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硅碳氧薄膜光学性能研究 被引量:4
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作者 李晨 陈焘 +1 位作者 王多书 张平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期732-735,共4页
硅碳氧(SiCO)薄膜是一种三元玻璃状化合物材料,具有热稳定性好、能带宽、折射率大、硬度高等特性,是一种具有潜在应用价值的新颖光学薄膜材料。本文采用射频磁控溅射技术在Si(100)及K9玻璃上制备了硅碳氧薄膜。利用椭圆偏振仪、紫外... 硅碳氧(SiCO)薄膜是一种三元玻璃状化合物材料,具有热稳定性好、能带宽、折射率大、硬度高等特性,是一种具有潜在应用价值的新颖光学薄膜材料。本文采用射频磁控溅射技术在Si(100)及K9玻璃上制备了硅碳氧薄膜。利用椭圆偏振仪、紫外/可见/近红外光度计及X射线光电子能谱测试表征了薄膜的光学性能及薄膜组分。研究发现,通过改变基片温度、工作压强及溅射功率等工艺参数,所制备的硅碳氧薄膜均具有高折射率(大于1.80),相比之下,K9玻璃基硅碳氧薄膜的折射率有着更大的变化范围(1.84~2.20)。通过对K9玻璃基硅碳氧薄膜的光学透射性能研究表明,以硅碳氧陶瓷作为溅射靶材,采用射频磁控溅射技术在K9玻璃基上可以制备出,在可见光及近红外区域有着较好光学透射性能,平均透过率能到达83%的硅碳氧薄膜。 展开更多
关键词 硅碳氧 薄膜 射频磁控溅射技术 光学性能
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不同组分La-Ni-O薄膜的红外光谱特性研究 被引量:1
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作者 赵强 胡志高 +2 位作者 黄志明 王根水 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期95-98,共4页
采用射频磁控溅射和组合靶在 2 6 0℃的 ( 111)Si上制备了不同Ni、La含量比的La Ni O薄膜 .通过拟合 2~ 12 .5 μm波长范围的反射和透射光谱 ,得出了薄膜在此区间的折射率和消光系数 .薄膜的折射率随波长的增长均呈现单调增大的变化趋... 采用射频磁控溅射和组合靶在 2 6 0℃的 ( 111)Si上制备了不同Ni、La含量比的La Ni O薄膜 .通过拟合 2~ 12 .5 μm波长范围的反射和透射光谱 ,得出了薄膜在此区间的折射率和消光系数 .薄膜的折射率随波长的增长均呈现单调增大的变化趋势 ,并且随组分的变化 ,此趋势没有大的变化 .而消光系数的色散却对薄膜的组分具有很大的依赖性 .实验结果同时表明 ,在La含量较高时 ,薄膜为无定型结构 ,并且具有较大的电阻率 .当Ni、La含量比大于1∶1.4 4后 ,薄膜具有 ( 10 0 )择优取向的赝立方钙钛矿结构 ,同时具有金属导电性 .薄膜的晶面间距、电导率、折射率和消光系数随着Ni含量的增加具有相似的变化规律 .并在Ni∶La =1∶1时 ,晶面间距和电阻率达到最小值 ,对所有实验现象 ,文中从LaNiO3 薄膜的导电机理出发给出了理论分析 ,并取得了比较一致的结果 . 展开更多
关键词 镍酸镧薄膜 红外光谱 导电性 晶格常数 射频磁控溅射技术 消光系数
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N2流量对N掺杂MgZnO薄膜结构和性能的影响 被引量:1
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作者 高丽丽 李永峰 +2 位作者 徐莹 张淼 姚斌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期689-694,共6页
利用射频磁控溅射方法,使用Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体,在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜。研究了氮流量比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质和拉曼光谱的影响。结果显示:随着溅射... 利用射频磁控溅射方法,使用Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体,在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜。研究了氮流量比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质和拉曼光谱的影响。结果显示:随着溅射气氛中氮流量比的增加,薄膜中Mg含量增加,薄膜表面颗粒尺寸减小,结晶质量变差,电阻率逐渐增大,导电类型发生转变。在氮流量比为20%时,获得了最好的p型导电薄膜。另外,随着氮流量比的增加,拉曼光谱中与NO相关的位于272 cm-1、642 cm-1左右的振动峰逐渐增强,表明NO的浓度随着氮流量比的加大而有所增加。 展开更多
关键词 射频磁控溅射技术 N掺杂MgZnO薄膜 氮流量比 光电性能
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Ge-SiO_2与Si-SiO_2薄膜中颗粒形成的对比研究
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作者 成珏飞 吴雪梅 诸葛兰剑 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期245-248,共4页
以Ge SiO2 和Si SiO2 复合靶作为溅射靶 ,分别采用射频磁控溅射技术和双离子束溅射技术制得了Ge SiO2 和Si SiO2 薄膜。然后分别在N2 气氛中经过 6 0 0℃— 10 0 0℃的不同温度的退火。通过X射线衍射 (XRD) ,透射电子显微镜 (TEM) ,光... 以Ge SiO2 和Si SiO2 复合靶作为溅射靶 ,分别采用射频磁控溅射技术和双离子束溅射技术制得了Ge SiO2 和Si SiO2 薄膜。然后分别在N2 气氛中经过 6 0 0℃— 10 0 0℃的不同温度的退火。通过X射线衍射 (XRD) ,透射电子显微镜 (TEM) ,光电子能谱 (XPS)分析等测试手段 ,将两种薄膜进行了比较。在Ge SiO2 样品中 ,随退火温度的升高 ,会发生GeOx 的热分解或者与Si发生化学反应 ,引起部分氧原子逸出和Ge原子的扩散和聚集 ,从而形成纳米Ge的晶粒。在Si SiO2 薄膜样品中 ,由于Si的成核长大速率较低 ,因而颗粒长大的速率较慢 ,薄膜内不易形成Si颗粒。只有经 10 0 0℃高温退火后样品中才有少量单质Si颗粒形成。 展开更多
关键词 SIO2薄膜 射频磁控溅射技术 光电子能谱 氧原子 双离子束溅射 颗粒 溅射 速率 高温退火 退火温度
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单元素半导体量子点制备及其光致发光性能的研究进展
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作者 刘俊朋 杜希文 +1 位作者 孙景 鲁颖炜 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第F04期225-226,229,共3页
单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能。介绍了单元素半导体量子点的制备方法,包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等;并且介绍了单元素半导体量子点的发光机理模型,包括量子限制效应模... 单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能。介绍了单元素半导体量子点的制备方法,包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等;并且介绍了单元素半导体量子点的发光机理模型,包括量子限制效应模型、与氧有关的缺陷发光、量子限制效应-发光中心复合发光和界面层中的激子效应发光等;另外对单元素半导体量子点的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 半导体量子点 光致发光性能 元素 研究进展 射频磁控溅射技术 化学气相沉积法 离子注入技术 溶胶-凝胶法 量子限制效应 光电集成 制备方法 机理模型 效应模型 激子效应 复合发光 发光中心 发展前景 界面层
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柔性衬底Zn-Sn-O透明导电膜的特性
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作者 黄树来 姜永超 +2 位作者 盖凌云 孙玉林 徐进栋 《莱阳农学院学报》 2004年第3期245-248,共4页
采用射频磁控溅射技术首次在有机薄膜衬底上低温制备出具有低电阻率和良好附着性的Zn-Sn-O透明导电膜。研究了有机衬底和玻璃衬底Zn-Sn-O薄膜的结构、表面形貌和组分。制备薄膜为非晶结构,有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的最低电阻率和可见... 采用射频磁控溅射技术首次在有机薄膜衬底上低温制备出具有低电阻率和良好附着性的Zn-Sn-O透明导电膜。研究了有机衬底和玻璃衬底Zn-Sn-O薄膜的结构、表面形貌和组分。制备薄膜为非晶结构,有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的最低电阻率和可见光平均透过率分别为1.3×10-2Ω·cm和82%。薄膜中的氧偏离理想化学配比,存在着较多的氧空位,氧空位是薄膜中载流子的主要来源。 展开更多
关键词 有机衬底 锌-锡-氧透明导电膜 射频磁控溅射技术 结构 表面形貌 组分
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高质量新型多层复合储能薄膜研制成功
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《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期36-36,共1页
西安交通大学研究人员利用射频磁控溅射技术,制备出高质量的多层复合薄膜,并研究了其储能性能。
关键词 复合薄膜 多层复合 储能 质量 射频磁控溅射技术 西安交通大学 研究人员
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