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蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究
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作者 张新夷 李忠瑞 +3 位作者 闫文胜 王晓光 韦世强 陆坤权 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期7-10,共4页
利用 XAFS( X-射线吸收精细结构 )方法研究六方的纳米晶和晶体 Ga N在 78K和 3 0 0 K温度下 Ga原子的局域配位环境结构 .对于第一近邻 Ga-N配位 ,纳米晶 Ga N的平均键长 R、配位数 N、热无序度σT 和结构无序度σS与晶体 Ga N的相近 ,... 利用 XAFS( X-射线吸收精细结构 )方法研究六方的纳米晶和晶体 Ga N在 78K和 3 0 0 K温度下 Ga原子的局域配位环境结构 .对于第一近邻 Ga-N配位 ,纳米晶 Ga N的平均键长 R、配位数 N、热无序度σT 和结构无序度σS与晶体 Ga N的相近 ,分别为 0 .194 nm、4 .0、0 .0 0 52 nm、0 .0 0 0 7nm ;当温度从 78K增加到 30 0 K,Ga N样品中 Ga-N配位的 σT 增加不多 ,小于 0 .0 0 0 5nm,表明第一近邻 Ga-N配位的共价键作用力较强 ,几乎不受温度和晶体状态的影响 .对于第二近邻 Ga-Ga配位 ,R为 0 .318nm,纳米晶 Ga N的σS( 0 .0 0 57nm )比晶体 Ga N的 ( 0 .0 0 1nm)大 0 .0 0 4 7nm;在78K和 30 0 K时 ,纳米晶 Ga N样品的 Ga-Ga配位的σT 分别为 0 .0 0 53nm和 0 .0 0 85nm,这一结果表明 Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响 .纳米晶 Ga N中 Ga原子的局域配位环境与晶体 Ga N的差别主要表现在第二近邻 Ga-Ga配位的 σS相对较大 ,可能是由于纳米晶 Ga 展开更多
关键词 XAFS 局域 X-射线吸收精细结构 局域配位环境结构 蓝色发光氮化镓材料 纳米晶
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