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大气压射频等离子体化学气相沉积TiO_2体系的发射光谱诊断 被引量:5
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作者 常大磊 李小松 +1 位作者 赵天亮 朱爱民 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第3期625-630,共6页
开展了大气压射频(RF)等离子体化学气相沉积(PCVD)TiO2放电体系的发射光谱诊断研究,分别考察了氧气分压、钛酸四异丙酯(TTIP)分压和输入功率对氧原子谱线相对强度、氩原子激发温度、OH振动温度以及转动温度的影响.结果表明:随着氧气分... 开展了大气压射频(RF)等离子体化学气相沉积(PCVD)TiO2放电体系的发射光谱诊断研究,分别考察了氧气分压、钛酸四异丙酯(TTIP)分压和输入功率对氧原子谱线相对强度、氩原子激发温度、OH振动温度以及转动温度的影响.结果表明:随着氧气分压的增加,氧原子谱线相对强度先迅速增加至峰值后缓慢下降,OH振动温度缓慢增加,而氩原子激发温度和OH转动温度基本不变.随着TTIP分压的增加,氧原子谱线相对强度下降,氩原子激发温度没有明显变化,而OH振动温度和转动温度增加.随着输入功率的增加,氧原子谱线相对强度下降,氩原子激发温度、OH振动温度和转动温度升高. 展开更多
关键词 等离子体 介质阻挡放电 等离子体化学沉积 光谱诊断 TIO2
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偏压对低气压等离子体增强化学气相沉积TiO_2薄膜的结构和性能的影响 被引量:4
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作者 刘伟 李岩 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期103-107,共5页
使用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法,以TTIP(Ti(OC3H7)4)为单体,用氧气为载气,以脉冲偏压为辅助在室温的玻璃基片上沉积无定型TiO2薄膜,分析探讨在射频等离子体增强化学气相沉积TiO2薄膜的过程中,基片上施加脉冲偏压和远离脉... 使用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法,以TTIP(Ti(OC3H7)4)为单体,用氧气为载气,以脉冲偏压为辅助在室温的玻璃基片上沉积无定型TiO2薄膜,分析探讨在射频等离子体增强化学气相沉积TiO2薄膜的过程中,基片上施加脉冲偏压和远离脉冲偏压的情况下成膜的比较.在沉积的过程中,利用USB-2000型光纤光谱仪对等离子体的发射光谱进行测量,定性分析等离子体沉积过程中的成分组成.用UV-1901探讨薄膜的光学特性,发现紫外和近紫外区域有一定吸收;用扫描电镜分析薄膜表面形貌的变化,可以看到偏压下的薄膜致密无孔,而远离偏压下的薄膜形貌粗糙;用红外光谱分析薄膜的结构组成,可以看到明显的Ti—O吸收峰.脉冲偏压下得到的薄膜在化学、光学以及电学方面有很好应用前景. 展开更多
关键词 TiO2 等离子体 脉冲偏压 等离子体增强化学沉积(PE—CVD)
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常压等离子体增强化学气相沉积纳米晶TiO_2多孔薄膜的研究 被引量:3
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作者 李岩 徐绍魁 +1 位作者 徐金洲 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期108-113,共6页
采用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法及TiCl4/O2混合气体在常温常压下可制备纳米晶TiO2多孔薄膜.利用偏光显微镜分析(PM)、扫描电子显微镜分析(SEM)、高分辨透射电镜分析(HRTEM)、X光衍射分析(XRD)等检测手段,系统地对纳米晶TiO... 采用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法及TiCl4/O2混合气体在常温常压下可制备纳米晶TiO2多孔薄膜.利用偏光显微镜分析(PM)、扫描电子显微镜分析(SEM)、高分辨透射电镜分析(HRTEM)、X光衍射分析(XRD)等检测手段,系统地对纳米晶TiO2多孔膜表面形貌以及成分进行表征.研究结果表明:使用等离子体化学气相沉积方法,可以在常温常压下快速沉积纳米晶TiO2多孔薄膜,并且PE-CVD与传统的化学方法相比具有低能耗、低污染、方法简便、成本低等优点,是具有良好发展前景的纳米晶多孔薄膜制备新方法. 展开更多
关键词 等离子体增强化学沉积(PE-CVD) TiO2多孔薄膜 纳米晶结构
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用锌金属有机源和二氧化碳等离子体增强化学气相沉积的方法制备高质量氧化锌薄膜 被引量:3
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作者 楚振生 李炳生 +3 位作者 刘益春 申德振 范希武 刘毅南 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期383-384,共2页
报道了用金属锌有机源和二氧化碳混合气源等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)的方法成功地制备高质量择优取向 (0 0 0 2 )的ZnO薄膜。通过X ray衍射谱进行了结构分析得到六方结构 ,择优取向 ,晶粒尺寸大约在 2 2 0nm。并通过原子力显微... 报道了用金属锌有机源和二氧化碳混合气源等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)的方法成功地制备高质量择优取向 (0 0 0 2 )的ZnO薄膜。通过X ray衍射谱进行了结构分析得到六方结构 ,择优取向 ,晶粒尺寸大约在 2 2 0nm。并通过原子力显微镜分析更进一步验证了晶粒的尺寸。通过透射谱分析观察到了典型的激子吸收线。这种方法的特点是可以在低温条件下在任何衬底上生长大面积均匀性好。 展开更多
关键词 氧化锌 薄膜 等离子体增强化学沉积
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取向碳纳米管阵列的等离子体复合化学气相沉积法制备 被引量:4
5
作者 陈易明 张海燕 +3 位作者 朱清锋 陈雨婷 陈列春 杨大勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期470-474,共5页
采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积技术,用旋涂法制备负载催化剂的硅片衬底,以CH4为碳源制备出取向碳纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜对不同还原时间和不同N i(NO3)2浓度下制备的催化剂基片和取向碳纳米管阵列薄膜进行形貌分析... 采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积技术,用旋涂法制备负载催化剂的硅片衬底,以CH4为碳源制备出取向碳纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜对不同还原时间和不同N i(NO3)2浓度下制备的催化剂基片和取向碳纳米管阵列薄膜进行形貌分析,用透射电子显微镜和拉曼光谱对碳纳米管进行表征.结果表明,在H2-N2气氛中热还原后硅片上的催化剂粒径均匀,排列致密,利用该法制备的碳纳米管为竹节型多壁碳纳米管,管径分布均匀,管长约5μm.碳纳米管阵列薄膜垂直于硅片衬底生长,生长排列均匀致密,具有良好的取向性. 展开更多
关键词 取向碳纳米管阵列 热丝等离子体复合化学沉积 旋涂法
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多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺
6
作者 邓婉婷 吴爱民 +3 位作者 张广英 秦富文 董闯 姜辛 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期436-440,共5页
采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)... 采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向. 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体增强化学沉积 多晶硅薄膜 低温生长
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等离子体增强化学气相沉积可控制备石墨烯研究进展 被引量:8
7
作者 李娜 张儒静 +2 位作者 甄真 许振华 何利民 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期36-44,共9页
石墨烯具有超薄的结构、优异的光学和电学等性能,在晶体管、太阳能电池、超级电容器和传感器等领域具有极大的应用潜能。为更好地发展实际应用,高质量石墨烯的可控制备研究尤为重要。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术具有低温和原... 石墨烯具有超薄的结构、优异的光学和电学等性能,在晶体管、太阳能电池、超级电容器和传感器等领域具有极大的应用潜能。为更好地发展实际应用,高质量石墨烯的可控制备研究尤为重要。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术具有低温和原位生长的优势,成为未来石墨烯制备方面较具潜力的发展方向之一。本文综述了PECVD技术制备石墨烯的发展,重点讨论了PECVD过程中等离子体能量、生长温度、生长基底和生长压力对石墨烯形核及生长的作用,概述了PECVD制备石墨烯的形核及聚结机制、刻蚀和边缘生长竞争两种不同机制,并指出PECVD技术制备石墨烯面临的挑战及发展。在未来的研究中,需突破对石墨烯形核及生长的控制,实现低温原位的大尺寸、高质量石墨烯薄膜的可控制备,为PECVD基石墨烯器件在电子等领域的应用奠定基础。 展开更多
关键词 石墨烯 等离子体增强化学沉积 形核及生长 生长机制
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常压等离子体增强化学气相沉积法表面功能化聚酯织物 被引量:1
8
作者 K. H. Kale S. S. Palaskar +1 位作者 刘鹏(译) 罗艳(校) 《国际纺织导报》 2012年第4期39-40,42,共3页
对于纺织材料的表面改性来说,等离子体技术正成为一种新兴且环境友好的技术。等离子体技术在纺织品表面可沉积具有特殊功能的薄膜。阐述了一种常压等离子体增强化学气相沉积法表面改性100%聚酯织物的新型方法。通过傅里叶变换红外光谱... 对于纺织材料的表面改性来说,等离子体技术正成为一种新兴且环境友好的技术。等离子体技术在纺织品表面可沉积具有特殊功能的薄膜。阐述了一种常压等离子体增强化学气相沉积法表面改性100%聚酯织物的新型方法。通过傅里叶变换红外光谱研究了沉积于样品表面上相对于放电功率的等离子体聚合物化学和结构性质。采用雾化试验和接触角测量赋予织物诸如疏水等的功能特性。 展开更多
关键词 等离子体 表面改性 常压等离子体增强化学沉积
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微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜 被引量:2
9
作者 左潇 魏钰 +2 位作者 陈龙威 舒兴胜 孟月东 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-361,共6页
利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件... 利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件。实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62%;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体增强化学沉积 低温 直接制备 多晶硅薄膜
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新型射频等离子化学气相沉积系统
10
作者 曲承林 谢雁 李世直 《青岛化工学院学报(自然科学版)》 1992年第1期51-55,共5页
设计了一种射频电极作为基板支架的射频等离子体化学气相沉积系统.其温度可达700℃,负偏压是可调的.并以沉积的TiN膜的取向为例说明了系统的工作情况.
关键词 等离子体 化学系统 沉积
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用遥控射频辉光放电等离子加强化学气相沉积法制备绝缘低介电常数SiO层的综合特性和椭圆对称性
11
作者 彭补之 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期77-77,共1页
关键词 遥控辉光放电等离子 化学沉积 制备 绝缘 低介电常数 氧化硅层 综合特性 椭圆对称性
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射频等离子体功率参数对硅基发光薄膜生长与结构的影响
12
作者 邵宇光 杨沁玉 +4 位作者 王德信 石建军 徐金洲 郭颖 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期123-128,共6页
采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构... 采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构和性能进行了表征,并利用发射光谱(OES)对薄膜等离子体生长过程进行了分析.研究结果表明,随着射频功率的增加,等离子体发射光谱中Hβ谱线强度激增,薄膜的红外光谱中Si—O键在1095cm-1处振动吸收峰强度减小,Si—Si键在613cm-1处特征吸收峰强度增加,说明射频功率增加加剧了硅烷的裂解与氧化硅的还原,提高了薄膜结晶度和纳米晶粒的融合度,并降低了沉积薄膜的表面粗糙度. 展开更多
关键词 等离子体化学沉积(RF-PECVD) 硅基发光薄膜 生长与结构
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用射频等离子体轰击法向无定形类金刚石碳膜掺氮
13
作者 彭补文 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2001年第12期61-61,共1页
关键词 等离子体轰击法 无定形类金刚石碳膜 化学沉积 掺氮 镀膜
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化学气相沉积法制备碳化硅纤维 被引量:9
14
作者 郑敏 张蓬洲 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期27-30,共4页
本文介绍了采用射频加热技术,通过化学气相沉积法制备连续碳化硅纤维。讨论了沉积温度、反应气体组分、流量及走丝速度等沉积参数对纤维性能的影响,并提出了可能的反应机理。
关键词 加热 化学沉积 碳化硅纤维
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常压连续等离子体制备长效亲水锂离子电池隔膜 被引量:3
15
作者 李妍 王超梁 +2 位作者 覃思成 周贵树 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2022年第6期29-35,共7页
基于常压连续等离子体增强化学气相沉积法,在聚乙烯隔膜上沉积含Si杂化纳米颗粒膜。采用扫描电子显微镜、红外光谱仪、X射线光电子能谱仪和光学接触角测量仪等仪器对隔膜的表面形貌、化学结构和亲水性等性能进行表征;使用电化学工作站... 基于常压连续等离子体增强化学气相沉积法,在聚乙烯隔膜上沉积含Si杂化纳米颗粒膜。采用扫描电子显微镜、红外光谱仪、X射线光电子能谱仪和光学接触角测量仪等仪器对隔膜的表面形貌、化学结构和亲水性等性能进行表征;使用电化学工作站对组装电池进行阻抗测试。结果表明:隔膜表面有杂化纳米颗粒紧密黏附,其成分为SiO_(3.5)C_(1.1)H_(x);涂层样的水接触角从121°降至22°左右,该接触角保持30 d无明显变化;经120℃热处理1 h后,透气性基本保持不变,符合锂离子电池组装过程对隔膜的要求;原样组装电池的电荷转移阻抗值为81.69Ω,而涂层样组装电池的阻抗为64.51Ω,说明电荷的传导性能得到提高。常压连续等离子体增强化学气相沉积方法可有效应用于长效亲水聚乙烯电池隔膜制备,在高性能锂离子电池方面拥有巨大的应用前景。 展开更多
关键词 离子电池隔膜 等离子体增强化学沉积 SiO_(3.5)C_(1.1)H_(x)纳米颗粒 亲水性 时效性 化学阻抗
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大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应
16
作者 赵悦 杨盛玮 +2 位作者 韩坤 刘丰满 曹立强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期51-57,72,共8页
等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据... 等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据不同介质层沉积对器件的影响,确定了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是大马士革工艺中易造成等离子体损伤的薄弱环节之一。实验结果表明,同种工艺满足相同的天线扩散效应,此时工艺参数的改变不会影响天线扩散系数。对带有不同天线结构的PMOS器件进行可靠性分析,得知与密齿状天线相比,疏齿状天线对器件的损伤更严重,确定了结构面积和间距是影响PECVD工艺可靠性水平的关键参数。 展开更多
关键词 大马士革工艺 天线扩散效应 等离子体增强化学沉积(PECVD) 等离子体损伤 经时击穿(TDDB)
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射频PECVD方法生长含氢非晶碳膜的结构及摩擦学性能 被引量:4
17
作者 李明 蔺增 +1 位作者 王凤 巴德纯 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1745-1748,共4页
利用射频等离子体增强化学气相沉积技术在不锈钢表面制备了含氢非晶碳膜.采用Raman光谱、红外光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜等研究了薄膜的微观结构和表面形貌,在栓盘摩擦磨损试验机上考察了薄膜在不同载荷与滑动速度下的摩擦学... 利用射频等离子体增强化学气相沉积技术在不锈钢表面制备了含氢非晶碳膜.采用Raman光谱、红外光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜等研究了薄膜的微观结构和表面形貌,在栓盘摩擦磨损试验机上考察了薄膜在不同载荷与滑动速度下的摩擦学性能.结果表明:所制备的含氢非晶碳膜具有典型的类金刚石结构特征,薄膜均匀、致密,表面粗糙度小;薄膜与不锈钢球对磨时显示出良好的抗磨减摩性能;薄膜的抗磨减摩性能同对磨件表面上形成的转移膜以及摩擦过程中薄膜结构的石墨化相关. 展开更多
关键词 射频等离子体增强化学气相沉积 含氢非晶碳膜 结构 摩擦学性能
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射频直热法在碳纤维表面低温涂覆SiC涂层研究 被引量:5
18
作者 井敏 王成国 +3 位作者 朱波 白玉俊 王延相 陈新谋 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期53-58,共6页
采用新型工艺射频直热法在碳纤维表面低温化学气相沉积SiC涂层,以达到节能、控制涂层厚度和降低成本的工业生产要求.利用XRD,EPMA,TEM研究了工艺与涂层结构关系、涂层的微观结构、拉伸和抗氧化性能.结果表明:SiC涂层在700~780℃发生结... 采用新型工艺射频直热法在碳纤维表面低温化学气相沉积SiC涂层,以达到节能、控制涂层厚度和降低成本的工业生产要求.利用XRD,EPMA,TEM研究了工艺与涂层结构关系、涂层的微观结构、拉伸和抗氧化性能.结果表明:SiC涂层在700~780℃发生结晶,提高温度或者减慢走丝速度,结晶更完善;低温沉积涂覆后纤维的拉伸性能基本不下降,低温抗氧化性能有所提高;样品的高温抗氧化性能并不理想,有待于进一步的工艺探索. 展开更多
关键词 碳纤维 碳化硅 涂层 化学沉积
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射频辅助N掺杂ZnO薄膜的生长及其光电特性 被引量:2
19
作者 苏剑峰 姚然 +1 位作者 钟泽 傅竹西 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期299-303,共5页
在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置,通过裂解N2及N-Al共掺杂的方法进行ZnO的p型掺杂研究。通过二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱等方法分析了薄膜中N杂质的浓度,以及射频功率与晶体质量... 在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置,通过裂解N2及N-Al共掺杂的方法进行ZnO的p型掺杂研究。通过二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱等方法分析了薄膜中N杂质的浓度,以及射频功率与晶体质量、表面形貌以及光学特性之间的关系,并与Al掺杂和N掺杂的ZnO薄膜进行对比。实验结果表明,N掺杂的浓度高达1020cm-3;N-Al共掺杂极大地增加了ZnO的成核速率,其主要原因是N离化所起的作用;N-Al共掺的ZnO薄膜显示出p型性质,而N掺杂的ZnO薄膜由于N原子处于非激活状态而呈现高阻,这说明N-Al共掺杂对ZnO中N原子的活化起到一定作用。 展开更多
关键词 金属有机化学沉积 辅助 N离化 N-Al共掺杂
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射频功率对类金刚石薄膜性能的影响 被引量:5
20
作者 陈林林 张殷华 黄伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1375-1378,共4页
在不同射频功率条件下,实验研究了射频等离子体化学气相沉积类金刚石薄膜的金刚石相分数、光学常数和硬度。利用Raman光谱仪、椭圆偏振仪、数字式显微硬度计分别测试了不同条件下单层类金刚石薄膜的金刚石相分数、光学常数和硬度。实验... 在不同射频功率条件下,实验研究了射频等离子体化学气相沉积类金刚石薄膜的金刚石相分数、光学常数和硬度。利用Raman光谱仪、椭圆偏振仪、数字式显微硬度计分别测试了不同条件下单层类金刚石薄膜的金刚石相分数、光学常数和硬度。实验表明,随着功率的增加,金刚石相的相对分数减少,薄膜的折射率先减小再增加然后减小,射频功率大于910W时,沉积速率急剧增大。而薄膜的硬度先增加后减小,在射频功率为860W处获得最大值。 展开更多
关键词 功率 等离子体化学沉积 类金刚石薄膜 RAMAN光谱
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