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射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积法制备类金刚石碳膜工艺与性能表征 被引量：2
1
作者 陈冲 费振义 +5 位作者 亓永新 曹宁 张益博 王风 吕震 李木森 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2009年第5期7-12,共6页
使用射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积技术(简称RFGDPECVD)在玻璃载玻片表面沉积类金刚石薄膜。用原子力显微镜(AFM)、摩擦试验仪、划痕试验机测定了其表面形貌、耐磨性及附着性。采用X射线光电子能谱(XPS)、分光光度计对两种气源(... 使用射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积技术(简称RFGDPECVD)在玻璃载玻片表面沉积类金刚石薄膜。用原子力显微镜(AFM)、摩擦试验仪、划痕试验机测定了其表面形貌、耐磨性及附着性。采用X射线光电子能谱(XPS)、分光光度计对两种气源(C4H10、C2H2)制备的DLC薄膜微观组成和透光率进行了检测和对比。结果表明:DLC薄膜的表面光滑、平整,表面粗糙度随沉积时间的增加单调递增;耐磨性及附着性优良;与C4H10相比使用C2H2作为碳源气体可以得到较高sp3含量和较低sp1含量的DLC膜;C2H2制备DLC薄膜的透光率低于C4H10;同一种碳源气体,反应流量比例越小,则DLC薄膜的透光性越好。 展开更多
关键词 射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积 类金刚石薄膜 放电特性
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射频辉光放电等离子体化学气相沉积类金刚石膜的性能研究
2
作者 陈灵 刘正义 +3 位作者 邱万奇 黄元盛 刘铁林 欧阳光胜 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期379-381,共3页
用自行设计的RF PCVD(射频辉光放电等离子体化学气相沉积 )设备沉积类金刚石膜 ,并对膜的力学、光学、化学性能进行了分析。表明用该设备制备的类金刚石膜具有显微硬度高、磨擦系数小、膜基结合力高、对红外有良好的增透性 ,并且耐磨耐... 用自行设计的RF PCVD(射频辉光放电等离子体化学气相沉积 )设备沉积类金刚石膜 ,并对膜的力学、光学、化学性能进行了分析。表明用该设备制备的类金刚石膜具有显微硬度高、磨擦系数小、膜基结合力高、对红外有良好的增透性 ,并且耐磨耐蚀、化学稳定性好。 展开更多
关键词 射频辉光放电等离子体 化学气相沉积 类金刚石膜 制备 力学性能 光学性能 化学性能
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大气压射频等离子体化学气相沉积TiO_2体系的发射光谱诊断 被引量：5
3
作者 常大磊 李小松 +1 位作者 赵天亮 朱爱民 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第3期625-630,共6页
开展了大气压射频(RF)等离子体化学气相沉积(PCVD)TiO2放电体系的发射光谱诊断研究,分别考察了氧气分压、钛酸四异丙酯(TTIP)分压和输入功率对氧原子谱线相对强度、氩原子激发温度、OH振动温度以及转动温度的影响.结果表明:随着氧气分... 开展了大气压射频(RF)等离子体化学气相沉积(PCVD)TiO2放电体系的发射光谱诊断研究,分别考察了氧气分压、钛酸四异丙酯(TTIP)分压和输入功率对氧原子谱线相对强度、氩原子激发温度、OH振动温度以及转动温度的影响.结果表明:随着氧气分压的增加,氧原子谱线相对强度先迅速增加至峰值后缓慢下降,OH振动温度缓慢增加,而氩原子激发温度和OH转动温度基本不变.随着TTIP分压的增加,氧原子谱线相对强度下降,氩原子激发温度没有明显变化,而OH振动温度和转动温度增加.随着输入功率的增加,氧原子谱线相对强度下降,氩原子激发温度、OH振动温度和转动温度升高. 展开更多
关键词 大气压射频等离子体 介质阻挡放电 等离子体化学气相沉积 发射光谱诊断 TIO2
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射频放电辅助热丝CVD金刚石生长速率的研究 被引量：1
4
作者 孙心瑗 周灵平 +2 位作者 李宇农 易学华 陈本敬 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期460-463,共4页
在传统的HFCVD系统中,引入射频电源后,通过与灯丝或者衬底的连接,组成了射频放电辅助下的四种不同沉积金刚石的生长模式。在各种生长模式下,分别以酒精和丙酮为碳源,沉积出了金刚石多晶球,并就不同辅助模式下的金刚石的生长速率进行了... 在传统的HFCVD系统中,引入射频电源后,通过与灯丝或者衬底的连接,组成了射频放电辅助下的四种不同沉积金刚石的生长模式。在各种生长模式下,分别以酒精和丙酮为碳源,沉积出了金刚石多晶球,并就不同辅助模式下的金刚石的生长速率进行了研究。结果表明,等离子体增强法能够明显促进金刚石的生长,而电子促进法的生长速率最慢,甚至慢于偏压等离子体的生长速率;与等离子体促进增强法相比,偏压等离子体增强法的生长速率也有所变慢,并且随着偏压射频电流的增大,其生长速率越来越慢;而传统热丝法的生长速率与沉积金刚石时所选用碳源的分子结构有很大的关系。 展开更多
关键词 金刚石多晶球 射频放电 等离子体增强 热丝化学气相沉积
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硅掺杂辉光放电聚合物薄膜的成分结构分析 被引量：1
5
作者 唐定平 何智兵 +4 位作者 陈志梅 谢征微 李玲 阳志林 闫建成 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期667-670,共4页
以H2、反式二丁烯（T2B）和四甲基硅烷（TMS）混合气体为工作气体，在不同TMS流量条件下，用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了Si掺杂辉光放电聚合物（GDP）薄膜。采用傅里叶变换红外光谱表征了不同TMS流量下Si掺杂GDP薄膜的化学组... 以H2、反式二丁烯（T2B）和四甲基硅烷（TMS）混合气体为工作气体，在不同TMS流量条件下，用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了Si掺杂辉光放电聚合物（GDP）薄膜。采用傅里叶变换红外光谱表征了不同TMS流量下Si掺杂GDP薄膜的化学组成结构。X射线光电子能谱表征了Si掺杂GDP薄膜成分，分析了TMS流量对Si掺杂GDP薄膜化学结构与元素组成的影响。研究表明：薄膜中成功地掺入了Si元素；Si掺杂GDP薄膜中Si元素主要以Si—C，Si—H等键合形式存在；在TMS流量为0．5～2mL／min（标准状态）的范围内，薄膜中Si的原子浓度为0．72％～1．35％；随着TMS流量的逐渐增加，薄膜中Si含量逐渐增大。 展开更多
关键词 低压等离子体增强化学气相沉积 Si掺杂辉光放电聚合物薄膜 X射线光电子能谱 傅里叶变换红外光谱
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RF-PECVD生长参数对石墨烯薄膜品质的影响
6
作者 袁强华 任江枫 殷桂琴 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第2期98-105,共8页
对比不同工艺参数条件下生长的石墨烯薄膜的形貌和品质,分别研究了高频功率、放电气压、气体流量比、生长时间、生长温度以及基底种类对双频放电的RF-PECVD制备的石墨烯薄膜品质影响。实验结果表明,石墨烯的缺陷程度随着高频功率的增加... 对比不同工艺参数条件下生长的石墨烯薄膜的形貌和品质,分别研究了高频功率、放电气压、气体流量比、生长时间、生长温度以及基底种类对双频放电的RF-PECVD制备的石墨烯薄膜品质影响。实验结果表明,石墨烯的缺陷程度随着高频功率的增加而降低,但是薄膜的厚度随着高频功率的增加而减小。在3 Torr及5 Torr的条件下,石墨烯薄膜存在着较多的边界状缺陷。甲烷/氩气流量比为10:30、生长时间为40 min时,能够生长出品质较好的石墨烯薄膜。生长温度对石墨烯薄膜的生长影响较大,在300℃时,镍基底表面无法生长出石墨烯薄膜,并且生长温度低于600℃时,都无法生长出品质较好的石墨烯薄膜。最后发现,相同的生长条件,在镍基底上生长的石墨烯薄膜厚度更小,但是铜基底生长的石墨烯薄膜缺陷更少,品质更好,这与薄膜在两种基底上不同的生长方式有关。 展开更多
关键词 射频等离子体增强化学气相沉积 双频放电 石墨烯薄膜
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BP_xN_(1-x)薄膜的制备及磷元素对其光学能隙的影响 被引量：1
7
作者 徐世友 祁英昆 +1 位作者 张溪文 韩高荣 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期335-338,共4页
本文从应用出发 ,选择光学石英为衬底 ,采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1 -x薄膜 ,对样品进行了X射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、紫外 可见等测试。XRD、SEM结果显示薄膜多晶态 ,表面形貌随时间变化 ,最终为胞状 ... 本文从应用出发 ,选择光学石英为衬底 ,采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1 -x薄膜 ,对样品进行了X射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、紫外 可见等测试。XRD、SEM结果显示薄膜多晶态 ,表面形貌随时间变化 ,最终为胞状 ;紫外 可见光光谱结果显示BPxN1 -x薄膜的紫外吸收边随沉积时间的加长、PH3流量的增加而向长波长方向移动。因此 ,该材料的光学能隙可以通过生长工艺适当调整。另外 ,BPxN1 展开更多
关键词 BPxN1-x薄膜 制备 磷元素 掺杂 紫外液晶光阀 光学能隙 热丝辅助射频化学气相沉积 氮化硼
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RF-HFCVD生长高质量纳米金刚石薄膜 被引量：2
8
作者 邱东江 吴惠桢 +1 位作者 陈奶波 石成儒 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期167-170,共4页
采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积 (RF HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了高质量的纳米金刚石薄膜 .研究了衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性和光学性质的影响 ,其最佳值分别为70 0℃、2× 133Pa和 2 0 0W ... 采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积 (RF HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了高质量的纳米金刚石薄膜 .研究了衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性和光学性质的影响 ,其最佳值分别为70 0℃、2× 133Pa和 2 0 0W .在该条件下金刚石成核密度达 10 11cm-2 ,经 1h生长即获得连续薄膜 ,其平均晶粒尺寸为 2 5nm ,表面粗糙度仅为 5 5 ,在近红外区域 (80 0nm处 )的光透过率达 90 % . 展开更多
关键词 RF-HFCVD 生长 纳米金刚石薄膜 射频等离子体增强热丝化学气相沉积 光透过率
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GPCVD法低温合成纳米金刚石薄膜 被引量：1
9
作者 葛大勇 赵庆勋 +1 位作者 杨保柱 何雷 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2011年第8期22-24,共3页
为了在低温衬底(<500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si(100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,... 为了在低温衬底(<500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si(100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,研究了电子温度Te和电子密度ne的空间变化规律,探讨薄膜生长机理。对所合成的样品,利用扫描电子显微镜、Raman光谱仪、X射线衍射进行了分析。结果表明,实验所得样品为高品质、结晶完善、表面光滑的纳米金刚石薄膜,SEM形貌表明薄膜中晶粒的粒度为40～90 nm,Raman光谱在1 331.5 cm-1处出现了金刚石的(111)特征声子峰。XRD谱在2θ=43.907、5.30处出现了金刚石的(111)(、220)特征衍射峰。实验得出了低温合成纳米金刚石薄膜的最佳工艺条件:①甲烷体积百分比浓度为0.6%;②反应室气压为5 kPa;③气体流量在1 100～1 300 mL/min范围内成核密度较高,并以(100)(、111)面为主,晶粒的平均粒度小于100 nm;在流量为1 300 mL/min时,晶粒的生长表现为一定的定向生长。 展开更多
关键词 纳米 金刚石薄膜 辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法
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制膜技术与装置
10
《中国光学》 EI CAS 2001年第1期70-72,共3页
O484.1 2001010471直流辉光放电等离子体增强化学气相法制备金刚石及氮化碳薄膜=Synthesis of diamond and carbonnitride by DC.glow discharge plasma enhancedchemical vapor deposition[刊,中]/于威,王淑芳, 丁学成,韩理,刘志强,张... O484.1 2001010471直流辉光放电等离子体增强化学气相法制备金刚石及氮化碳薄膜=Synthesis of diamond and carbonnitride by DC.glow discharge plasma enhancedchemical vapor deposition[刊,中]/于威,王淑芳, 丁学成,韩理,刘志强,张连水,傅广生(河北大学物理系.河北,保定(071002))∥河北大学学报.自然科学版.-2000,20(1).-78-82采用直流辉光放电等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术方法,在Si(100)衬底上制备了金刚石薄膜。 展开更多
关键词 直流辉光放电 等离子体增强化学气相沉积 制备 氮化碳薄膜 金刚石薄膜 自然科学版 光学膜 多晶硅薄膜 技术方法 大学学报
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