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射频磁控溅射方法制备氧化钒薄膜的研究 被引量:2
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作者 李志栓 李静 +2 位作者 吴孙桃 郭东辉 徐富春 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期37-40,共4页
利用射频磁控溅射的方法,在不同的衬底温度和溅射功率下制备了氧化钒薄膜样品,并在纯氩气环境下作了退火处理,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和激光扫描共聚焦显微镜扫描图像,对样品进行研究.XRD分析显示退火前样品为非晶态,... 利用射频磁控溅射的方法,在不同的衬底温度和溅射功率下制备了氧化钒薄膜样品,并在纯氩气环境下作了退火处理,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和激光扫描共聚焦显微镜扫描图像,对样品进行研究.XRD分析显示退火前样品为非晶态,退火后为结晶态,并用激光共聚焦显微镜对图像做了验证.对比退火后样品的 XRD图谱显示在其它条件相同时,可以通过增大溅射功率或降低衬底温度,来提高退火后薄膜样品的结晶程度,并增强 V2O5(001)晶面的取向性;通过对比退火前样品的XPS谱可知在其它条件相同时,通过升高衬底温度或减小溅射功率,可以提高薄膜样品中高价钒的含量. 展开更多
关键词 氧化钒薄膜 衬底温度 射频磁控溅射方法 氩气环境 XPS谱 X线光电子能谱(XPS) 取向性 制备 并用 增强
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射频磁控溅射制备PZT铁电薄膜的工艺研究 被引量:3
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作者 毕振兴 张之圣 +2 位作者 胡明 樊攀峰 刘志刚 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期6-9,共4页
在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜。将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃。测试分析表明:薄膜厚... 在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜。将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃。测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料。 展开更多
关键词 PZT 直流对靶溅射 磁控溅射 锆钛酸铅薄膜 钙钛矿相 电滞回线 射频磁控溅射方法 PZT铁电薄膜 溅射制备 工艺研究
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氮化铝单晶薄膜及其制备方法
3
《无机盐工业》 CAS 2004年第4期62-62,共1页
关键词 氮化铝单晶薄膜 制备 射频磁控溅射方法 氧化镁单晶基片
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VO2镀膜工艺与薄膜导电特性的研究 被引量:1
4
作者 吕凤军 斯永敏 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第F04期237-238,241,共3页
利用射频磁控溅射方法制备了VO2薄膜,通过正交试验设计研究镀膜工艺因素对薄膜导电特性的影响规律。试验结果表明,影响薄膜导电性能的主要因素是热处理温度,其次是衬底的温度,溅射功率和工作压强对薄膜导电性能的影响很小。X射线衍... 利用射频磁控溅射方法制备了VO2薄膜,通过正交试验设计研究镀膜工艺因素对薄膜导电特性的影响规律。试验结果表明,影响薄膜导电性能的主要因素是热处理温度,其次是衬底的温度,溅射功率和工作压强对薄膜导电性能的影响很小。X射线衍射结果表明,制备的VO2薄膜为非晶体结构,480℃真空热处理后,VO2薄膜结晶良好。由此得到制备VO2薄膜的最优化工艺为:衬底的温度400℃、热处理温度480℃、溅射频率120W和工作气压1.5Pa. 展开更多
关键词 导电特性 镀膜工艺 VO2薄膜 射频磁控溅射方法 热处理温度 导电性能 X线衍 真空热处理 影响规律 工艺因素 设计研究 正交试验 试验结果 工作压强 溅射功率 晶体结构 优化工艺 工作气压 溅射 制备 衬底
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轻稀土掺杂对TbFeCo材料磁光性能的影响 被引量:1
5
作者 周世杰 张喜燕 +2 位作者 姜峰 齐琳琳 刘志农 《重庆工学院学报》 2004年第5期11-14,共4页
采用射频磁控溅射方法制备了TbFeCo非晶磁光薄膜 ,并在TbFeCo中分别引入轻稀土元素Nd、Pr和Ce ,测试了薄膜的磁光性能 ,得到磁光薄膜的克尔回线 ;并研究了薄膜成份对其磁光性能的影响 ,比较不同稀土元素的掺杂效果。结果表明 ,在TbFeCo... 采用射频磁控溅射方法制备了TbFeCo非晶磁光薄膜 ,并在TbFeCo中分别引入轻稀土元素Nd、Pr和Ce ,测试了薄膜的磁光性能 ,得到磁光薄膜的克尔回线 ;并研究了薄膜成份对其磁光性能的影响 ,比较不同稀土元素的掺杂效果。结果表明 ,在TbFeCo薄膜中掺入一定量的轻稀土元素 ,可改善薄膜的磁光性能 ,提高薄膜的本征克尔角、矫顽力和矩形度。其中 ,Nd掺杂的效果最好 ,掺杂后 ,薄膜的磁光克尔角可达 0 .4 7° ,矫顽力可达 3.4× 10 5A/m。 展开更多
关键词 磁光性能 磁光薄膜 掺杂 本征 射频磁控溅射方法 元素 矫顽力 制备 成份 研究
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