注入水平对测试少子扩散长度影响的计算机模拟 被引量：2

1

作者 丁扣宝 张秀淼 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期221-224,共4页

通过计算机数值求解半导体的基本方程，模拟了表面光伏（ＳＰＶ）法测量Ｎ型硅少子扩散长度时注入水平对测量值的影响。结果表明，当注入水平较高时，少子扩散长度的测量值变长。模拟结果与已公开发表的实验结果一致。

关键词 注入水平 少子扩散长度 计算机模拟

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开管扩锌InP的液结光伏谱和少子扩散长度

2

作者 陈朝 王健华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期38-43,共6页

用电化学液结方法测量了在４７０℃于氢气氛下开管扩锌ＩｎＰ样品的载流子浓度分布、不同深度的光伏谱和少于扩散长度。结果表明：在扩散区形成浓度为１０１７～１０１８ｃｍ－３较平坦的空穴分布；少于扩散长度由衬底的８～１０μｍ降... 用电化学液结方法测量了在４７０℃于氢气氛下开管扩锌ＩｎＰ样品的载流子浓度分布、不同深度的光伏谱和少于扩散长度。结果表明：在扩散区形成浓度为１０１７～１０１８ｃｍ－３较平坦的空穴分布；少于扩散长度由衬底的８～１０μｍ降至表面的０．２９μｍ以下；若轻微腐蚀去严重损伤的样品表层，将较大地提高新表层的少子扩散长度。 展开更多

关键词 开管锌扩散 磷化铟 液结光伏谱 少子扩散长度

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双面抛光单晶硅片少子扩散长度的测量

3

作者 杨恒青 张焕林 顾春林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期52-57,共6页

本文改进了常规表面光电压测试少子扩散长度法,采用环形下电极消除了薄样品背面光电压信号对测量结果的影响;应用阻尼最小二乘法数据处理原理对实验数据进行“曲线拟合”,求出少子扩散长度和背面表面复合速度。本文讨论了该方法的测量... 本文改进了常规表面光电压测试少子扩散长度法,采用环形下电极消除了薄样品背面光电压信号对测量结果的影响;应用阻尼最小二乘法数据处理原理对实验数据进行“曲线拟合”,求出少子扩散长度和背面表面复合速度。本文讨论了该方法的测量范围。 展开更多

关键词 测量 光电压法 少子扩散长度 硅片

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N/P硅外延片的少子扩散长度测量

4

作者 杨恒青 王志伟 包宗明 《应用科学学报》 CAS 1987年第2期164-171,共8页

本文提出了用N/P硅外延片的结光电压光谱响应确定N/P硅外延片中少子扩散长度的方法.导出了入射光强1和结光电压V、光吸收系数a的理论关系,其中包含了外延层和衬底少子扩散长度的信息.当N/P硅外延片表面有高温氧化生成的二氧化硅层时,样... 本文提出了用N/P硅外延片的结光电压光谱响应确定N/P硅外延片中少子扩散长度的方法.导出了入射光强1和结光电压V、光吸收系数a的理论关系,其中包含了外延层和衬底少子扩散长度的信息.当N/P硅外延片表面有高温氧化生成的二氧化硅层时,样品的光电压取决于外延结的特性.可以用与表面光电压法同样的测试设备测得I～(?)曲线,从实验上求出了dI/d(a^(-1))/1(1/a)^(-1)值,由此值从理论图表中定出N型外延区中的空穴扩散长度.对一些N/P硅外延片进行了测试计算,结果表明本文提出的方法是合理的. 展开更多

关键词 光电压 外延片 少子扩散长度 硅外延 N/P 入射光子

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扩散pn结扩散p区中平均少子扩散长度的测定

5

作者 夏银水 张秀淼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期53-56,共4页

本文分析了用表面光压(SPV)法测量扩散pn结扩散p区中平均少子扩散长度的可行性,给出了有效少子扩散长度L_0与结深x_i、扩散区及衬底少子扩散长度L_1、L_2的关系曲线;提供了一种确定扩散区少子扩散长度的方法。

关键词 少子扩散长度 PN结 半导体材料

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变磁场I-V法对碲镉汞光伏器件少子扩散特性的研究 被引量：1

6

作者 贾嘉 陈新禹 +1 位作者 李向阳 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期140-142,共3页

零偏压电阻 面积乘积(R0A)和反向饱和电流密度J0 是决定光电二极管性能的重要参数.提出了一种对碲镉汞(Hg1-xCdxTe)光伏器件的少子扩散特性进行研究的有效方法.利用变磁场下的电流 电压(I V)测试,得到了组分x在 0.5与 0.6之间的器件R0A... 零偏压电阻 面积乘积(R0A)和反向饱和电流密度J0 是决定光电二极管性能的重要参数.提出了一种对碲镉汞(Hg1-xCdxTe)光伏器件的少子扩散特性进行研究的有效方法.利用变磁场下的电流 电压(I V)测试,得到了组分x在 0.5与 0.6之间的器件R0A和J0 随磁场强度B变化的函数关系.由实验结果估算得到了室温工作的短波红外(SWIR)碲镉汞光伏器件的少子扩散长度.其数值与用激光诱导电流(LBIC)方法得到的相一致. 展开更多

关键词 碲镉汞光伏器件 扩散特性 V法 少子扩散长度 电流-电压 光电二极管 有效方法 电流密度 激光诱导 短波红外 函数关系 磁场强度

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Au掺杂HgCdTe材料的光电特性 被引量：1

7

作者 魏彦锋 孙权志 +1 位作者 张娟 孙瑞赟 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第4期30-36,共7页

Au掺杂是改善光伏型HgCdTe红外探测器性能的一种技术途径,通过Au掺杂来取代HgCdTe材料中的本征的Hg空位,可以提高材料的少子寿命和少子扩散长度。采用液相外延技术生长了Au掺杂的HgCdTe外延材料,Au的掺杂浓度为~8×10^(15)/cm^(3),... Au掺杂是改善光伏型HgCdTe红外探测器性能的一种技术途径,通过Au掺杂来取代HgCdTe材料中的本征的Hg空位,可以提高材料的少子寿命和少子扩散长度。采用液相外延技术生长了Au掺杂的HgCdTe外延材料,Au的掺杂浓度为~8×10^(15)/cm^(3),通过富Hg退火技术来抑制材料中的Hg空位,Hg空位的浓度控制在1~2×10^(15)/cm^(3)。变温霍尔测试表明,退火材料中的受主杂质能级为8~12 meV,并且与退火条件相关。采用Au掺杂材料和离子注入成结工艺制备了截止波长为14μm的甚长波红外焦平面器件,测试结果显示,用Au掺杂取代Hg空位掺杂,可以显著提高红外探测器的光响应率,探测器的内量子效率可以达到95%以上。 展开更多

关键词 HgCdTe液相外延 Au掺杂 少子扩散长度

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砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(6)

8

作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第11期14-15,共2页

1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.93In0.07 N0.023As0.977）,既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24].但是,带隙为1 eV的窄带... 1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.93In0.07 N0.023As0.977）,既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24].但是,带隙为1 eV的窄带隙Ga1-xInxN1-yAsy材料的质量差,与N相关的本征缺陷多,少子扩散长度小,载流子迁移率低.虽然经过多年的努力,研制出的1 eV的GaInNAs太阳电池的量子效率和短路电流Isc仍不够大. 展开更多

关键词 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 太阳电池 化合物半导体材料 砷化镓 应用 GAINNAS 讲座 少子扩散长度

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偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用 被引量：1

9

作者 黄志鹏 赵守仁 +8 位作者 孙雷 孙朋超 张传军 邬云华 曹鸿 王善力 胡志高 杨平雄 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期395-399,共5页

薄膜太阳能电池在不同偏压下的量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果.对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗口层区域杂质补偿情况、主结势垒高低、背势垒高度等,还可以得出耗尽区宽度以及少子扩散长度等重要参数... 薄膜太阳能电池在不同偏压下的量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果.对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗口层区域杂质补偿情况、主结势垒高低、背势垒高度等,还可以得出耗尽区宽度以及少子扩散长度等重要参数.通过实验测量与理论分析,给出了薄膜太阳能电池耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)与偏压量子效率的关系,提出了一种新的拟合耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)的方法,探讨了偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用. 展开更多

关键词 偏压量子效率 薄膜太阳能电池 耗尽区宽度 少子扩散长度

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非故意掺杂吸收层InP/InGaAs异质结探测器研究 被引量：1

10

作者 曹嘉晟 李淘 +6 位作者 王红真 于春蕾 杨波 马英杰 邵秀梅 李雪 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第11期62-69,共8页

为了获得低噪声铟镓砷(InGaAs)焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs(u-InGaAs)吸收层进行探测器的制备。采用闭管扩散方式,实现了Zn元素在u-InGaAs吸收层晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As异质结构材料中的P型掺杂,利用扫描电容显微技术(... 为了获得低噪声铟镓砷(InGaAs)焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs(u-InGaAs)吸收层进行探测器的制备。采用闭管扩散方式,实现了Zn元素在u-InGaAs吸收层晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As异质结构材料中的P型掺杂,利用扫描电容显微技术(SCM)对Zn在材料中的扩散过程进行了研究,结果表明,随着扩散温度和时间增加,p-n结结深显著增加,u-InGaAs吸收层材料的扩散界面相比较高吸收层浓度材料(5×10^(16) cm^(-3))趋于缓变。根据实验结果计算了530℃下Zn在InP中的扩散系数为1.27×10^(-12) cm^(2)/s。采用微波光电导衰退法(μ-PCD)提取了InGaAs吸收层的少子寿命为5.2μs。采用激光诱导电流技术(LBIC)研究了室温下u-InGaAs吸收层器件的光响应分布,结果表明:有效光敏面积显著增大,对实验数据的拟合求出了少子扩散长度LD为63μm,与理论计算基本一致。采用u-InGaAs吸收层研制的器件在室温(296 K)下暗电流密度为7.9 nA/cm^(2),变温测试得到激活能E_(a)为0.66 eV,通过拟合器件的暗电流成分,得到器件的吸收层少子寿命τ_(p)约为5.11μs,与微波光电导衰退法测得的少子寿命基本一致。 展开更多

关键词 ZN扩散 结深 少子扩散长度 INGAAS

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Si基HgCdTe变面积光伏探测器的变温特性研究

11

作者 张姗 胡晓宁 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期412-414,418,共4页

通过变面积Si基HgCdTe器件变温I-V测试和暗电流特性拟合分析,研究了不同偏压下n-on-p型Si基HgCdTe光伏器件的暗电流成分与Si基HgCdTe材料少子扩散长度和少子寿命随温度的变化规律.在液氮温度下,随着反向偏压的增大器件的表面漏电流在暗... 通过变面积Si基HgCdTe器件变温I-V测试和暗电流特性拟合分析,研究了不同偏压下n-on-p型Si基HgCdTe光伏器件的暗电流成分与Si基HgCdTe材料少子扩散长度和少子寿命随温度的变化规律.在液氮温度下,随着反向偏压的增大器件的表面漏电流在暗电流中所占比重逐渐增加.在零偏压下,当温度低于200 K时材料的少子扩散长度随温度的升高而变大,而高于200 K时材料的少子扩散长度随温度的降低逐渐减小.将汞空位掺杂的p型Si基HgCdTe材料少子寿命的变温曲线与常规衬底材料的少子寿命变温曲线进行比较,发现Si基HgCdTe材料少子寿命接近常规衬底外延薄膜材料水平. 展开更多

关键词 Si基HgCdTe 少子寿命 少子扩散长度 变温特性

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指数掺杂反射式GaSb光电阴极表面光电压谱研究

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作者 蔡宸 于圣韬 《科技创新与应用》 2018年第6期164-165,共2页

通过求解一维少数载流子扩散方程,对反射式GaSb光电阴极表面光电压谱理论公式进行了研究。利用MOCVD外延生长掺杂结构不同、吸收层厚度相同的两种阴极材料,通过MIS法表面光电压谱测试和理论拟合发现,指数掺杂结构在后界面符合速率和吸... 通过求解一维少数载流子扩散方程,对反射式GaSb光电阴极表面光电压谱理论公式进行了研究。利用MOCVD外延生长掺杂结构不同、吸收层厚度相同的两种阴极材料,通过MIS法表面光电压谱测试和理论拟合发现,指数掺杂结构在后界面符合速率和吸收层厚度相同的情况下能够有效提高GaSb阴极少子扩散长度,主要原因是指数掺杂形成的内建电场有助于光生电子以电场漂移的方式向吸收层表面运动,从而提升GaSb光电阴极的光电发射效率和表面光电压谱。 展开更多

关键词 GASB 光电阴极 表面光电压谱 少子扩散长度

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