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题名大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制
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作者
刘洪军
王琪
赵杨杨
王佃利
杨勇
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机构
南京电子器件研究所
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出处
《现代雷达》
CSCD
北大核心
2024年第5期70-74,共5页
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文摘
介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并研制出了百瓦级以上大功率射频Si-VDMOS功率晶体管系列产品。产品主要性能如下:在工作电压28 V及连续波下,采用8胞合成时,225 MHz输出功率达200 W以上,500 MHz输出功率达150 W以上;进一步增加子胞数量,采用12胞合成时,225 MHz输出功率达300 W以上,同时具备良好的增益及效率特性,与国外大功率射频Si-VDMOS功率晶体管的产品参数相比,达到了同类产品水平。
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关键词
大功率
硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管
射频功率晶体管
反馈电容
源极电感
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Keywords
high power
Si vertical diffusion metal-oxide-semiconductor(Si-VDMOS)
RF power transistor
feedback capacitance
source inductance
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分类号
TN385
[电子电信—物理电子学]
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型
被引量：1
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作者
任学峰
杨银堂
贾护军
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机构
西安电子科技大学微电子学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期129-132,共4页
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基金
国家部委预研资助项目(51308030201)
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文摘
提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系。在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果符合高场下漏极的MC(蒙特卡罗)计算的结果。与以前的研究模型相比较,结果说明了该研究的有效性,饱和电流的结果与实测的I-V特性更加吻合。
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关键词
4H-碳化硅
射频功率金属半导体场效应晶体管
Ⅰ-Ⅴ特性
解析模型
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Keywords
4H-SiC
RF power MESFET
Ⅰ-Ⅴ characteristics
analytical model
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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