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1
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大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制 |
刘洪军
王琪
赵杨杨
王佃利
杨勇
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《现代雷达》
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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2
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微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究：Ⅱ．射频烧毁 |
袁泽亮
范垂祯
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《真空与低温》
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1994 |
0 |
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3
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意法半导体（ST）推出新的防潮射频功率晶体管 |
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《中国集成电路》
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2014 |
0 |
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4
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飞思卡尔WiMAX基站射频功率晶体管 |
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《电子产品世界》
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2006 |
0 |
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5
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飞思卡尔推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管 |
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《电子与电脑》
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2007 |
0 |
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6
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飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管 |
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《世界电子元器件》
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2014 |
0 |
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7
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新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望 |
刁华彬
杨凯
赵超
罗军
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《微纳电子技术》
北大核心
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2019 |
3
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8
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超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展 |
赵正平
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2021 |
10
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9
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超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续) |
赵正平
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2021 |
1
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10
|
大功率半导体技术现状及其进展 |
刘国友
王彦刚
李想
Arthur SU
李孔竞
杨松霖
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《机车电传动》
北大核心
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2021 |
14
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11
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英飞凌和博世签订功率半导体合作协议 |
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《现代电子技术》
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2009 |
0 |
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12
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安森美半导体推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列,以达到业界更高能效的需求 |
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《电子设计工程》
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2014 |
0 |
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13
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硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势 |
王佃利
刘洪军
吕勇
严德圣
盛国兴
王因生
蒋幼泉
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
8
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14
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英飞凌和博世签订功率半导体合作协议 |
|
《电子与电脑》
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2009 |
0 |
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15
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新型的功率器件——射频LDMOS |
黄江
王卫华
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《微波学报》
CSCD
北大核心
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2006 |
13
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16
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基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试 |
睢林
曹咏弘
王耀利
张凯旗
张翀
程亚昊
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《半导体技术》
北大核心
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2024 |
0 |
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17
|
屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制 |
李飞
刘英坤
邓建国
胡顺欣
孙艳玲
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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18
|
脉冲射频功率晶体管的失效机理 |
R.J.Soukup
张汉三
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《微纳电子技术》
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1978 |
0 |
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19
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高功率宽调谐声光调制器驱动源的研究 |
王锦荣
吴双娥
米成栋
朱梦琦
程子源
高旭珍
史旭蓉
杜胜利
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《量子电子学报》
北大核心
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2025 |
0 |
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20
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Sirenza优质LDMOS功率晶体管介绍 |
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《电视技术》
北大核心
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2007 |
0 |
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