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大面积单激励器射频离子源等离子体均匀性分析
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作者 杨立鑫 陈俞钱 +3 位作者 谢亚红 彭旭峰 梁立振 胡纯栋 《能源研究与管理》 2024年第1期138-144,共7页
为了提高等离子体分布均匀度,基于有限元分析法与实验相结合的方法,从射频离子源驱动器尺寸和引出区尺寸2个方面对单驱动射频离子源放电室进行设计。模拟研究结果表明,电子均匀度的增长幅度随驱动器尺寸的大小变化比较缓慢。根据不同驱... 为了提高等离子体分布均匀度,基于有限元分析法与实验相结合的方法,从射频离子源驱动器尺寸和引出区尺寸2个方面对单驱动射频离子源放电室进行设计。模拟研究结果表明,电子均匀度的增长幅度随驱动器尺寸的大小变化比较缓慢。根据不同驱动器尺寸电子密度分布研究结果,在引出区尺寸为320 mm时,电子均匀度能够满足90%的要求。根据实验研究结果表明,在引出区尺寸为320 mm时电子分布均匀且均匀度>90%,并与模拟结果相吻合。因此,为使得等离子体分布均匀度能够达到要求,离子源放电室底部引出面附近引出区尺寸应该设计为320 mm。 展开更多
关键词 射频离子源 驱动器尺寸 引出区尺寸 电子均匀度
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射频离子源束流特性分析 被引量:5
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作者 赵淼 雷光玖 +2 位作者 李明 谢炜民 张贤明 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期152-157,共6页
介绍了为HL-2A装置设计的引出束功率为1MW的射频离子源研制情况。目前,在测试平台上,该离子源已经成功引出了束能量和束电流分别为35ke V和12.4A、束质子比为79%、脉宽为100ms的氢离子束,达到了其设计束功率的44%。用红外热成像的方法... 介绍了为HL-2A装置设计的引出束功率为1MW的射频离子源研制情况。目前,在测试平台上,该离子源已经成功引出了束能量和束电流分别为35ke V和12.4A、束质子比为79%、脉宽为100ms的氢离子束,达到了其设计束功率的44%。用红外热成像的方法测量了离子束能量密度分布。结果表明,在距离引出系统地电极1.3m处,束密度分布遵循高斯分布。引出束的最佳导流系数为1.689×10–6A?V-3/2左右,随射频功率改变有较小的变化。根据这些实验结果,采取了相关改进措施来改善离子源的引出束性能。 展开更多
关键词 射频离子源 中性束 束流特性
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大面积NBI射频离子源电气参数设计分析 被引量:3
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作者 陈俞钱 谢亚红 +2 位作者 胡纯栋 蒋才超 崔庆龙 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期243-246,共4页
为探究射频离子源驱动器线圈电气参数对射频放电的影响,主要进行了射频离子源等离子体激发的物理分析,并计算了射频电源的频率选择与线圈放电电流、线圈匝间电压以及放电气压之间的关系,设计了射频离子源驱动器的主要参数。研制的射频... 为探究射频离子源驱动器线圈电气参数对射频放电的影响,主要进行了射频离子源等离子体激发的物理分析,并计算了射频电源的频率选择与线圈放电电流、线圈匝间电压以及放电气压之间的关系,设计了射频离子源驱动器的主要参数。研制的射频离子源驱动器装置,成功获得氢等离子体射频放电。实验结果和理论计算结果符合很好。 展开更多
关键词 射频离子源 EAST NBI驱动器
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大面积射频离子源等离子体激励模拟研究 被引量:1
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作者 陈俞钱 苏国建 +1 位作者 谢亚红 胡纯栋 《核科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期1174-1181,共8页
中性束注入(Neutral Beam Injection,NBI)加热是磁约束核聚变装置中最重要的辅助加热手段之一。大面积强流射频(Radio frequency)离子源是高功率NBI系统的核心部件。为了获得高密度、均匀的等离子体,在单激励器射频离子源研究的基础上... 中性束注入(Neutral Beam Injection,NBI)加热是磁约束核聚变装置中最重要的辅助加热手段之一。大面积强流射频(Radio frequency)离子源是高功率NBI系统的核心部件。为了获得高密度、均匀的等离子体,在单激励器射频离子源研究的基础上对双激励器射频离子源的结构和等离子体激励特性进行了模拟,给出了射频离子源不同结构和参数对等离子体产生的影响,包括射频激励器间距、扩展室深度、射频功率以及放电气压等。研究结果可为大面积射频离子源的研制和多激励器射频负离子源的设计和优化提供支持。 展开更多
关键词 中性束注入 射频离子源 均匀性 模拟分析
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射频离子源离子束成分光谱测量
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作者 谢炜民 李明 赵淼 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期158-162,共5页
为HL-2A装置中性束注入器研制了引出束功率为1MW的射频离子源。在测试平台上,实验离子源已经成功引出了束能量和束电流分别为35ke V和12.4A、束质子比为79%、脉宽为100ms的氢离子束,达到了设计束功率要求的44%。在射频离子源实验平台上... 为HL-2A装置中性束注入器研制了引出束功率为1MW的射频离子源。在测试平台上,实验离子源已经成功引出了束能量和束电流分别为35ke V和12.4A、束质子比为79%、脉宽为100ms的氢离子束,达到了设计束功率要求的44%。在射频离子源实验平台上,利用多普勒频移光谱方法测量了离子源引出束流成分比例,对比了束流成分和射频离子源引出束流之间的关系。实验数据分析表明,在10A引出束流的情况下,离子流成分H+1、H+2和H+3分别为75%、18%和7%。并且当引出束流从3.3A升至10.4A时,H+1从37%升至78%,而H+3则从19%降至9%。 展开更多
关键词 射频离子源 中性束注入 离子源束成分 多普勒
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低能大束斑射频离子源
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作者 易书卷 陈开芹 黄培基 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期58-60,共3页
一、引言 射频离子源素有结构简单。维护运行方便,质子比高等优点;并且造价低,在大规模工业应用上与其他源型相比,具有优越的竞争能力。 目前,仅限于单孔引出,射频离子源最大引出质子流强,均在5mA以下,且没有开发这种离子源型的应用。... 一、引言 射频离子源素有结构简单。维护运行方便,质子比高等优点;并且造价低,在大规模工业应用上与其他源型相比,具有优越的竞争能力。 目前,仅限于单孔引出,射频离子源最大引出质子流强,均在5mA以下,且没有开发这种离子源型的应用。我们研制的毫安级射频离子源,其特点是低能、大束斑。 展开更多
关键词 射频离子源 离子辅助镀 表面改性
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双驱动射频负氢离子源匹配网络设计与实验研究
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作者 阳璞琼 李宇乾 +4 位作者 蒋才超 潘军军 刘波 陈世勇 谢远来 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期155-160,共6页
随着磁约束聚变实验装置对中性束注入器的输出束流强度与脉冲时间的要求越来越高,开展高功率大面积射频离子源的研究迫在眉睫。为了实现大面积、高密度均匀等离子体放电,基于多驱动射频离子源的设计是当前的发展趋势,而阻抗匹配网络是... 随着磁约束聚变实验装置对中性束注入器的输出束流强度与脉冲时间的要求越来越高,开展高功率大面积射频离子源的研究迫在眉睫。为了实现大面积、高密度均匀等离子体放电,基于多驱动射频离子源的设计是当前的发展趋势,而阻抗匹配网络是射频功率源将最大功率输送至线圈并耦合至等离子体的关键,故对其结构设计和调谐特性的研究是不可或缺的。基于前期在单驱动射频离子源的研究基础上,结合双驱动射频离子源的放电需求,开展了双驱动阻抗匹配网络优化结构的设计与分析,通过实验中对匹配网络的调谐,成功实现了140 kW高功率和25 kW/1 000 s长脉冲的稳定运行。随后在等离子体稳定放电的基础上研究了两个驱动器之间的功率分配均匀性问题,实验结果表明了该匹配网络的优化设计合理可行,上下驱动器的射频功率分配基本均匀。 展开更多
关键词 中性束注入系统 双驱动射频离子源 阻抗匹配 功率传输系统 离子
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射频离子束辅助溅射镀膜设备的研制 被引量:1
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作者 陈特超 龙长林 +2 位作者 胡凡 刘欣 王慧勇 《电子工业专用设备》 2013年第11期1-3,32,共4页
介绍了一种用于氧化物薄膜制备的射频离子束辅助溅射镀膜设备,阐述了设备原理、组成、特点以及试验结果。通过使用射频离子源和射频中和器,解决了采用热灯丝离子源的同类设备中灯丝易被氧化的关键问题,适合于氧化物薄膜制备。
关键词 离子 薄膜 射频离子源
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离子束表面加工设备及工艺研究
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作者 范江华 李勇 +3 位作者 袁祖浩 龚俊 胡凡 黄也 《中国集成电路》 2024年第9期87-91,共5页
本文介绍了一种用于红外芯片金属化与刻蚀工艺的离子束表面加工设备。通过实验探索不同工艺角度下薄膜沉积速率与均匀性及刻蚀速率与均匀性的影响,结果表明薄膜沉积均匀性与刻蚀均匀性均优于3%。同时经过产线流片,红外芯片表面薄膜均匀... 本文介绍了一种用于红外芯片金属化与刻蚀工艺的离子束表面加工设备。通过实验探索不同工艺角度下薄膜沉积速率与均匀性及刻蚀速率与均匀性的影响,结果表明薄膜沉积均匀性与刻蚀均匀性均优于3%。同时经过产线流片,红外芯片表面薄膜均匀性良好、一致性高,芯片电路图案刻蚀陡直性高、损伤低,满足红外芯片金属化与刻蚀工艺需求。 展开更多
关键词 离子束溅沉积 离子束刻蚀 离子束加工 射频离子源
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离子束刻蚀技术与设备常见故障分析 被引量:3
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作者 程壹涛 刘成群 吴海 《电子工业专用设备》 2021年第5期33-38,共6页
介绍了离子束刻蚀技术的特点及其基本原理,并以某型号离子束刻蚀机为例,重点介绍了该设备组成结构与工作原理。同时,根据以往维修经验,总结归纳了该设备的常见故障,并对故障原因进行了深入分析,给出了相应的解决措施。
关键词 离子束刻蚀 射频离子源 中和器 离子光学系统
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