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中国散裂中子源直线射频功率源系统的研制 被引量:9
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作者 李健 徐新安 +10 位作者 慕振成 周文中 刘美飞 姚远 荣林艳 王博 谢哲新 万马良 付云丰 张宗花 乔际民 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期161-167,共7页
中国散裂中子源加速器质子束流加速能量为1.6GeV,重复频率为25 Hz,撞击固体金属靶产生散射中子,一期工程的打靶束流功率为100kW。直线加速器的设计束流流强为15 mA,输出能量为81MeV。射频加速和聚束系统包括一台射频四极场加速器、中能... 中国散裂中子源加速器质子束流加速能量为1.6GeV,重复频率为25 Hz,撞击固体金属靶产生散射中子,一期工程的打靶束流功率为100kW。直线加速器的设计束流流强为15 mA,输出能量为81MeV。射频加速和聚束系统包括一台射频四极场加速器、中能束流传输线的两个聚束器、四节漂移管直线加速器加速腔和直线-环束流传输线的一个散束器,与之相对应,共有8个单元在线运行的射频功率源为其提供所需的射频功率。目前,直线射频功率源系统预研项目已全部完成,各项性能参数均已达到设计指标,当前正处在批产安装调试阶段。 展开更多
关键词 射频功率源 数字化低电平控制 四极管 串联谐振 高压电
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中国散裂中子源负氢离子源射频功率源的研制 被引量:1
2
作者 王一农 徐晓荣 戴大富 《舰船电子工程》 2019年第2期72-76,共5页
散裂中子源是加速器驱动的,利用高能质子束产生强流中子束的大型科学实验装置。它在核物理研究、生产同位素和处理核燃料等方面有广泛应用。高功率射频功率源是驱动散裂中子源的负氢离子源的核心电子设备。论文介绍了中国散裂中子源负... 散裂中子源是加速器驱动的,利用高能质子束产生强流中子束的大型科学实验装置。它在核物理研究、生产同位素和处理核燃料等方面有广泛应用。高功率射频功率源是驱动散裂中子源的负氢离子源的核心电子设备。论文介绍了中国散裂中子源负氢离子源2MHz,80kW射频功率源的研制和实验情况。 展开更多
关键词 散裂中子 负氢离子 射频功率源
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强流质子回旋加速器射频功率源级间功率稳定性研究
3
作者 雷钰 纪彬 +3 位作者 李鹏展 杨林 安世忠 尹蒙 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期741-744,共4页
本文对强流质子回旋加速器射频功率源固态放大组合与电子管末级间的功率稳定性进行了研究和分析,针对实验中表现出来的不稳定现象进行了计算和仿真。结果表明,灯丝在室温和运行状态下所导致的级间电压驻波比系数(VSWR)分别为1.06和6.89... 本文对强流质子回旋加速器射频功率源固态放大组合与电子管末级间的功率稳定性进行了研究和分析,针对实验中表现出来的不稳定现象进行了计算和仿真。结果表明,灯丝在室温和运行状态下所导致的级间电压驻波比系数(VSWR)分别为1.06和6.89;末级输入调节电容随平行板电容间距变化过于剧烈。通过阻抗匹配仿真、三维电磁场仿真及实验研究解决了由灯丝阻抗变化导致的末级输入端VSWR过大问题,并将输入调节电容的敏感度由每0.5mm改变10pF降至每5mm改变1pF。 展开更多
关键词 回旋加速器 射频功率源 级间匹配 功率稳定性
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数字化双模高效率射频功率源
4
作者 李亚东 赵二刚 +2 位作者 俞梅 卫娜 张建军 《电子技术应用》 2019年第6期15-18,22,共5页
射频功率源作为射频电源系统的核心组件之一,其频率固定、转换效率低下,已经成为了制约射频电源系统发展的瓶颈。针对这一问题,提出了射频功率源在双频率工作模式之间自由切换的设计方案。采用直接数字式频率合成器(Direct Digital Synt... 射频功率源作为射频电源系统的核心组件之一,其频率固定、转换效率低下,已经成为了制约射频电源系统发展的瓶颈。针对这一问题,提出了射频功率源在双频率工作模式之间自由切换的设计方案。采用直接数字式频率合成器(Direct Digital Synthesizer,DDS)作为射频信号源,选用德国IXYS公司的MOSFTE完成小信号的放大,提高了输出频率稳定度和转换效率;采用并联电感的方法降低了开关时的功率损耗;利用数控式选择开关切换选频网络,从而实现系统在双频率下的适配。同时对提出的方案及理论进行Multisim仿真验证。经过实物测试,该射频功率源可以在300 W额定功率下实现13.56 MHz和27.12 MHz双频率选择输出,转换效率能够达到90.1%。 展开更多
关键词 射频功率源 E类放大器 模式
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强流回旋加速器射频功率源末级谐振放大器的研制
5
作者 雷钰 纪彬 +1 位作者 李鹏展 杨林 《核电子学与探测技术》 北大核心 2015年第3期244-247,258,共5页
为适应强流回旋加速器综合实验装置强流束调束需求,开展了对射频系统中功率源的末级谐振放大器的研制。功率源末级谐振放大器采用阴极驱动模式的三级真空电子管作为核心放大器件,充分地考虑了输入阻抗、输出调谐和输出耦合的调节需求,... 为适应强流回旋加速器综合实验装置强流束调束需求,开展了对射频系统中功率源的末级谐振放大器的研制。功率源末级谐振放大器采用阴极驱动模式的三级真空电子管作为核心放大器件,充分地考虑了输入阻抗、输出调谐和输出耦合的调节需求,通过射频电路仿真和三维电磁场仿真等手段实现了对末级谐振放大器各参数的仿真。网络分析仪对末级谐振放大器的各项参数的测量表明:制造结果与设计参数高度一致;示波器对末级谐振放大器进行实验测试表明:8h假负载考验中功率稳定度好于1%,输出效率达70%,可为强流回旋加速器综合实验装置强流束调试提供射频功率的技术支持。 展开更多
关键词 回旋加速器 强流束 射频功率源 末级谐振放大器
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RFQ1L宽带射频功率信号源的研制及调试
6
作者 朱志超 黄文学 +6 位作者 赵建民 王世贤 苏学明 王玥 田玉林 王均英 孙宇梁 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1372-1376,共5页
介绍了重原子和核结构研究谱仪SHANS中RFQ冷却聚束器RFQ1L上宽带射频功率信号源的研制过程和调试情况。实验结果表明:该功率信号源达到设计要求,频率在40~1 000kHz内连续可调,两路输出反相达到要求,电压幅度在RFQ1L现有工作频率下,满... 介绍了重原子和核结构研究谱仪SHANS中RFQ冷却聚束器RFQ1L上宽带射频功率信号源的研制过程和调试情况。实验结果表明:该功率信号源达到设计要求,频率在40~1 000kHz内连续可调,两路输出反相达到要求,电压幅度在RFQ1L现有工作频率下,满足设备的调试要求。 展开更多
关键词 超重核 RFQ 冷却 聚束 宽带功率信号
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高功率射频源(HPRFS)实验用500MW线型调制器设计 被引量:1
7
作者 魏智 《现代雷达》 CSCD 1996年第2期84-90,97,共8页
介绍了峰值功率为500MW、脉宽为1~2.5μs、脉冲重复频率F_r为5pps的线型脉冲调制器的特殊设计考虑,它所产生的700kV脉冲电压,非常适合于高质量电子束的微波源(RFS),如自由电子激光器(FEL)和回旋自... 介绍了峰值功率为500MW、脉宽为1~2.5μs、脉冲重复频率F_r为5pps的线型脉冲调制器的特殊设计考虑,它所产生的700kV脉冲电压,非常适合于高质量电子束的微波源(RFS),如自由电子激光器(FEL)和回旋自动谐振微波放大器(CARM)。文章主要根据相对论磁控管(RM)特点来设计调制器,相对论速调管放大器(RKA)用的10 ̄4MW脉冲调制器其具体电路在参考文献[1]中已有介绍。 展开更多
关键词 线型调制器 设计 功率
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感应耦合等离子体刻蚀InSb时偏压射频源功率的选取 被引量:2
8
作者 王理文 司俊杰 张国栋 《航空兵器》 2012年第4期62-64,共3页
以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻... 以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻蚀InSb时的一个优选的偏压射频源功率值。结果表明:当偏压射频源功率为150 W,ICP功率为800 W,反应室压力为1.0 Pa,CH4/H2/Ar的体积流量比为3/10/1时,InSb的刻蚀速率可达90 nm/min,刻蚀表面的平均粗糙度(Ra)约为6.1 nm,InSb与SiO2的刻蚀选择比约为6。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 反应离子刻蚀 刻蚀速率 刻蚀选择比 偏压功率
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KT-5C托卡马克离子伯恩斯坦波功率发射系统 被引量:1
9
作者 闻一之 万树德 +3 位作者 刘万东 廖广东 翟侃 俞昌旋 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期45-49,共5页
本文概述了在KT-5C托卡马克上研究非线性离子伯恩斯坦波用的新型射频波功率发射系统,给出了工作频率选择和稳定、射频功率的传输调节、脉冲响应、耦合网络及其阻抗变换、移动式天线等实验结果,还给出了测量天线真空负载阻抗的一... 本文概述了在KT-5C托卡马克上研究非线性离子伯恩斯坦波用的新型射频波功率发射系统,给出了工作频率选择和稳定、射频功率的传输调节、脉冲响应、耦合网络及其阻抗变换、移动式天线等实验结果,还给出了测量天线真空负载阻抗的一种简便方法,讨论了有关结果。 展开更多
关键词 非线性离子 射频功率源 波加热 托卡马克
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等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
10
作者 汪明刚 刘杰 +2 位作者 杨威风 李超波 夏洋 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期370-373,共4页
基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该... 基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 浸没注入 低能注入 注入掺杂 ENERGY 离子密度 注入深度 系统工作 掺杂离子浓度 二次离子质谱 直流电压 射频功率源 径向均匀性 诊断结果 探针 离子剂量 技术设计 硅基片上 测试结果 圆柱形
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500kW四极电子管栅极组件热分析与结构优化
11
作者 赵亚琦 张瑞 +1 位作者 王勇 杨修东 《电子器件》 CAS 北大核心 2022年第2期277-281,共5页
四极电子管可以作为射频四级场(radio frequency quadrupole,RFQ)加速器的射频功率源,而阴极和栅极作为四极电子管的关键电极,其结构参数直接影响四极电子管的输出功率和增益等主要性能参数。利用有限元分析软件ANSYS,对RF频率为195 MHz... 四极电子管可以作为射频四级场(radio frequency quadrupole,RFQ)加速器的射频功率源,而阴极和栅极作为四极电子管的关键电极,其结构参数直接影响四极电子管的输出功率和增益等主要性能参数。利用有限元分析软件ANSYS,对RF频率为195 MHz~600 MHz、输出功率为500 kW的四极电子管的栅极等关键部件进行了热分析计算。为模拟工作状态,首先施加阴极组件给定的功率,观测阴极和栅极组件的温度分布情况,然后进行抑制栅极散热翼片的结构优化与设计,仿真结果显示:栅极最高温度从289.29℃下降至268.21℃,达到优化抑制栅极的散热效果,并使用ANSYS的热-结构联合模块对其进行耦合计算分析,验证了优化后栅极结构的可行性,改善了四极管的散热需求,从而保证四极管能在合适的工作温度下稳定运行。 展开更多
关键词 四级电子管 射频功率源 控制栅极 热分析 结构优化
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