介绍了如何利用场效应管的小信号散射(S)参数设计射频功率放大器,并采用此设计方法,选用场效应管,设计了一种工作在160 MHz频段的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)功率放大器。在工作频段内,功率放大器增益大于23 d B,输入端口的匹配...介绍了如何利用场效应管的小信号散射(S)参数设计射频功率放大器,并采用此设计方法,选用场效应管,设计了一种工作在160 MHz频段的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)功率放大器。在工作频段内,功率放大器增益大于23 d B,输入端口的匹配网络的回波损耗S11优于-19 d B。实例证明:该设计方法仿真简单,易于实现,具有重要的工程应用价值。展开更多
文摘介绍了如何利用场效应管的小信号散射(S)参数设计射频功率放大器,并采用此设计方法,选用场效应管,设计了一种工作在160 MHz频段的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)功率放大器。在工作频段内,功率放大器增益大于23 d B,输入端口的匹配网络的回波损耗S11优于-19 d B。实例证明:该设计方法仿真简单,易于实现,具有重要的工程应用价值。
