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晶闸管低压大电流并联应用的研究
1
作者 彭军华 刘栋 窦金龙 《电子质量》 2024年第11期91-94,共4页
大功率半导体普通晶闸管广泛地应用于大电流电源领域。其中电解电源领域,由于输出电流非常大,经常需要采用多只晶闸管并联的方式。设备在出厂均流调试时,一般采用低电压和大电流进行试验,电压一般在几伏到十几伏之间。由于晶闸管本身开... 大功率半导体普通晶闸管广泛地应用于大电流电源领域。其中电解电源领域,由于输出电流非常大,经常需要采用多只晶闸管并联的方式。设备在出厂均流调试时,一般采用低电压和大电流进行试验,电压一般在几伏到十几伏之间。由于晶闸管本身开通特性和伏安特性的不一致,桥臂上的并联晶闸管经常无法正常导通。针对晶闸管的工作过程进行了研究,并进行了相关试验及分析,得到晶闸管并联应用在低压大电流时的选配方案,确保并联支路的晶闸管全部开通,且均流系数满足应用要求。 展开更多
关键词 大电流 低电压 并联 晶闸管 选配
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具有快速电流动态响应的晶闸管整流控制器 被引量：6
2
作者 王仕韬 张达敏 +1 位作者 吕征宇 张德华 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期189-193,共5页
为了提高三相电流型晶闸管相控整流器的动态特性,提出一种新型电流峰值控制方法.利用交流电压周期性的伏秒积分变化控制晶闸管触发角,实现对直流侧电感电流的峰值控制.针对实际存在的问题对控制方法进行改进,消除交流侧漏感造成的触发... 为了提高三相电流型晶闸管相控整流器的动态特性,提出一种新型电流峰值控制方法.利用交流电压周期性的伏秒积分变化控制晶闸管触发角,实现对直流侧电感电流的峰值控制.针对实际存在的问题对控制方法进行改进,消除交流侧漏感造成的触发误动作,设计采样偏置自调整方法消除采样偏置电压漂移所造成的误差.由于控制方法本身的积分滤波特性,并且不依赖于交流电压相位锁相环,在网侧电能质量恶劣的情况下仍然能够保证晶闸管正确地触发换相.仿真和实验验证表明,与传统控制方法相比,晶闸管整流器的电流动态响应特性大大提高,即使在谐波干扰的情况下仍然能够稳定工作,具有很好的鲁棒性. 展开更多
关键词 晶闸管 整流器 电流型 快速电流响应 数字控制
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一种用于高压大电流脉冲放电的晶闸管间接强触发电路 被引量：2
3
作者 董招辉 孙崭鹏 +1 位作者 黄嘉琪 陈文光 《工矿自动化》 北大核心 2017年第3期81-85,共5页
高压大电流放电技术普遍采用晶闸管串联作为电路放电的主开关,放电时如果晶闸管的导通过程较慢,则会导致芯片内部产生大量焦耳热,使晶闸管损坏;同时晶闸管在串联模式下,导通时间不一致也会导致导通较慢的晶闸管受到高电压而被击穿。针... 高压大电流放电技术普遍采用晶闸管串联作为电路放电的主开关,放电时如果晶闸管的导通过程较慢,则会导致芯片内部产生大量焦耳热,使晶闸管损坏;同时晶闸管在串联模式下,导通时间不一致也会导致导通较慢的晶闸管受到高电压而被击穿。针对该种复杂苛刻的工况,提出了一种可以用于高压大电流脉冲放电的晶闸管间接强触发电路,该电路利用间接光触发方式,在触发回路中,串联的晶闸管触发信号由同一个控制信号通过光纤进行控制,经过光电转换后产生强触发脉冲电流,使晶闸管同步快速可靠导通。实验结果表明,该电路可实现串联晶闸管可靠触发,晶闸管触发脉宽时间可调,放电电压为9kV,放电电流高达32kA,满足脉冲放电电源模块的应用要求。 展开更多
关键词 岩石破碎 晶闸管串联 高压大电流脉冲源 强触发 间接光触发
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小电流晶闸管静电放电损伤特性研究 被引量：1
4
作者 简勋 张希军 杨洁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期229-233,共5页
为了研究小电流晶闸管(SCR)在机械模型静电放电(MM ESD)作用下的损伤特性和失效模式,选取ON Semiconductor公司生产的2N5061型小电流晶闸管作为研究对象,开展了机械模型静电放电注入试验,并对试验结果进行了理论分析。研究结果表明:从K... 为了研究小电流晶闸管(SCR)在机械模型静电放电(MM ESD)作用下的损伤特性和失效模式,选取ON Semiconductor公司生产的2N5061型小电流晶闸管作为研究对象,开展了机械模型静电放电注入试验,并对试验结果进行了理论分析。研究结果表明:从K+G-端对注入MM ESD时最易导致小电流晶闸管损伤,这是由于在晶闸管内部形成的3个pn结中,J3结结深最浅,并且pn结处于反偏状态时更易发生击穿以及热损伤;机械模型静电放电注入后损伤的小电流晶闸管失效模式为门极失去控制作用。该研究结果对于提高电子器件抗静电能力具有一定的工程指导意义。 展开更多
关键词 小电流晶闸管(scr) 静电放电(ESD) 损伤特性 敏感注入端对 失效模式
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晶闸管触发形式对直流电弧炉电流设计的影响
5
作者 雷惠 庄斌星 《工业加热》 CAS 1998年第1期7-10,共4页
直流电弧炉用整流变压器漏抗值设计较一般电力变压器大，整流器换相时间延长。当工作电流设计不合理时，易使三相桥式相控整流器工作在非正常换相状态，即出现换相重叠和换相延迟现象。若采用不同形式的晶闸管门极触发脉冲，将导致不同... 直流电弧炉用整流变压器漏抗值设计较一般电力变压器大，整流器换相时间延长。当工作电流设计不合理时，易使三相桥式相控整流器工作在非正常换相状态，即出现换相重叠和换相延迟现象。若采用不同形式的晶闸管门极触发脉冲，将导致不同的整流波形。因此，直流电弧炉工作电流设计应尽量避免进入该区域。 展开更多
关键词 直流电弧炉 晶闸管 电流设计 电弧炉 触发
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一种脉冲电流工况下晶闸管缓冲电路的优化方法 被引量：1
6
作者 仝玮 李华 +3 位作者 傅鹏 王琨 Mahmood Ul Hassan 宋执权 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期81-87,共7页
对脉冲工况下超导磁体失超保护系统的晶闸管阀组缓冲回路参数进行设计和优化。基于晶闸管反向恢复电流的指数衰减模型建立了晶闸管关断时刻的电流数学模型。通过测试实验获得关键参数之间的关系并结合晶闸管性能及系统要求在Matlab中建... 对脉冲工况下超导磁体失超保护系统的晶闸管阀组缓冲回路参数进行设计和优化。基于晶闸管反向恢复电流的指数衰减模型建立了晶闸管关断时刻的电流数学模型。通过测试实验获得关键参数之间的关系并结合晶闸管性能及系统要求在Matlab中建立晶闸管电流反向恢复模型。考虑关断时刻电流下降率、反向恢复电压峰值等性能指标要求及回路研制费用,提出了一种脉冲工况下晶闸管缓冲回路的参数设计及优化方法。在Matlab中搭建失超保护系统模型,对比优化前后缓冲回路对系统在晶闸管关断时刻电气性能的影响,仿真结果显示,相比于原参数,最优参数下,反向恢复电压峰值降低了11%,反向恢复电压变化率峰值降低了43%。同时,回路制造成本降低为原先的1/7。 展开更多
关键词 失超保护 晶闸管 缓冲回路 脉冲电流
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用于闭环电流控制的晶闸管数字触发装置 被引量：2
7
作者 杨卫国 《电子技术应用》 北大核心 1999年第12期41-43,共3页
采用单片机设计晶闸管数字触发器，并在此基础上实现闭环电流无差调节。硬件电路简单，控制精度高，动态性能好，工作安全可靠，是一种较理想的电子控制装置。
关键词 晶闸管 数字触发装置 闭环电流控制 触发器
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亚阈电流对MOS栅控晶闸管dV/dt抗性的影响 被引量：2
8
作者 周琪钧 田冕 +1 位作者 刘超 陈万军 《电子与封装》 2020年第8期47-51,共5页
针对MOS栅控晶闸管(MCT)在电容储能型脉冲功率系统中,面临高电压变化率(dV/dt)而导致的误开启现象,首次通过实验和仿真研究了亚阈电流对MOS栅控晶闸管dV/dt抗性的影响,分析了亚阈电流对器件dV/dt抗性的影响机制。研究结果表明,亚阈电流... 针对MOS栅控晶闸管(MCT)在电容储能型脉冲功率系统中,面临高电压变化率(dV/dt)而导致的误开启现象,首次通过实验和仿真研究了亚阈电流对MOS栅控晶闸管dV/dt抗性的影响,分析了亚阈电流对器件dV/dt抗性的影响机制。研究结果表明,亚阈电流的参与是引起器件dV/dt抗性降低的重要原因,这为提高器件dV/dt抗性设计提供了理论指导。 展开更多
关键词 脉冲功率系统 MOS栅控晶闸管 dV/dt 亚阈电流
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用于高压ESD防护的高维持电流SCR器件 被引量：2
9
作者 肖家木 乔明 +2 位作者 齐钊 梁龙飞 曹厚华 《电子与封装》 2019年第5期45-48,共4页
静电释放(ESD)是指电荷在两个电势不等的物体之间转移的物理现象,它存在于人们日常工作生活的任意环节。随着集成电路特征尺寸不断减小、集成度不断增高,芯片对ESD也变得越来越敏感。为了用尽可能小的版图面积来实现ESD防护,利用晶闸管... 静电释放(ESD)是指电荷在两个电势不等的物体之间转移的物理现象,它存在于人们日常工作生活的任意环节。随着集成电路特征尺寸不断减小、集成度不断增高,芯片对ESD也变得越来越敏感。为了用尽可能小的版图面积来实现ESD防护,利用晶闸管结构(SCR)来实现集成电路的ESD防护已成为当下的研究热点。但传统SCR的维持电压和维持电流都很低,若直接将其应用于电源ESD防护则会导致严重的闩锁效应(latch-up)。基于高维持电流设计窗口,提出一种可用于15 V电路的抗闩锁SCR器件,并通过混合仿真验证了该器件的有效性。 展开更多
关键词 ESD防护 scr 高维持电流 闩锁效应
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一种计算晶闸管反向恢复电流参数的新方法
10
作者 魏伟 李黎 《电子科学学刊》 CSCD 1993年第5期532-535,共4页
本文从一组反向恢复电荷曲线和一组反向能耗曲线出发,给出了晶闸管关断模型反向恢复参数的一种新的计算方法.此方法的计算误差在di/dt和I_F较宽的变化范围内,较其它的传统方法小得多.因此,此方法具有一定的实际应用价值.
关键词 晶闸管 电流参数 反向恢复 计算
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分析晶闸管阳极电流动态的方法
11
作者 吕岩 《煤炭技术》 CAS 2004年第12期28-29,共2页
分析了晶闸管整流电路、阳极电流的变化规律,并提出了较实用的分析方法,对晶闸管的应用和研究有一定的价值,同时也适用于其它电路中晶闸管阳极电流变化规律。
关键词 晶闸管 阳极电流 动态分析
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双芯IGCT浪涌电流鲁棒性研究 被引量：1
12
作者 鲁一苇 姚德贵 +3 位作者 董曼玲 肖超 陈涛 杨武华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期234-239,245,共7页
作为晶闸管类器件,双芯集成门极换流晶闸管(Dual IGCT)必须具备的抗浪涌电流能力研究鲜见报道。基于多单元集成的器件仿真结构模型,揭示了Dual IGCT在浪涌电流下工作时,总电流在GCT-A部分和GCT-B部分间的分配比例会随晶格温度升高而减... 作为晶闸管类器件,双芯集成门极换流晶闸管(Dual IGCT)必须具备的抗浪涌电流能力研究鲜见报道。基于多单元集成的器件仿真结构模型,揭示了Dual IGCT在浪涌电流下工作时,总电流在GCT-A部分和GCT-B部分间的分配比例会随晶格温度升高而减小。在此基础上,分析了寿命控制技术对Dual IGCT浪涌鲁棒性的影响。结果表明,增大GCT-B的载流子寿命可以提高器件的浪涌鲁棒性,但同时会增大器件的功耗;而在对GCT-B进行载流子寿命控制时,引入具有较大寿命对温度依赖系数的复合中心,可以有效提高Dual IGCT浪涌电流鲁棒性,同时不影响器件的其他性能。最后,提出了一种工艺成本较低的阳极短路Dual IGCT新结构,其在浪涌电流下的晶格温升与传统的Dual IGCT相比大幅减小(约150 K),呈现出极高的抗浪涌能力。 展开更多
关键词 双芯集成门极换流晶闸管(Dual IGCT) 浪涌电流 寿命控制 复合中心 鲁棒性
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晶闸管控制电流调节器三角形联结的分析
13
作者 余玉平 刘建国 赵鲁 《江西能源》 2009年第3期60-64,共5页
晶闸管控制[1]电流调节器三角形联结是一种没有连接中心线的三相三线制的接法,文章就这种接法进行解析解分析,并进行Matlab仿真分析,分析结果表明:通过解析解和仿真的结果完全吻合,都说明晶闸管控制电流调节器三角形联结有很好的调节特... 晶闸管控制[1]电流调节器三角形联结是一种没有连接中心线的三相三线制的接法,文章就这种接法进行解析解分析,并进行Matlab仿真分析,分析结果表明:通过解析解和仿真的结果完全吻合,都说明晶闸管控制电流调节器三角形联结有很好的调节特性,有一定的实用价值。 展开更多
关键词 晶闸管控制 TCR 电流调节器 数学解析解 MATLAB仿真
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基于晶闸管电流源型变换器的STATCOM实现
14
作者 高经伦 赵雷 +1 位作者 李振伟 李浩昱 《智能电网》 2017年第5期421-427,共7页
该文设计了一种大功率应用场合下,主桥路采用晶闸管控制的电流源型静止同步补偿器(static synchronous compensator,STATCOM)。该变换器融合多电平技术、电流注入技术,使得主电路中功率器件的开关频率较低,降低了开关损耗;注入电路所固... 该文设计了一种大功率应用场合下,主桥路采用晶闸管控制的电流源型静止同步补偿器(static synchronous compensator,STATCOM)。该变换器融合多电平技术、电流注入技术,使得主电路中功率器件的开关频率较低,降低了开关损耗;注入电路所固有的零电流特性为主电路中使用晶闸管提供了可能,实现真正意义上的软开关。利用PLECS软件对STATCOM模型进行仿真,结果表明能够实现灵活的无功功率全范围控制。制作实验装置采集波形验证了系统能够实现灵活的功率调节。 展开更多
关键词 晶闸管 电流源变换器 静止同步补偿器 无功全范围控制
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晶闸管过电压保护中“关断过电压”产生原因探讨——课堂教学中如何认识“反向电流急剧衰减为零(近似)”的一点看法
15
作者 刘永昌 林萍 《西安航空学院学报》 1994年第1期35-39,共5页
晶闸管(文字符号:T,英语单词Thyristor缩写)关断过电压,又叫换流(相)过电压,或空穴积蓄效应过电压。它是晶闸管元件在换流过程中伴随产生的一种过电压。因为它幅值很大,作用时间很短,因此它属于尖峰状的瞬时过电压,它是山于变压器漏感... 晶闸管(文字符号:T,英语单词Thyristor缩写)关断过电压,又叫换流(相)过电压,或空穴积蓄效应过电压。它是晶闸管元件在换流过程中伴随产生的一种过电压。因为它幅值很大,作用时间很短,因此它属于尖峰状的瞬时过电压,它是山于变压器漏感和线路自身电感的存在,当晶闸管换流时,电感释放能量而产生的过电压。 展开更多
关键词 过电压保护 晶闸管换流 反向电流 课堂教学 原因探讨 反向电压 关断 阻断能力 元件 变压器
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高压大电流晶闸管受主双质掺杂新技术的研究 被引量：1
16
作者 刘秀喜 薛成山 +2 位作者 林玉松 孙瑛 王显明 《山东电子》 1995年第3期29-30,共2页
鉴于现行Ｐ型杂质扩散工艺的不足，提出了受主双质掺杂新技术的研究，经工艺论证和对比实险，首先成功的研制成开管铝镓扩散法，为电力半导体器件研究和生产开创了一条先进的工艺途径。
关键词 晶闸管 掺杂 高压 大电流晶闸管
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晶闸管整流装的谐波电流 被引量：1
17
作者 郑守柱 《长春光学精密机械学院学报》 1994年第3期68-71,共4页
本文应用傅立叶级数对三相全控桥晶闸管整流电路的谐波电流进行了分析。指出电路交流侧的电流接近正弦波，且含有高次谐波．为消除谐波的危害，介绍了几种常用的抑制谐波的措施。
关键词 傅立叶级数 谐波电流 滤波 晶闸管 整流电路
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大电流晶闸管桥臂模块的研制
18
作者 鲁纪云 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期26-27,共2页
介绍了国内外功率模块的发展状况及１６０～２５０安大电流高压晶闸管模块设计和制造中几个关键技术问题。
关键词 大电流 晶闸管 模块
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浅谈晶闸管的过电流保护
19
作者 戚善友 《黑龙江科技信息》 2004年第5期247-247,共1页
晶闸管原名可控硅，是一种功率半导体器件，晶闸管比整流二级管多了一个控制门极，具有单向可控特性。由于它效率高、控制特性好、寿命长、体积小等优点已得到了广泛的应用。EL-1／08型电力机车低压整流电路也得到普遍应用。晶闸管的应... 晶闸管原名可控硅，是一种功率半导体器件，晶闸管比整流二级管多了一个控制门极，具有单向可控特性。由于它效率高、控制特性好、寿命长、体积小等优点已得到了广泛的应用。EL-1／08型电力机车低压整流电路也得到普遍应用。晶闸管的应用技术主要是进行电力变换与控制，大致可分为以下几方面： 展开更多
关键词 晶闸管 过电流保护 可控硅 功率半导体器件
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晶闸管变流装置的谐波电流
20
作者 唐抗敌 《西北建筑工程学院学报（自然科学版）》 1996年第2期40-44,共5页
分析了晶闸管交流装置产生的高次谐波电流及这一电流对供电质量的影响和危害，并提出了消除和抑制措施。
关键词 晶闸管 谐波电流 畸变 抑制
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