检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

n沟6H-SiC MOSFET直流特性和小信号参数解析模型被引量：1: 1; 作者王平杨银堂 +2 位作者杨燕贾护军屈汉章《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期89-93,共5页; 基于对一维泊松方程的解析求解以及对表面势的迭代计算,建立了适于模拟n沟6H SiCMOSFET直流I V特性以及小信号参数的解析模型.模型采用薄层电荷近似,考虑了6H SiC中杂质不完全离化的特点以及界面态电荷对器件特性的影响,可用于所有的器... 展开更多; 关键词 6H-SIC 金属氧化物半导体场效应晶体管 I-V特性小信号参数解析模型界面态电荷; 在线阅读下载PDF 职称材料

蠕变效应对微型扬声器小信号参数建模的影响被引量：2: 2; 作者刘成沈勇董桂官《声学技术》 CSCD 2011年第3期250-253,共4页; 大部分微型扬声器在低频时存在着蠕变效应。通过电力声类比建立了微型扬声器的小信号模型,分析了微型扬声器小信号参数与普通扬声器的差异。引入支撑部分的蠕变效应,采用标准线性固态蠕变模型对支撑系统顺性进行改进,比较了传统的力顺... 展开更多; 关键词蠕变效应微型扬声器小信号参数建模; 在线阅读下载PDF 职称材料

HEMT器件小信号模型研究: 3; 作者向兵武慧微赵高峰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期112-115,156,共5页; 提出一种AlGaAs/GaAs HEMT器件沟道电荷新模型,该模型用一个通用解析函数中系数的不同值来描述二维电子气(2DEG)和AlGaAs层中的电子浓度。在小信号特性上,除考虑了2DEG层外,又在考虑了AlGaAs层、速度饱和、饱和区沟道长度调制效应和源... 展开更多; 关键词高电子迁移率晶体管半导体器件二维电子气小信号参数沟道电荷模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

微型扬声器国际标准提案: 4; 作者董桂官夏洁赵晓莺《信息技术与标准化》 2017年第4期58-60,共3页; 介绍微型扬声器领域产业和技术现状,分析《微型扬声器》国际标准提案的主要技术内容,重点解读针对微型扬声器的小信号参数、位移特性、高次谐波失真、环境试验等测试项目,该国际标准提案将助力微型扬声器厂商创造出性能优异的产品,并给... 展开更多; 关键词微型扬声器国际标准提案小信号参数; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名n沟6H-SiC MOSFET直流特性和小信号参数解析模型被引量：1: 1; 作者王平杨银堂杨燕贾护军屈汉章; 机构西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安邮电学院应用数理系; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期89-93,共5页; 基金教育部重点资助项目(02074) 国家部委预研基金资助项目(51408010601DZ1032); 文摘基于对一维泊松方程的解析求解以及对表面势的迭代计算,建立了适于模拟n沟6H SiCMOSFET直流I V特性以及小信号参数的解析模型.模型采用薄层电荷近似,考虑了6H SiC中杂质不完全离化的特点以及界面态电荷对器件特性的影响,可用于所有的器件工作区.当漏偏压为0 05V、栅压为1 9V时,模拟得到的最大跨导值为54μS.模拟结果与实验数据有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且计算准确的优点,非常适于SiC器件以及电路研究使用.; 关键词 6H-SIC 金属氧化物半导体场效应晶体管 I-V特性小信号参数解析模型界面态电荷; Keywords Electric fields Mathematical models Poisson equation Transconductance; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名蠕变效应对微型扬声器小信号参数建模的影响被引量：2: 2; 作者刘成沈勇董桂官; 机构南京大学声学研究所近代声学教育部重点实验室; 出处《声学技术》 CSCD 2011年第3期250-253,共4页; 基金国家自然科学基金(10774075)资助项目; 文摘大部分微型扬声器在低频时存在着蠕变效应。通过电力声类比建立了微型扬声器的小信号模型,分析了微型扬声器小信号参数与普通扬声器的差异。引入支撑部分的蠕变效应,采用标准线性固态蠕变模型对支撑系统顺性进行改进,比较了传统的力顺模型和两种蠕变模型。讨论了蠕变对小信号参数建模的影响,以及特殊的结构对振动和声学特性的影响。取得的结果具有一定的实用价值。; 关键词蠕变效应微型扬声器小信号参数建模; Keywords creep effect microspeaker small signal parameters modeling; 分类号 TB532 [理学—声学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HEMT器件小信号模型研究: 3; 作者向兵武慧微赵高峰; 机构河南大学物理与电子学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期112-115,156,共5页; 基金国家自然科学基金(11011140321); 文摘提出一种AlGaAs/GaAs HEMT器件沟道电荷新模型,该模型用一个通用解析函数中系数的不同值来描述二维电子气(2DEG)和AlGaAs层中的电子浓度。在小信号特性上,除考虑了2DEG层外,又在考虑了AlGaAs层、速度饱和、饱和区沟道长度调制效应和源、漏串联电阻RS和RD等效应的基础上,推导出直流特性、跨导、输出电导和栅电容的解析表达式。仿真说明,在较大的栅、漏压范围内,该模型的理论值与实验结果符合良好。; 关键词高电子迁移率晶体管半导体器件二维电子气小信号参数沟道电荷模型; Keywords HEMT semiconductor devices 2DEG small-signal parameters channel charge model; 分类号 TN386.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微型扬声器国际标准提案: 4; 作者董桂官夏洁赵晓莺; 机构中国电子技术标准化研究院南京大学; 出处《信息技术与标准化》 2017年第4期58-60,共3页; 文摘介绍微型扬声器领域产业和技术现状,分析《微型扬声器》国际标准提案的主要技术内容,重点解读针对微型扬声器的小信号参数、位移特性、高次谐波失真、环境试验等测试项目,该国际标准提案将助力微型扬声器厂商创造出性能优异的产品,并给使用者评估产品提供科学参考。; 关键词微型扬声器国际标准提案小信号参数; Keywords microspeakers international standard proposal small signal parameters; 分类号 TN643 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	n沟6H-SiC MOSFET直流特性和小信号参数解析模型	王平杨银堂杨燕贾护军屈汉章	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	蠕变效应对微型扬声器小信号参数建模的影响	刘成沈勇董桂官	《声学技术》 CSCD	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	HEMT器件小信号模型研究	向兵武慧微赵高峰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	微型扬声器国际标准提案	董桂官夏洁赵晓莺	《信息技术与标准化》	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料