无序度σS与晶体 Ga N的相近 ,分别为 0 .194 nm、4 .0、0 .0 0 52 nm、0 .0 0 0 7nm ;当温度从 78K增加到 30 0 K,Ga N样品中 Ga-N配位的 σT 增加不多 ,小于 0 .0 0 0 5nm,表明第一近邻 Ga-N配位的共价键作用力较强 ,几乎不受温度和晶体状态的影响 .对于第二近邻 Ga-Ga配位 ,R为 0 .318nm,纳米晶 Ga N的σS( 0 .0 0 57nm )比晶体 Ga N的 ( 0 .0 0 1nm)大 0 .0 0 4 7nm;在78K和 30 0 K时 ,纳米晶 Ga N样品的 Ga-Ga配位的σT 分别为 0 .0 0 53nm和 0 .0 0 85nm,这一结果表明 Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响 .纳米晶 Ga N中 Ga原子的局域配位环境与晶体 Ga N的差别主要表现在第二近邻 Ga-Ga配位的 σS相对较大 ,可能是由于纳米晶 Ga
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关键词
XAFS
局域
X-射线吸收精细
结构
局域
配
位
环境
结构
蓝色发光氮化镓材料
纳米晶
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职称材料
题名
单原子材料在电化学生物传感中的研究进展
1
作者
江博文
陈敬轩
成永华
桑微
寇宗魁
机构
武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第9期123-136,共14页
基金
湖北省自然科学基金(批准号:20211j0188)资助。
文摘
电化学传感器具有响应速度快、专一性强及准确性高等特点,已成为生物传感快速检测的重要发展方向之一,但目前难以达到对单个生物分子的检测水平,这主要受限于作为核心部件的探针材料.单原子材料由于其简单明确的原子局域结构,且具有媲美于生物酶的统一活性位点,是一种极具潜力的探针材料,因此受到了广泛关注.本文综合评述了具有均一局域配位环境的单原子材料的合成,以及其在电化学生物传感中的应用,并对单原子材料在未来电化学生物传感中面临的挑战和机遇进行了展望.
关键词
单原子材料
局域配位结构
电化学生物传感
健康监测
Keywords
Single-atom material
Local coordination structure
Electrochemical biosensing
Health monitoring
分类号
O646 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究
2
作者
张新夷
李忠瑞
闫文胜
王晓光
韦世强
陆坤权
机构
中国科学技术大学国家同步辐射实验室
中国科学院物理研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期7-10,共4页
基金
国家自然科学基金! (编号 1 96 0 40 1 1 )
中国科学院'百人计划'基金&&
文摘
利用 XAFS( X-射线吸收精细结构 )方法研究六方的纳米晶和晶体 Ga N在 78K和 3 0 0 K温度下 Ga原子的局域配位环境结构 .对于第一近邻 Ga-N配位 ,纳米晶 Ga N的平均键长 R、配位数 N、热无序度σT 和结构无序度σS与晶体 Ga N的相近 ,分别为 0 .194 nm、4 .0、0 .0 0 52 nm、0 .0 0 0 7nm ;当温度从 78K增加到 30 0 K,Ga N样品中 Ga-N配位的 σT 增加不多 ,小于 0 .0 0 0 5nm,表明第一近邻 Ga-N配位的共价键作用力较强 ,几乎不受温度和晶体状态的影响 .对于第二近邻 Ga-Ga配位 ,R为 0 .318nm,纳米晶 Ga N的σS( 0 .0 0 57nm )比晶体 Ga N的 ( 0 .0 0 1nm)大 0 .0 0 4 7nm;在78K和 30 0 K时 ,纳米晶 Ga N样品的 Ga-Ga配位的σT 分别为 0 .0 0 53nm和 0 .0 0 85nm,这一结果表明 Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响 .纳米晶 Ga N中 Ga原子的局域配位环境与晶体 Ga N的差别主要表现在第二近邻 Ga-Ga配位的 σS相对较大 ,可能是由于纳米晶 Ga
关键词
XAFS
局域
X-射线吸收精细
结构
局域
配
位
环境
结构
蓝色发光氮化镓材料
纳米晶
Keywords
XAFS, GaN material, local structures.
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单原子材料在电化学生物传感中的研究进展
江博文
陈敬轩
成永华
桑微
寇宗魁
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
在线阅读
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职称材料
2
蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究
张新夷
李忠瑞
闫文胜
王晓光
韦世强
陆坤权
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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职称材料
已选择
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