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题名InGaP/GaAs HBT器件的制备及其特性
被引量：3
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作者
周国
何先良
谭永亮
杜光伟
孙希国
崔玉兴
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第4期279-282,320,共5页
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文摘
采用在发射区台面腐蚀时保留InGaP钝化层和去除InGaP钝化层的方法制备了两种InGaP/Ga As异质结双极晶体管(HBT)器件,研究了InGaP钝化层对HBT器件基区表面电流复合以及器件直流和射频微波特性的影响。对制备的两种器件进行了对比测试后得到:保留InGaP钝化层的HBT器件最大直流增益(β)为130,最高振荡频率(fmax)大于53 GHz,功率附加效率达到61%,线性功率增益为23 dB;而去除InGaP钝化层的器件最大β为50,f_(max)大于43 GHz,功率附加效率为57%,线性功率增益为18 dB。测试结果表明,InGaP钝化层作为一种耗尽型的钝化层能有效抑制基区表面电流的复合,提高器件直流增益,改善器件的射频微波特性。
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关键词
InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)
InGaP钝化
直流增益
射频微波特性
表面复合
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Keywords
InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor （HBT）
InGaP passivation
DC gain
RF microwave characteristic
surface recombination
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分类号
TN304.26
[电子电信—物理电子学]
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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