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射频微机械CPW开关的研究
被引量：
2
1
作者
张正元
温志渝
+2 位作者
徐世六
张正番
黄尚廉
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期671-673,共3页
本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术 ,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关 .初步测试结果如下 :开态电容为 0 2 1pF ,关态电容为 6 1pF ,致动电压为 2 2V ,关态下的隔离度为35dB ,开态下插入损耗为 ...
本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术 ,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关 .初步测试结果如下 :开态电容为 0 2 1pF ,关态电容为 6 1pF ,致动电压为 2 2V ,关态下的隔离度为35dB ,开态下插入损耗为 3dB .该工艺完全与硅基IC工艺兼容 ,这为射频微机械CPW开关与IC实现单片集成化 。
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关键词
射频微机械开关
CPw
开关
金属膜
绝缘层
牺牲层
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职称材料
RF MEMS开关在牺牲层工艺上的改进
被引量：
1
2
作者
蔡描
郭兴龙
+2 位作者
刘蕾
陈瑾瑾
赖宗声
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2006年第7期40-42,共3页
通过对传统的RF MEMS开关采取在信号线上电镀桥墩、改进桥梁的形状以及在桥背面设计接触点的新颖方法，使得RF MEMS开关的下拉电压减小、开关时间缩短和可靠性提高。在工艺上，特别采用了对聚酰亚胺牺牲层进行全刻蚀和半刻蚀的改进加工...
通过对传统的RF MEMS开关采取在信号线上电镀桥墩、改进桥梁的形状以及在桥背面设计接触点的新颖方法，使得RF MEMS开关的下拉电压减小、开关时间缩短和可靠性提高。在工艺上，特别采用了对聚酰亚胺牺牲层进行全刻蚀和半刻蚀的改进加工流程来实现桥背面的接触点。测试结果表明：开关的下拉电压为28V，最低开关时间为0．8μs，开关寿命达7×10^5次，0～10GHz的插入损耗在0～0．5dB，隔离度为35～45dB。
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关键词
射频微机械开关
聚酰亚胺
全刻蚀
半刻蚀
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职称材料
一种X波段三叉H型低电压RF MEMS开关设计
3
作者
南敬昌
高飞
+3 位作者
李德润
翟雷应
李朝启
刘世泽
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第9期812-818,共7页
针对射频电路系统所需要的低电压,高隔离度,低插入损耗的应用需求,通过对开关正对面积对驱动电压产生的影响进行探究,设计了一款应用于X波段三叉H型的RF MEMS开关。开关具有六条悬臂梁作为支撑,通过增大上极板面积来降低开关的开启电压...
针对射频电路系统所需要的低电压,高隔离度,低插入损耗的应用需求,通过对开关正对面积对驱动电压产生的影响进行探究,设计了一款应用于X波段三叉H型的RF MEMS开关。开关具有六条悬臂梁作为支撑,通过增大上极板面积来降低开关的开启电压。分别使用HFSS和COMSOL对开关的射频性能和机械性能进行仿真,开关最终优化后,在8-12 GHz内,插入损耗为0.26~0.57 dB,隔离度大于31.30 dB。在10.1 GHz达到最优值,插入损耗为0.40 dB,隔离度为50.25 dB。开关电压在11V时就能够实现状态转换,开关的响应时间为18μs。此开关可与射频可重构器件结合,应用于新一代射频微波领域。
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关键词
射频微机械开关
ANSOFT
HFSS
COMSOL
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职称材料
题名
射频微机械CPW开关的研究
被引量：
2
1
作者
张正元
温志渝
徐世六
张正番
黄尚廉
机构
重庆大学光电工程学院
国家模拟集成电路重点实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期671-673,共3页
基金
重庆市科技攻关项目 (No 2 0 0 1 70 36)
文摘
本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术 ,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关 .初步测试结果如下 :开态电容为 0 2 1pF ,关态电容为 6 1pF ,致动电压为 2 2V ,关态下的隔离度为35dB ,开态下插入损耗为 3dB .该工艺完全与硅基IC工艺兼容 ,这为射频微机械CPW开关与IC实现单片集成化 。
关键词
射频微机械开关
CPw
开关
金属膜
绝缘层
牺牲层
Keywords
Calculations
Integrated circuit layout
Integrated circuit testing
Micromachining
Monolithic integrated circuits
Polysilicon
分类号
TN820.83 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
RF MEMS开关在牺牲层工艺上的改进
被引量：
1
2
作者
蔡描
郭兴龙
刘蕾
陈瑾瑾
赖宗声
机构
华东师范大学微电子电路与系统研究所
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2006年第7期40-42,共3页
基金
上海市科委AM基金资助项目(AM0301)
文摘
通过对传统的RF MEMS开关采取在信号线上电镀桥墩、改进桥梁的形状以及在桥背面设计接触点的新颖方法，使得RF MEMS开关的下拉电压减小、开关时间缩短和可靠性提高。在工艺上，特别采用了对聚酰亚胺牺牲层进行全刻蚀和半刻蚀的改进加工流程来实现桥背面的接触点。测试结果表明：开关的下拉电压为28V，最低开关时间为0．8μs，开关寿命达7×10^5次，0～10GHz的插入损耗在0～0．5dB，隔离度为35～45dB。
关键词
射频微机械开关
聚酰亚胺
全刻蚀
半刻蚀
Keywords
RF MEMS switch
polyimide
full etching
partial etching
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种X波段三叉H型低电压RF MEMS开关设计
3
作者
南敬昌
高飞
李德润
翟雷应
李朝启
刘世泽
机构
辽宁工程技术大学电子与信息工程学院
出处
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第9期812-818,共7页
基金
国家自然科学基金项目(61971210)。
文摘
针对射频电路系统所需要的低电压,高隔离度,低插入损耗的应用需求,通过对开关正对面积对驱动电压产生的影响进行探究,设计了一款应用于X波段三叉H型的RF MEMS开关。开关具有六条悬臂梁作为支撑,通过增大上极板面积来降低开关的开启电压。分别使用HFSS和COMSOL对开关的射频性能和机械性能进行仿真,开关最终优化后,在8-12 GHz内,插入损耗为0.26~0.57 dB,隔离度大于31.30 dB。在10.1 GHz达到最优值,插入损耗为0.40 dB,隔离度为50.25 dB。开关电压在11V时就能够实现状态转换,开关的响应时间为18μs。此开关可与射频可重构器件结合,应用于新一代射频微波领域。
关键词
射频微机械开关
ANSOFT
HFSS
COMSOL
Keywords
Radio-frequency micro-electro-mechanical system(RF MEMS)switch
Ansoft HFSS
COMSOL
分类号
TN703 [电子电信—电路与系统]
TN631 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
射频微机械CPW开关的研究
张正元
温志渝
徐世六
张正番
黄尚廉
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
RF MEMS开关在牺牲层工艺上的改进
蔡描
郭兴龙
刘蕾
陈瑾瑾
赖宗声
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2006
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
一种X波段三叉H型低电压RF MEMS开关设计
南敬昌
高飞
李德润
翟雷应
李朝启
刘世泽
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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职称材料
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