掺氦对射频感应耦合等离子体制备碳化硼涂层的影响

1

作者 苏毅 吴曦 +2 位作者 胡娟 赵鹏 朱海龙 《表面技术》 北大核心 2025年第13期214-224,共11页

目的利用射频感应耦合等离子体喷涂(RF-ICPS)技术在第一壁材料钨(W)表面制备碳化硼(B_(4)C)涂层,研究等离子体工作气体中掺氦(He)对涂层质量的影响。方法采用实验表征与数值模拟相结合的方法,通过在工作气体中掺入不同体积分数的He,制备... 目的利用射频感应耦合等离子体喷涂(RF-ICPS)技术在第一壁材料钨(W)表面制备碳化硼(B_(4)C)涂层,研究等离子体工作气体中掺氦(He)对涂层质量的影响。方法采用实验表征与数值模拟相结合的方法,通过在工作气体中掺入不同体积分数的He,制备B_(4)C涂层,表征涂层表面形貌和组成变化。采用Ansys Fluent模拟软件,建立三维射频等离子体与B_(4)C颗粒之间的有限元模型,探究在等离子体中加入He,通过调控等离子体属性参数,进而影响涂层制备的内在机理。结果随着等离子体工作气体中He的体积分数的提升,可明显降低涂层的孔隙率,当He的体积分数升高到7.2%时,孔隙率降至1.1%,且涂层的主要组成未发生变化。模拟结果显示,当He的体积分数从0%升高到7.2%时,等离子体焓值提高了38%,同时颗粒加热熔融效果明显提升;当He的体积分数升高到7.2%时,B_(4)C颗粒温度达到2800 K以上的占65.5%。结论在等离子体工作气体中加入He,不仅具有提高等离子体热导率的作用,还可以提高等离子体的焓值,促进飞行B_(4)C颗粒在等离子体中的加热效果,从而提升涂层的致密度。 展开更多

关键词 射频感应耦合等离子体 碳化硼涂层 HE 数值模拟

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射频电感耦合闭式等离子体产生与光谱诊断的实验 被引量：4

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作者 林敏 徐浩军 +2 位作者 魏小龙 梁华 苏晨 《空军工程大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 2015年第2期10-14,共5页

设计了一种闭式等离子体发生装置,采用射频电感耦合方式,以氩气为工作气体,在封闭式腔体低气压环境下进行放电实验。利用发射光谱法,测量了密闭腔体侧面方向的Ar谱线数据,研究了等离子体电子激发温度和电子密度随空间位置的分布规律以... 设计了一种闭式等离子体发生装置,采用射频电感耦合方式,以氩气为工作气体,在封闭式腔体低气压环境下进行放电实验。利用发射光谱法,测量了密闭腔体侧面方向的Ar谱线数据,研究了等离子体电子激发温度和电子密度随空间位置的分布规律以及不同射频功率对电子激发温度和电子密度的影响。等离子体中电子激发温度的变化通过玻尔兹曼斜率法进行分析,电子密度的变化则通过分析Ar原子750.4nm谱线强度变化获得。实验结果表明,该发生装置能够产生均匀持续的等离子体层,等离子体中电子激发温度约为9 500K。等离子体电子密度和电子激发温度随着输入射频功率的增加而增大,但变化幅度在减弱;当足够的输入功率时,等离子体层参数随位置的变化幅度较小。 展开更多

关键词 射频电感耦合等离子体 等离子体隐身 发射光谱 电子激发温度 电子密度

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容性耦合射频(CCRF)放电等离子体特性实验研究 被引量：6

3

作者 黄建军 刘正之 +1 位作者 梁荣庆 D.Teuner 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期408-411,共4页

利用自行研制的传感器和测量装置 ,通过对射频放电电压电流以及其相位角的测定 ,算出放电管的总阻抗 ,结合放电管的等效电路 ,对容性耦合射频 (CCRF)激励激光器放电特性进行研究 ,得出容性耦合射频激励激光器等离子体的伏安特性的曲线 ... 利用自行研制的传感器和测量装置 ,通过对射频放电电压电流以及其相位角的测定 ,算出放电管的总阻抗 ,结合放电管的等效电路 ,对容性耦合射频 (CCRF)激励激光器放电特性进行研究 ,得出容性耦合射频激励激光器等离子体的伏安特性的曲线 ,以及等离子体电阻、容抗与气体压强、放电电流之间的实验曲线 ,在Godyak射频放电模型的基础上得出等离子体的电子密度 ,并同内置铜电极射频激励铜离子激光器阻抗特性进行了比较。 展开更多

关键词 容性耦合射频放电 等离子体 实验研究 等效电路模型 放电特性

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射频电感性耦合等离子体调谐基片自偏压特性 被引量：3

4

作者 丁振峰 霍伟刚 王友年 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期197-202,共6页

采用调节射频电感性耦合等离子体中基片电极与地之间的外部电路阻抗的方法,控制基片电极的射频自偏压。研究了调谐基片自偏压随外部调谐电容值的变化特征,得到了调谐基片射频自偏压随射频放电功率、气压的变化曲线。在一定放电参数区域... 采用调节射频电感性耦合等离子体中基片电极与地之间的外部电路阻抗的方法,控制基片电极的射频自偏压。研究了调谐基片自偏压随外部调谐电容值的变化特征,得到了调谐基片射频自偏压随射频放电功率、气压的变化曲线。在一定放电参数区域内,调谐基片射频自偏压随调谐电容的变化曲线呈现跳变、双稳、迟滞现象。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 电容性耦合 射频自偏压 非线性 鞘层

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脉冲射频/40kV高压直接耦合等离子体离子注入电源系统研制

5

作者 巩春志 田修波 +1 位作者 朱宗涛 杨士勤 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期357-361,共5页

研制的用于等离子体浸没离子注入（PIII）的电源系统采用高压隔离与高频滤波技术,将40 kV高压脉冲电源与13.56 MHz射频电源直接耦合,由单一输出电缆连接到实验靶台上,通过射频与高压脉冲的时序控制,实现了40 kV的高压脉冲与脉冲射频交... 研制的用于等离子体浸没离子注入（PIII）的电源系统采用高压隔离与高频滤波技术,将40 kV高压脉冲电源与13.56 MHz射频电源直接耦合,由单一输出电缆连接到实验靶台上,通过射频与高压脉冲的时序控制,实现了40 kV的高压脉冲与脉冲射频交替输出。工作过程中,通过射频产生等离子体,而后施加高压脉冲获得离子注入,进而实现PIII与沉积。该电源系统的性能指标为：高压脉冲电压幅值10-40 kV,脉冲频率10-1000 Hz,射频脉冲宽度0.01-10 ms,射频与高压间隔0.1-10 ms,高压脉冲功率6 kW,射频脉冲功率1 kW。实验研究表明能够有效的实现PIII。本文将介绍该种新电源的设计思想、电路以及在内凹零部件（如管筒内壁）等离子体离子注入等方面的应用。 展开更多

关键词 脉冲射频 高压脉冲 直接耦合 等离子体离子注入

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容性耦合射频放电等离子体的仿真模拟与实验诊断研究 被引量：20

6

作者 朱寒 何湘 +1 位作者 陈秉岩 陈建平 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第16期3504-3511,共8页

针对工业生产与军事应用上低气压、低温非热平衡等离子体的制备和实验诊断问题,采用COMSOL软件等离子体模块进行仿真模拟,建立容性耦合射频等离子体放电的一维流体模型,设定He气为工作气体,数值研究不同电压、不同气压条件下等离子体电... 针对工业生产与军事应用上低气压、低温非热平衡等离子体的制备和实验诊断问题,采用COMSOL软件等离子体模块进行仿真模拟,建立容性耦合射频等离子体放电的一维流体模型,设定He气为工作气体,数值研究不同电压、不同气压条件下等离子体电子数密度和电子温度的轴向分布。搭建等离子体产生及诊断实验平台,根据均匀射频放电的等效回路计算得到电子密度ne与电子温度Te,将所得数据与流体模型仿真模拟相比较,得到了一致的结果。研究表明:当气体压强为100~250Pa时,极板间电子密度沿轴向先增大后减小,平均电子密度随驱动电压与输入功率的增加而增加;电子温度在极板中心处取得最小值,极板边缘存在两个峰值,平均电子温度仅是气压与腔体尺寸的函数,随驱动电压和功率的变化不明显,仅随气压的增大而减小。随着输入功率的增加,电子密度由逐渐上升转变为迅速上升,且在不同气压下这种电子密度的跃变出现在不同的电压幅值处,这标志着容性耦合放电中的α-γ模式转变。所得结论扩大了模拟仿真与实验快速无干扰诊断的应用范围,为进一步研究低温等离子体放电性质提供了技术支持。 展开更多

关键词 容性耦合射频放电 等离子体 实验诊断 COMSOL仿真

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容性耦合射频氩等离子体放电诊断研究及仿真模拟 被引量：6

7

作者 庞佳鑫 何湘 +2 位作者 陈秉岩 刘冲 朱寒 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期8-15,共8页

针对中等气压、中等功率下射频容性耦合(CCRF)等离子体的放电特性,采用基于流体模型的COMSOL软件仿真,建立一维等离子体放电模型,以Ar为工作气体,研究同一气压时不同射频输入功率下等离子体电子温度和电子密度的分布规律。同时依据仿真... 针对中等气压、中等功率下射频容性耦合(CCRF)等离子体的放电特性,采用基于流体模型的COMSOL软件仿真,建立一维等离子体放电模型,以Ar为工作气体,研究同一气压时不同射频输入功率下等离子体电子温度和电子密度的分布规律。同时依据仿真模型设计制作相同尺寸的密闭玻璃腔体和平板电极,实验测量了不同射频输入功率时放电等离子体的有效电流电压及发射光谱,进而计算等离子体的电子温度及电子密度;利用玻耳兹曼双线测温法,得到光谱法下等离子体的电子温度及电子密度。结果表明:当气体压强为250Pa、输入功率为100～450W时,等离子体电压电流呈线性关系,电子密度随功率的增大而增大,而电子温度并未随功率的变化而有明显变化,其与功率无关。运用仿真模拟验证了实验的准确性,通过比较,三种方法所得的结果相近。通过结合等效回路法、光谱法和数值模拟仿真法初步诊断出中等气压下等离子体的放电参数,提出了结合三种方法作为实验研究的方法,使实验结果更具说服力,证明其方法的可靠性,也为进一步的等离子体特性研究提供依据。 展开更多

关键词 容性耦合射频放电 等离子体 COMSOL仿真模拟 光谱法诊断 等效电路法

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静电探针测量射频感应耦合等离子体密度 被引量：3

8

作者 曹小明 顾彪 +1 位作者 徐茵 张砚臣 《实用测试技术》 CAS 1999年第4期35-37,共3页

本文介绍了一种可以测量射频感应耦合等离子体密度的静电探针方法。并给出了它的测量原理，实验方法和实验结果。实验结果表明：所测等离子体密度反映了等离子体的特性，并且诊断手段简单、易行，为等离子体诊断提供了一种很好的实验手段。

关键词 等离子体诊断 静电探针 等离子体密度 射频感应耦合

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不同高盐基体对电感耦合等离子体质谱法射频源的匹配特性 被引量：3

9

作者 程君琪 李青 汪正 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2019年第10期1228-1230,共3页

电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)具有灵敏度高、精密度好、检出限低、同时测定多种元素等优点,已被广泛用于不同类型样品中痕量元素的分析。在ICP-MS分析中,要求样品的含盐量低于0.3%,这是因为样品中大量的盐会在ICP-MS的炬管、采样锥... 电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)具有灵敏度高、精密度好、检出限低、同时测定多种元素等优点,已被广泛用于不同类型样品中痕量元素的分析。在ICP-MS分析中,要求样品的含盐量低于0.3%,这是因为样品中大量的盐会在ICP-MS的炬管、采样锥、截取锥或离子透镜上沉积、堵塞进而影响仪器的灵敏度,同时,也会造成基体干扰。另一方面,高盐溶液的引入会影响分析信号的稳定性。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体质谱法 混合标准溶液 基质溶液 射频源

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不同有机溶剂介质对电感耦合等离子体质谱法射频源的匹配特性 被引量：2

10

作者 程君琪 李青 汪正 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2019年第9期1066-1069,共4页

以27.12MHz的自激式全固态射频源为研究对象,选取不同含量的乙醇、二甲苯和煤油为有机介质,用配备该射频源的电感耦合等离子体质谱仪考察有机介质中Al、Ba、Ce、Cu、La、Pb、Tm、Y、Zn等金属元素的信号强度、短期稳定性等参数,研究有机... 以27.12MHz的自激式全固态射频源为研究对象,选取不同含量的乙醇、二甲苯和煤油为有机介质,用配备该射频源的电感耦合等离子体质谱仪考察有机介质中Al、Ba、Ce、Cu、La、Pb、Tm、Y、Zn等金属元素的信号强度、短期稳定性等参数,研究有机介质下射频源的匹配特性。结果表明,方法能够实现乙醇、50%(体积分数)二甲苯溶液和20%(体积分数)煤油溶液作溶剂时的直接进样,表明该射频源在上述有机介质中匹配良好,可使等离子体稳定不淬灭。 展开更多

关键词 有机介质 电感耦合等离子体质谱法 射频源

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感应耦合等离子体刻蚀InSb时偏压射频源功率的选取 被引量：2

11

作者 王理文 司俊杰 张国栋 《航空兵器》 2012年第4期62-64,共3页

以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻... 以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻蚀InSb时的一个优选的偏压射频源功率值。结果表明:当偏压射频源功率为150 W,ICP功率为800 W,反应室压力为1.0 Pa,CH4/H2/Ar的体积流量比为3/10/1时,InSb的刻蚀速率可达90 nm/min,刻蚀表面的平均粗糙度(Ra)约为6.1 nm,InSb与SiO2的刻蚀选择比约为6。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 反应离子刻蚀 刻蚀速率 刻蚀选择比 偏压射频源功率

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工作气压对氩射频电感耦合等离子体模式转换的影响

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作者 熊文文 陈俊芳 +1 位作者 王燕 王勇 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2019年第1期16-21,共6页

采用朗格缪尔探针诊断装置测量电子能量和等离子体密度,利用发射光谱诊断装置测量发光强度,以判断实验腔室内的放电模式.结果表明:等离子体放电可以在E模式和H模式间相互转换,并且等离子体密度和发光强度随着射频功率的变化而出现反向... 采用朗格缪尔探针诊断装置测量电子能量和等离子体密度,利用发射光谱诊断装置测量发光强度,以判断实验腔室内的放电模式.结果表明:等离子体放电可以在E模式和H模式间相互转换,并且等离子体密度和发光强度随着射频功率的变化而出现反向滞后现象.当工作气压在0.36～0.42 Pa区间时,滞后现象不再发生.此外,随着工作气压的增大,E-H模转换的跳跃功率先减小而后增大,在工作气压为0.39 Pa时跳跃功率最低.射频功率越大,气体保持H模式放电所需气压的范围越大.研究结果可为实际工业生产中的气压控制提供参考依据. 展开更多

关键词 射频感应耦合等离子体 工作气压 ICP放电 发射光谱 LANGMUIR探针 E-H模式转换

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工作频率及装置结构对射频感应等离子体特性影响的数值研究 被引量：7

13

作者 陈文波 陈伦江 +3 位作者 刘川东 程昌明 童洪辉 朱海龙 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期316-323,共8页

为研究射频感应等离子体(RFICP)受等离子体发生器装置结构及工作频率的影响效应,以期可以为装置的正常工作提供参考,首先建立了射频感应热等离子体的湍流模型,然后利用商业软件ANSYS FLUENT对等离子体发生器装置内的纯氩气热等离子体温... 为研究射频感应等离子体(RFICP)受等离子体发生器装置结构及工作频率的影响效应,以期可以为装置的正常工作提供参考,首先建立了射频感应热等离子体的湍流模型,然后利用商业软件ANSYS FLUENT对等离子体发生器装置内的纯氩气热等离子体温度及流场分布进行了计算,并研究了工作频率及装置结构的变化对射频感应等离子体传热及流动特性的影响。研究结果表明:提高装置的工作频率、增大等离子体炬内半径、增加射频线圈匝数并减小两匝线圈间距均能使发生器装置内的等离子体轴向速度减小,等离子体温度显著增加,并对等离子体炬内的流场分布产生较大的影响。因此可以通过改变相应的装置结构及工作频率来控制等离子体发生器装置内的温度和流场分布,以便使装置能够稳定运行。 展开更多

关键词 射频感应耦合 湍流等离子体 温度 流场 数值模拟

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基于射频放电一维模型的等离子体诊断 被引量：5

14

作者 张百灵 樊昊 +3 位作者 李益文 阳鹏宇 高岭 王宇天 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3994-3999,共6页

为深入研究磁流体效应机理,采用阻抗测量的方法,通过对放电波形的处理,得到放电电压幅值、电流幅值及相位角,依据射频放电一维模型建立等效放电电路,对等离子体参数进行诊断。研究表明,采用半峰值法能够精确读取电压电流幅值及相位角;... 为深入研究磁流体效应机理,采用阻抗测量的方法,通过对放电波形的处理,得到放电电压幅值、电流幅值及相位角,依据射频放电一维模型建立等效放电电路,对等离子体参数进行诊断。研究表明,采用半峰值法能够精确读取电压电流幅值及相位角;同轴电缆的容性作用对射频放电电路结构有很大影响;在压力P=1 500 Pa,放电频率f=6.2 MHz的静止条件下,电容耦合射频放电等离子体的电导率约为4×10-3 S/m,电子数密度在1016 m-3量级,电导率随着负载功率增大而增大,随磁感应强度变化呈"V"形变化,在磁感应强度较小时,电导率随磁感应强度增加减小,磁感应强度较大时,随磁感应强度增大而增大;电子数密度随着负载功率和磁感应强度增加而增大。 展开更多

关键词 等离子体诊断 一维模型 电容耦合射频放电 电导率 电子数密度 磁流体

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阻挡材料对射频容性耦合等离子体放电参量的影响

15

作者 王学禹 吴勤斌 +3 位作者 罗日成 肖宏峰 田迪凯 张宇飞 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期613-618,共6页

为进一步探索射频容性耦合等离子体放电影响因素,本文运用数值仿真技术,构建了容性耦合等离子体的一维发射装置,施加射频源,仿真气体设定为氦气,极板间距恒定75 mm,研究了插入阻挡材料厚度、介电常数对极板间周期平均电子密度、周期平... 为进一步探索射频容性耦合等离子体放电影响因素,本文运用数值仿真技术,构建了容性耦合等离子体的一维发射装置,施加射频源,仿真气体设定为氦气,极板间距恒定75 mm,研究了插入阻挡材料厚度、介电常数对极板间周期平均电子密度、周期平均电子温度及周期平均电势的影响。仿真结果显示:插入阻挡材料的介电常数越大,气体间隙中间的周期平均电子密度最大值越大,高电子密度区域的周期平均电势最大值越小,阻挡材料附近的周期平均电子温度极大值越加,但气体中间极小值基本不变;周期平均电子密度最大值随阻挡材料厚度的增加先增后减,阻挡材料厚度具有最优值,且随着介电常数增大,最优值增加;周期平均电势最大值及阻挡材料与气体边界处的周期平均电势值虽都与阻挡材料厚度呈正比,但两者差值随阻挡材料厚度增加近似不变。所得结论对改进传统的射频容性耦合等离子体获取具有重要意义。 展开更多

关键词 射频源 容性耦合等离子体 阻挡材料 介电常数

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电感耦合等离子体原子发射光谱法同时测定球墨铸铁用稀土镁球化剂中硅、镁、钙、锰、铝、钛及稀土总量 被引量：5

16

作者 潘春秀 王伟 +1 位作者 李德军 王莹 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期227-230,共4页

稀土镁球化剂是以硅铁为原料,通过添加钙、镁和稀土将其含量调整至最佳范围熔融生产而成的合金,广泛应用于球墨铸铁的生产。稀土镁球化剂中硅、镁、钙、锰、铝、钛及稀土含量测定对稳定球墨铸铁的生产,保证球墨铸铁的质量至关重要。目前... 稀土镁球化剂是以硅铁为原料,通过添加钙、镁和稀土将其含量调整至最佳范围熔融生产而成的合金,广泛应用于球墨铸铁的生产。稀土镁球化剂中硅、镁、钙、锰、铝、钛及稀土含量测定对稳定球墨铸铁的生产,保证球墨铸铁的质量至关重要。目前,稀土镁球化剂中各元素含量的测定参考《球墨铸铁用球化剂》中的方法. 展开更多

关键词 电感耦合等离子体原子发射光谱 精密度 稀土镁球化剂 球墨铸铁 射频发生器 辅助气流量 盐酸溶液 稀土元素 同时测定 稀土总量

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电容耦合的抑制对感应耦合放电等离子体的影响

17

作者 辛煜 宁兆元 +1 位作者 狄小莲 虞一青 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期439-443,共5页

感应耦合等离子体(ICP)是微电子工业刻蚀高精度沟槽结构的首选高密度等离子体源。研究ICP的电特性与等离子体电学参量的变化显得非常重要。本文中,在平板型ICP源的感应线圈和介质窗口之间,使用了对称、均匀、呈辐射状的法拉第屏蔽板。... 感应耦合等离子体(ICP)是微电子工业刻蚀高精度沟槽结构的首选高密度等离子体源。研究ICP的电特性与等离子体电学参量的变化显得非常重要。本文中,在平板型ICP源的感应线圈和介质窗口之间,使用了对称、均匀、呈辐射状的法拉第屏蔽板。结果表明,屏蔽板的使用不仅极大地降低了干扰等离子体参量测量的等离子体射频电位,而且也降低了线圈中的放电电流和等离子体中的轴向微分磁场信号强度,但Ar等离子体的发射光谱表明,法拉第屏蔽的采用对等离子体功率吸收的影响不大。对测量信号中出现的高次谐波行为也做了定性的讨论。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 等离子体射频电位 法拉第屏蔽 电容耦合

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容性耦合等离子体腔室放电特性仿真研究 被引量：11

18

作者 杨旺 刘学平 +2 位作者 夏焕雄 向东 牟鹏 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期639-645,共7页

容性耦合等离子体射频放电广泛应用于IC制造中的薄膜沉积、刻蚀工艺中,等离子体中的电子密度和平均电子温度直接影响离化及激发反应速率,其在放电腔室中径向分布的均匀性严重影响刻蚀和薄膜沉积的均匀性。以某12寸腔体为研究对象,采用Co... 容性耦合等离子体射频放电广泛应用于IC制造中的薄膜沉积、刻蚀工艺中,等离子体中的电子密度和平均电子温度直接影响离化及激发反应速率,其在放电腔室中径向分布的均匀性严重影响刻蚀和薄膜沉积的均匀性。以某12寸腔体为研究对象,采用Comsol软件仿真研究了功率电极电压、腔室气压和极板间距对等离子体的电子密度和平均电子温度的影响规律。仿真研究发现:在研究的气压、电压、极板间距范围内,电子密度和平均电子温度随电压的增加而增加,其均匀性随电压的增加而变差;电子密度随气压的增加而增加,平均电子温度随气压的增加而降低,电子密度的均匀性随气压的增加而改善,电子温度的均匀性随气压的增加先变差再变好;电子密度随极板间距的增加而增加,平均电子温度随极板的增加而降低,电子密度和平均电子温度的均匀性随极板间距的增加而变好。研究结果对指导等离子体参与的IC工艺腔室结构设计及工艺控制具有重要意义。 展开更多

关键词 容性耦合等离子体 放电参数 氩气放电 射频放电特性

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基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜

19

作者 黄梦茹 卢林红 +2 位作者 郭丰杰 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期893-898,共6页

在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化... 在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化刻蚀工艺参数。实验结果表明,调节射频偏压功率和Ar体积流量可以显著影响刻蚀速率,进而对薄膜的微结构进行有效调控。通过优化工艺参数,在射频偏压功率300 W、Ar体积流量40 cm^(3)/min、腔体压强1.2 Pa、刻蚀时间50 min下,芯片Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀深度达到283.25μm,有效提升了刻蚀效率和刻蚀精度。 展开更多

关键词 Ti/Ni/Ag薄膜 电感耦合等离子体(ICP) 刻蚀深度 AR 射频偏压功率

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放电参数变化对电感耦合等离子闭式等离子体空间分布特性研究 被引量：4

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作者 林茂 徐浩军 +2 位作者 魏小龙 韩欣珉 武颂尧 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第5期1294-1304,共11页

射频电感耦合等离子体(ICP)在实际放电过程中,线圈的构型、电源参数、气压等外部工质条件的变化均会对结果产生较大影响,依靠实验很难得到多外部条件对ICP参数分布的影响机理和规律,因此需要结合仿真和实验的方法进行分析。该文通过建... 射频电感耦合等离子体(ICP)在实际放电过程中,线圈的构型、电源参数、气压等外部工质条件的变化均会对结果产生较大影响,依靠实验很难得到多外部条件对ICP参数分布的影响机理和规律,因此需要结合仿真和实验的方法进行分析。该文通过建立感性线圈的电磁学有限元模型,分析不同线圈构型下射频电磁场在等离子体内部的空间分布,研究放电参数(线圈构型、功率大小)对等离子体分布影响和E-H模型下放电形态的跳变过程,并观察进入稳定H模式后电源参数的变化规律,为等离子体源的小型化工程应用提供理论基础。实验和仿真计算结果表明:不同线圈匝数在不同功率条件下,电磁场强度变化对等离子功率吸收和功率耦合有较大影响;当工作气压在0~20Pa时,ICP的电子密度呈轴对称分布,随着放电功率、气压的增大,等离子体吸收的功率和电离度也随之增加,其电子密度相应地增大,放电功率的增加会使得环状的等离子体区域随之扩大,在轴向、径向上的分布呈先逐渐增大而后在靠近腔室壁面区域迅速下降。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体 射频功率 放电线圈 参数空间分布

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