-
题名体声波滤波器的片上测试与性能表征
被引量：4
- 1
-
-
作者
高杨
蔡洵
贺学锋
刘海涛
-
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
西南科技大学信息工程学院
重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室
中国工程物理研究院太赫兹科学技术研究中心
-
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2015年第5期729-733,共5页
-
基金
中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室基金(2014ZA001)
西南科技大学特殊环境机器人技术四川省重点实验室开放基金(14zxtk01)
+5 种基金
重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室访问学者基金(2013MS04)
中国工程物理研究院电子工程研究所创新基金(S20141203)
西南科技大学研究生创新基金(14YCX107
14YCX109
14YCX111)
国家自然科学基金资助项目(61574131)
-
文摘
为了表征制备的L波段体声波(BAW)滤波器的性能,采用射频探针台和矢量网络分析仪片上测试获得了BAW滤波器的S参数;在ADS软件环境下计算了BAW滤波器的各项性能参数。比较实测与仿真得到的S参数曲线,发现:低阻硅衬底会使BAW滤波器的带内插损显著增加;BAW滤波器中各薄膜体声波谐振器(FBAR)单元的薄膜沉积厚度误差会使BAW滤波器的带内波动偏大,且FBAR薄膜厚度较设计值增大时BAW滤波器的中心频率会向下偏移。以制备的一只BAW滤波器为例,测得其中心频率为1 495MHz,带宽为17MHz,带内插损为-46.413dB,带内波动为2.816dB,带外抑制为-72.525dB/-79.356dB,电压驻波比为1.940。该文给出的BAW滤波器片上测试与性能表征方法具有通用性。
-
关键词
体声波
滤波器
射频探针台
矢量网络分析仪
低阻硅
-
Keywords
bulk acoustic wave
filter
RF probe station
vector network analyzer
low resistivity silicon
-
分类号
TN713
[电子电信—电路与系统]
TN751.2
[电子电信—电路与系统]
-
