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射频高效率功率放大器探究 被引量：4
1
作者 孔宪辉 《通信电源技术》 2019年第5期60-61,63,共3页
随着无线通信系统的持续升级,对射频功率放大器的实际效率提出了全新要求。因此,研究了有效提升射频功率放大器效率的方法。
关键词 射频高效率功率放大器 无线通信 实验
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基于GaN的Doherty射频功率放大器研制
2
作者 辛利 康志杰 米大伟 《电声技术》 2025年第1期141-146,共6页
根据Doherty射频功率放大器的基本原理,设计一款基于GaN工艺的非对称反型Doherty射频功率放大器。通过优化阻抗匹配网络和调制网络的设计,减轻电子塌陷效应,拓宽工作带宽,提高饱和工作效率。这使该功率放大器可以在较宽的频带范围内与... 根据Doherty射频功率放大器的基本原理,设计一款基于GaN工艺的非对称反型Doherty射频功率放大器。通过优化阻抗匹配网络和调制网络的设计,减轻电子塌陷效应,拓宽工作带宽,提高饱和工作效率。这使该功率放大器可以在较宽的频带范围内与数字预失真算法协同工作,增强系统的线性化性能,改善信号质量。测试结果表明,该射频功率放大器各项实测指标均优于设计标准,可以满足现代无线通信系统的要求。 展开更多
关键词 射频功率放大器 DOHERTY 非对称 电子塌陷效应 记忆效应
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射频功率放大器线性化技术在中波广播发射机中的应用研究
3
作者 王灵杰 《电视技术》 2025年第2期186-188,共3页
中波广播发射机作为无线音频传输的核心设备,其关键部件射频功率放大器在实际工作中常常遭遇非线性失真等问题,影响广播音质。基于此,分析射频功率放大器的工作原理及其非线性失真的类型和成因,介绍重要的性能指标。在此基础上,重点阐... 中波广播发射机作为无线音频传输的核心设备,其关键部件射频功率放大器在实际工作中常常遭遇非线性失真等问题,影响广播音质。基于此,分析射频功率放大器的工作原理及其非线性失真的类型和成因,介绍重要的性能指标。在此基础上,重点阐述数字预失真、反馈线性化等几类射频功率放大器线性化技术的基本原理、实现方法和适用场合。结合全固态中波广播发射机的实际情况,探讨射频功率放大器线性化技术的具体应用策略。 展开更多
关键词 中波广播发射机 射频功率放大器 线性化技术
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X波段宽带高效率连续类功率放大器芯片设计
4
作者 刘涵潇 喻忠军 +1 位作者 范景鑫 张德生 《电子技术应用》 2025年第3期39-43,共5页
为提高功率放大器的带宽和效率,基于0.25μm GaAs pHEMT ED工艺,通过控制输出级二次谐波阻抗进行波形控制,实现连续B/J类波形,设计了一款单片集成的X波段高效率连续B/J类功率放大器。放大器由两级构成,驱动级使用增强型晶体管实现高增益... 为提高功率放大器的带宽和效率,基于0.25μm GaAs pHEMT ED工艺,通过控制输出级二次谐波阻抗进行波形控制,实现连续B/J类波形,设计了一款单片集成的X波段高效率连续B/J类功率放大器。放大器由两级构成,驱动级使用增强型晶体管实现高增益,输出级使用耗尽型晶体管实现高效率与瓦级的输出功率。仿真结果显示,该功率放大器在7.3~12.2 GHz的频带内实现了29~30.6 dBm的输出功率,功率增益为17~18.6 dB,功率附加效率大于50%,峰值效率为59%,输入回波损耗小于10 dB,芯片尺寸仅为2.1 mm×1.3 mm。 展开更多
关键词 功率放大器 高效率 X波段 连续类 单片微波集成电路
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基于简易实频技术的宽带高效率功率放大器设计
5
作者 石金辉 王斌 《电子器件》 CAS 2024年第3期610-616,共7页
为了满足5G通信系统对功率放大器带宽和效率的要求,基于CGH40010F晶体管,采用简易实频技术,设计了一款工作在n77频段(3.3 GHz~4.2 GHz)的宽带高效率功率放大器。首先采用负载牵引的方法对各频点的基波最佳阻抗值以及二次谐波阻抗空间进... 为了满足5G通信系统对功率放大器带宽和效率的要求,基于CGH40010F晶体管,采用简易实频技术,设计了一款工作在n77频段(3.3 GHz~4.2 GHz)的宽带高效率功率放大器。首先采用负载牵引的方法对各频点的基波最佳阻抗值以及二次谐波阻抗空间进行提取,选择简易实频技术设计宽带匹配网络,在其仿真性能良好的前提下,进行了加工测试。测试结果表明,该功率放大器在3.3 GHz~4.2 GHz频段内,漏极效率为58.1%~64.5%,增益为11.1 dB~12.9 dB,饱和输出功率为39.6 dBm~41.3 dBm。该功率放大器的性能良好,且带宽和效率具有一定的优势,可为后续宽带高效率功率放大器的设计提供参考。 展开更多
关键词 功率放大器 简易实频技术 宽带 高效率
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1.25GHz高效率F类射频功率放大器 被引量：5
6
作者 李玉龙 宋树祥 +1 位作者 岑明灿 蒋品群 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第10期143-146,共4页
传统F类射频功放由于功放管寄生参数影响造成LC输出匹配电路二阶阻抗不为零而导致效率下降,对此采用补偿功放管寄生参数和优化调节二次谐波阻抗的方法,设计了一款结构可调而稳定的输出回路单元,获得了较高的效率和带宽.经过ADS仿真验证... 传统F类射频功放由于功放管寄生参数影响造成LC输出匹配电路二阶阻抗不为零而导致效率下降,对此采用补偿功放管寄生参数和优化调节二次谐波阻抗的方法,设计了一款结构可调而稳定的输出回路单元,获得了较高的效率和带宽.经过ADS仿真验证后得知,功率放大器工作在1.25GHz时,该功率附加效率达到74.3%以上,输出功率为47.6dBm,带宽为240 MHz. 展开更多
关键词 射频功率放大器 F类 高效率 ADS 寄生参数
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一种双频高效率滤波功率放大器设计
7
作者 魏正华 叶小兰 《空天预警研究学报》 CSCD 2024年第4期304-308,共5页
为了解决无线终端难以选择无线工作频率发射信号以及发射机对带外信号抑制不足的难题,设计一种具有二次谐波抑制的双频高效率滤波功率放大器,提出了双功能双频阻抗控制器和双频滤波阻抗变换器的结构及设计方法,通过解析计算方式获取了... 为了解决无线终端难以选择无线工作频率发射信号以及发射机对带外信号抑制不足的难题,设计一种具有二次谐波抑制的双频高效率滤波功率放大器,提出了双功能双频阻抗控制器和双频滤波阻抗变换器的结构及设计方法,通过解析计算方式获取了该结构的全部设计参数.电磁仿真结果表明,工作频率为1.785GHz和2.415GHz的输出功率分别为40.8dBm和40.1dBm,漏极效率分别为62.9%和60.8%,增益分别为10.8dB和10.1dB,在二次谐波频率3.57GHz和4.83GHz的抑制分别达到43.7dBc和69.7dBc. 展开更多
关键词 双频 阻抗变换器 高效率 谐波控制 功率放大器
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两个可调节传输零点的双频高效率功率放大器设计
8
作者 魏正华 叶小兰 《空天预警研究学报》 CSCD 2024年第5期353-357,共5页
为了解决矿井下多频无线终端中双频功率放大器极易干扰其他终端的难题,提出具有两个可调节传输零点的双频高效率功率放大器设计方法.该双频阻抗变换电路由解析的计算方式获得全部设计参数,同时可通过调节两个自由变量将全部的传输线特... 为了解决矿井下多频无线终端中双频功率放大器极易干扰其他终端的难题,提出具有两个可调节传输零点的双频高效率功率放大器设计方法.该双频阻抗变换电路由解析的计算方式获得全部设计参数,同时可通过调节两个自由变量将全部的传输线特性阻抗参数调整到合适范围,另外还将二次谐波控制电路和两个传输零点产生电路融合到双频基波阻抗变换电路中.仿真结果表明,在0.7 GHz和2.6 GHz的最大功率附加效率为81.0%和71.5%;当输入功率分别为25.5 dBm和29.5 dBm时,在0.9 GHz和2.1 GHz两个频率相应的输出功率分别为-0.9dBm和-22.9dBm,从而验证了本文设计方法的有效性. 展开更多
关键词 双频阻抗变换电路 传输零点 高效率功率放大器
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应用于2.4 GHz WIFI的高线性功率放大器的设计
9
作者 陈睿源 陈磊 《电子设计工程》 2025年第4期21-24,共4页
为满足2.4 GHz频段的WIFI射频前端芯片的需要,设计了一种基于SAIC HG工艺的高线性、高功率射频Ⅲ-Ⅴ族功率放大器(PA)。该PA采用了二级放大架构,实现了29 dBm的饱和输出功率。在2.4~2.5 GHz工作频段内增益达到28.8 dB。使用ADS热电子仿... 为满足2.4 GHz频段的WIFI射频前端芯片的需要,设计了一种基于SAIC HG工艺的高线性、高功率射频Ⅲ-Ⅴ族功率放大器(PA)。该PA采用了二级放大架构,实现了29 dBm的饱和输出功率。在2.4~2.5 GHz工作频段内增益达到28.8 dB。使用ADS热电子仿真在版图层面对PA的输出级功率单元布局进行优化,同时基于标准QFN封装对芯片进行了完整的封装体建模联合仿真。该PA在802.11ax MCS11 bandwidth 40 MHz 1024QAM调制下,线性功率为20 dBm@DEVM=-43 dB. 展开更多
关键词 射频前端 高线性 功率放大器 WIFI 热电子仿真 封装体仿真
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高效率E类射频功率放大器 被引量：4
10
作者 郝允群 庄奕琪 李小明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期74-76,79,共4页
研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在问题以及解决的方法──差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例。由于具有低成本、高集成度、多功用等优点,MOS工艺在射频功率放大方面有很大的发展潜力。在本文中,用0.6μmCMO... 研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在问题以及解决的方法──差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例。由于具有低成本、高集成度、多功用等优点,MOS工艺在射频功率放大方面有很大的发展潜力。在本文中,用0.6μmCMOS工艺实现了E类放大器的设计。 展开更多
关键词 高效率E类射频功率放大器 功率放大器 E类RF放大器 电路结构 工作原理 交叉耦合
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广播发射系统中射频功率放大器功率提升关键技术研究 被引量：2
11
作者 孙光尧 《电声技术》 2024年第1期95-97,共3页
射频功率放大器在广播发射系统中扮演着至关重要的角色,其性能直接影响信号传输的质量和覆盖范围。为提高系统的传输效率并扩大其覆盖范围,射频功率放大器的功率提升成为研究的焦点之一。文章旨在探索射频功率放大器功率提升的关键技术... 射频功率放大器在广播发射系统中扮演着至关重要的角色,其性能直接影响信号传输的质量和覆盖范围。为提高系统的传输效率并扩大其覆盖范围,射频功率放大器的功率提升成为研究的焦点之一。文章旨在探索射频功率放大器功率提升的关键技术,通过实验对比不同技术方案的输出功率、效率、非线性失真等各项指标,明确新技术方案在提高系统性能方面的显著优势,为广播发射系统的进一步优化提供重要参考。 展开更多
关键词 广播发射 射频功率 放大器
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基于SiGe工艺的高增益射频功率放大器 被引量：4
12
作者 胡锦 陶可欣 +1 位作者 郝明丽 张晓轲 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2012年第2期18-21,共4页
基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g频段范围内的高增益射频功率放大器.该功放工作在AB类,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路.仿真结果显示:功率增益高达30dB,1dB压缩点输出功率为24... 基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g频段范围内的高增益射频功率放大器.该功放工作在AB类,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路.仿真结果显示:功率增益高达30dB,1dB压缩点输出功率为24dBm,电路的S参数S11在1.5～4GHz大的频率范围内均小于-17dB,S21大于30dB,输出匹配S22小于-10dB,S12小于-90dB.最高效率可达42.7%,1dB压缩点效率为37%. 展开更多
关键词 射频 功率放大器 SIGE
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逆F类高效氮化镓Doherty射频功率放大器设计 被引量：10
13
作者 王洋 刘太君 +1 位作者 叶焱 孙超 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第6期64-68,共5页
逆F类功放在接近饱和区工作时效率很高,将其与Doherty功放结构相结合,可以实现一种在大功率回退的情况下仍然具有很高效率的射频功率放大器。本文设计了一款基于Ga N HEMT晶体管的高效率的逆F类Doherty功率放大器,工作频带为910MHz^950... 逆F类功放在接近饱和区工作时效率很高,将其与Doherty功放结构相结合,可以实现一种在大功率回退的情况下仍然具有很高效率的射频功率放大器。本文设计了一款基于Ga N HEMT晶体管的高效率的逆F类Doherty功率放大器,工作频带为910MHz^950MHz。单音信号测试结果显示,在930MHz处,功放回退7.5d B后漏极效率仍高达64.2%。使用3载波WCDMA信号作为测试信号,利用数字预失真技术进行线性化后,功放输出信号的上下边带邻信道功率比(ACPR)分别为-35.39d Bc和-35.9d Bc。 展开更多
关键词 DOHERTY功率放大器 氮化镓 逆F类 高效率
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高线性度CMOS射频AB类功率放大器设计 被引量：2
14
作者 陈晓飞 沈军 +1 位作者 张力 林双喜 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2014年第6期145-148,共4页
CMOS射频AB类功率放大器广泛应用于单片集成无线芯片内.采用恒定最大电流的方法对其效率进行分析,采用归一化输入电压的方法对其线性度进行分析.利用AB类功率放大器系统增益的非线性与CMOS跨导非线性相互补偿,提高了CMOS射频AB类放大器... CMOS射频AB类功率放大器广泛应用于单片集成无线芯片内.采用恒定最大电流的方法对其效率进行分析,采用归一化输入电压的方法对其线性度进行分析.利用AB类功率放大器系统增益的非线性与CMOS跨导非线性相互补偿,提高了CMOS射频AB类放大器的线性度.基于TSMC 0.18μm CMOS混合信号工艺,设计了一款两级射频AB类功率放大器.该射频功率放大器差动输入,单端输出,工作频段为804~940MHz,工作电压为3V.仿真指标为:增益为11dB,输出1dB压缩点为17.2dBm,OIP3为18.2dBm,附加效率为37%. 展开更多
关键词 AB类 射频功率放大器 CMOS 线性度 效率
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V波段2W高效率GaN功率放大器MMIC的研制 被引量：1
15
作者 高茂原 《通讯世界》 2024年第6期10-12,共3页
由于氮化镓(GaN)具有高功率密度特性,因此GaN功率放大器在毫米波领域得到快速发展,其性能不断提升。基于此,采用0.13μm GaN工艺,研制了一款V波段高效率的GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC),对0.13μm GaN工艺和器件进行阐述。对功... 由于氮化镓(GaN)具有高功率密度特性,因此GaN功率放大器在毫米波领域得到快速发展,其性能不断提升。基于此,采用0.13μm GaN工艺,研制了一款V波段高效率的GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC),对0.13μm GaN工艺和器件进行阐述。对功率放大器设计和制作进行研究,包括功率放大器的架构、电路实现以及功率合成和版图实现,并对功率放大器进行测试和结果分析,包括小信号特性和大信号特性。该功率放大器在40 GHz~75 GHz频段内,其饱和输出功率大于2 W,附加效率大于15%,功率增益大于18 dB,可广泛应用于毫米波雷达和通信领域。 展开更多
关键词 V波段 高功率 高效率 功率放大器 MMIC
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射频微波功率放大器芯片技术研究进展及发展趋势
16
作者 李镇兵 黄峻杰 +6 位作者 张晋荣 贾世麟 付佳龙 吴祥睿 李钢 孙浩洋 文光俊 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期871-882,共12页
在对射频微波功率放大器芯片的概念、类型与实现工艺进行全面综述与分类的基础上,聚焦其高频化、线性度改善、能量转换效率提升、带宽扩展以及高集成度封装等关键技术的研究现状与亟待解决的技术问题,深入分析并讨论了各项关键技术的主... 在对射频微波功率放大器芯片的概念、类型与实现工艺进行全面综述与分类的基础上,聚焦其高频化、线性度改善、能量转换效率提升、带宽扩展以及高集成度封装等关键技术的研究现状与亟待解决的技术问题,深入分析并讨论了各项关键技术的主流实现方式、典型研发案例以及相关应用利弊,旨在为现代无线通信系统射频前端集成的功率放大器芯片研发提供方法总结与设计参考。最后对射频微波功率放大器芯片技术的发展趋势与行业走向作出了展望。 展开更多
关键词 射频微波 功率放大器芯片 高频化 效率提升 线性度改善 带宽扩展 高集成度封装
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一种高功率小型射频放大器研究 被引量：3
17
作者 李珏 赵继德 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期66-68,共3页
本文根据高功率射频功率放大器的基本特性,研究了工作频率在100MHZ左右,功率等级在2KW左右的峰值功率,平均功率在200W左右的射频功率放大器,利用无源集中参数和微带混合结构匹配方式实现阻抗匹配,该方式具有匹配简单,物理结构整洁,同时... 本文根据高功率射频功率放大器的基本特性,研究了工作频率在100MHZ左右,功率等级在2KW左右的峰值功率,平均功率在200W左右的射频功率放大器,利用无源集中参数和微带混合结构匹配方式实现阻抗匹配,该方式具有匹配简单,物理结构整洁,同时不牺牲功率放大器性能。实验表明,该小型化功率放大器缩小尺寸一半以上,峰值功率1dB压缩点在2KW,大信号增益为30dB,具有良好的线性度,效率大于60%。 展开更多
关键词 射频功率放大器 微型化 混合匹配 微带线 集中参数
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输入谐波相位控制的宽带高效率连续逆F类功率放大器
18
作者 黄超意 聂泽宁 熊珉 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期3428-3435,共8页
卫星通信与地面移动通信的互补融合已成为趋势,这意味着以功率放大器(功放)为核心的无线射频前端需要应对大带宽和高效率的双重挑战。该文提出的输入谐波相位控制方法可以有效突破功放带宽和效率相互制约的瓶颈,并以连续逆F类工作模式... 卫星通信与地面移动通信的互补融合已成为趋势,这意味着以功率放大器(功放)为核心的无线射频前端需要应对大带宽和高效率的双重挑战。该文提出的输入谐波相位控制方法可以有效突破功放带宽和效率相互制约的瓶颈,并以连续逆F类工作模式为基础,通过控制输入端二次谐波相位来重构晶体管漏极时域波形,在保证高效率的同时获得阻抗设计空间的大幅提升。利用这一拓展的阻抗设计空间,研制了一款1.7~3.0 GHz的连续逆F类功放,实测结果表明在该工作频段内可以实现40.62~42.78 dBm的输出功率和72.2%~78.6%的漏极效率,同时增益可达10.6~14.8 dB。 展开更多
关键词 射频功率放大器 连续逆F类 输入谐波工程
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一种新型C频段高效率移相GaN功率放大器 被引量：1
19
作者 梁勤金 董四华 +1 位作者 郑强林 余川 《电讯技术》 北大核心 2013年第5期623-627,共5页
研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30W,带宽10MHz,带有6位移相功能,具有C频段高频率、固态、小型化... 研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30W,带宽10MHz,带有6位移相功能,具有C频段高频率、固态、小型化、高效率、高功率密度、高击穿电压特性,是一种目前国内外尚无类似集成设计的最新高性能氮化镓(GaN)功率放大器模块。因其功放模块输出末级采用了美国Cree公司第三代宽禁带GaN功放管优化设计,实现了固态C频段高效率功率输出。 展开更多
关键词 固态功率放大器 C频段GaN功率放大器 高效率 宽禁带GaN器件
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一种V波段高效率5W GaN功率放大器MMIC
20
作者 高哲 范一萌 万悦 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期360-364,共5页
基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成... 基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成功率放大器的末端功率合成;通过对晶体管宽长比的设计与多胞晶体管的合成,实现了功率放大器的高功率稳定工作和高效率输出。经过测试,在59~61 GHz频率范围内,在占空比为20%、脉宽为100μs时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到37 dBm以上,功率附加效率(PAE)大于21.1%,功率增益大于17 dB;连续波测试条件下输出功率大于36.8 dBm, PAE大于21%。该设计在输出功率和PAE上具有一定的优势。 展开更多
关键词 V波段 功率放大器 单片微波集成电路(MMIC) 高效率 功率合成
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