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小尺寸器件栅隧穿电流预测模型
被引量：
1
1
作者
吴铁峰
张鹤鸣
胡辉勇
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期312-316,共5页
针对具有超薄氧化层的MOS器件,使用积分方法,提出了一个新的栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论预测模型,在此基础上使用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细的研究,并定量分析了器件的工作情况,预测了在栅隧穿电流的影响下小尺寸器件的特...
针对具有超薄氧化层的MOS器件,使用积分方法,提出了一个新的栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论预测模型,在此基础上使用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细的研究,并定量分析了器件的工作情况,预测了在栅隧穿电流的影响下小尺寸器件的特性变化趋势。使用BSIM 4模型进行仿真的结果与所提出的理论模型相符合。
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关键词
器件
仿真
栅隧穿电流模型
栅氧化层
积分法
小尺寸器件
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职称材料
题名
小尺寸器件栅隧穿电流预测模型
被引量：
1
1
作者
吴铁峰
张鹤鸣
胡辉勇
机构
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室
佳木斯大学信息电子技术学院
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期312-316,共5页
基金
部级预研基金
文摘
针对具有超薄氧化层的MOS器件,使用积分方法,提出了一个新的栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论预测模型,在此基础上使用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细的研究,并定量分析了器件的工作情况,预测了在栅隧穿电流的影响下小尺寸器件的特性变化趋势。使用BSIM 4模型进行仿真的结果与所提出的理论模型相符合。
关键词
器件
仿真
栅隧穿电流模型
栅氧化层
积分法
小尺寸器件
Keywords
device simulation
gate tunneling current model
gate oxides
integral means
scaled device
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
小尺寸器件栅隧穿电流预测模型
吴铁峰
张鹤鸣
胡辉勇
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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