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题名大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制
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作者
刘洪军
王琪
赵杨杨
王佃利
杨勇
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机构
南京电子器件研究所
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出处
《现代雷达》
CSCD
北大核心
2024年第5期70-74,共5页
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文摘
介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并研制出了百瓦级以上大功率射频Si-VDMOS功率晶体管系列产品。产品主要性能如下:在工作电压28 V及连续波下,采用8胞合成时,225 MHz输出功率达200 W以上,500 MHz输出功率达150 W以上;进一步增加子胞数量,采用12胞合成时,225 MHz输出功率达300 W以上,同时具备良好的增益及效率特性,与国外大功率射频Si-VDMOS功率晶体管的产品参数相比,达到了同类产品水平。
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关键词
大功率
硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管
射频功率晶体管
反馈电容
源极电感
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Keywords
high power
Si vertical diffusion metal-oxide-semiconductor(Si-VDMOS)
RF power transistor
feedback capacitance
source inductance
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分类号
TN385
[电子电信—物理电子学]
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制
被引量：1
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作者
李飞
刘英坤
邓建国
胡顺欣
孙艳玲
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机构
河北半导体研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期199-202,共4页
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文摘
在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的栅漏电容Cgd。研制出的屏蔽栅结构VDMOSFET器件的总栅宽为6 cm、漏源击穿电压为57 V、漏极电流为4.3 A、阈值电压为3.0 V、跨导为1.2 S,与结构尺寸相同、直流参数相近的台栅结构VDMOSFET器件相比,屏蔽栅结构VDMOSFET器件的栅漏电容降低了72%以上,器件在175 MHz、12 V的工作条件下,连续波输出功率为8.4 W、漏极效率为70%、功率增益为10 dB。
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关键词
射频垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管
栅漏电容
栅屏蔽层
台栅结构
屏蔽栅结构
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Keywords
RF vertical double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor（VDMOSFET）
gate-drain capacitance
gate shield layer
terraced gate structure
gate shield structure
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型
被引量：1
- 3
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作者
任学峰
杨银堂
贾护军
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机构
西安电子科技大学微电子学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期129-132,共4页
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基金
国家部委预研资助项目(51308030201)
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文摘
提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系。在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果符合高场下漏极的MC(蒙特卡罗)计算的结果。与以前的研究模型相比较,结果说明了该研究的有效性,饱和电流的结果与实测的I-V特性更加吻合。
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关键词
4H-碳化硅
射频功率金属半导体场效应晶体管
Ⅰ-Ⅴ特性
解析模型
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Keywords
4H-SiC
RF power MESFET
Ⅰ-Ⅴ characteristics
analytical model
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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