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横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参量的影响
被引量：
1
1
作者
赵彦晓
张万荣
+4 位作者
谢红云
黄鑫
张良浩
金子超
付强
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期508-512,共5页
为了分析了发射极条宽、条长、条数等横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参数的影响,通过Jazz 0.35μm BiCMOS SiGe HBT的Y参量,得出了在不同横向结构参数下SiGe HBT的小信号模型参数.结果表明:增加发射极条宽、条长、条数时,小信号模型...
为了分析了发射极条宽、条长、条数等横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参数的影响,通过Jazz 0.35μm BiCMOS SiGe HBT的Y参量,得出了在不同横向结构参数下SiGe HBT的小信号模型参数.结果表明:增加发射极条宽、条长、条数时,小信号模型中的等效电阻值减小、等效电容增大、跨导也增大.在此基础上,分析了SiGe HBT横向结构参数对合成的有源电感特性的影响.在设计不同性能的有源电感时,所得结果对有源器件横向结构参数的选取有一定的指导意义.
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关键词
横向结构
Y参量
小信号模型参数
SIGE
HBT
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职称材料
题名
横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参量的影响
被引量：
1
1
作者
赵彦晓
张万荣
谢红云
黄鑫
张良浩
金子超
付强
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期508-512,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61574010)
北京市自然科学基金资助项目(4142007)
文摘
为了分析了发射极条宽、条长、条数等横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参数的影响,通过Jazz 0.35μm BiCMOS SiGe HBT的Y参量,得出了在不同横向结构参数下SiGe HBT的小信号模型参数.结果表明:增加发射极条宽、条长、条数时,小信号模型中的等效电阻值减小、等效电容增大、跨导也增大.在此基础上,分析了SiGe HBT横向结构参数对合成的有源电感特性的影响.在设计不同性能的有源电感时,所得结果对有源器件横向结构参数的选取有一定的指导意义.
关键词
横向结构
Y参量
小信号模型参数
SIGE
HBT
Keywords
geometrical parameters
parameters Y
small signal model parameters
SiGe hetero-junction bipolar transistor(SiGe HBT)
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参量的影响
赵彦晓
张万荣
谢红云
黄鑫
张良浩
金子超
付强
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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